（黑龍江省地球物理勘察院，黑龍江 哈爾濱 150036）

工作中可控源音頻大地電磁測(cè)深及頻譜激電測(cè)深均使用加拿大鳳凰公司生產(chǎn)的V8網(wǎng)絡(luò)多功能電法儀完成。投入的物探方法為可控源音頻大地電磁測(cè)深及頻譜激電測(cè)深，其中僅122線未使用頻譜激電測(cè)深。了解區(qū)內(nèi)是否分布有一定規(guī)模的物探異常，為尋找鉛鋅礦體圈定有利靶區(qū)。

1 區(qū)域地質(zhì)及地球物理特征

普查區(qū)處于北北東與北西西向兩組共軛斷裂的近北北西向構(gòu)造帶上。是黑云母二長(zhǎng)花崗巖與下寒武統(tǒng)鉛山組的侵入接觸帶。控制礦體空間展布。地層呈單斜產(chǎn)出，走向北西，傾角60°～80°，傾向略有變化，構(gòu)造形態(tài)為傾向變化較大的單斜構(gòu)造。

2 推斷解釋

工作區(qū)主要地層為古生界下寒武統(tǒng)鉛山組（∈1q）、中生界下白堊統(tǒng)甘河組組（K1g）及新生界第四系全新統(tǒng)河漫灘堆積層（Qh2）。工作區(qū)內(nèi)主要侵入巖為晚三疊世—早侏羅世粗中粒似斑狀黑云母二長(zhǎng)花崗巖(ηγT3J1)。

2.1 可控源音頻大地電磁測(cè)深電阻率斷面推斷解釋

工作采用電性源CSAMT標(biāo)量測(cè)量的工作方式。以測(cè)線方向?yàn)閄方向，垂直測(cè)線方向?yàn)閅方向。電道Ex電極采用首尾相接的方式布設(shè)，磁道Hy磁探頭垂直測(cè)線X方向。

根據(jù)現(xiàn)有地質(zhì)資料，結(jié)合各斷面電阻率特征，推斷認(rèn)為：工作區(qū)內(nèi)低阻區(qū)大部分由寒武系鉛山組（∈1q）大理巖、板巖所引起，局部低阻區(qū)為破碎帶也可能會(huì)引起低阻反映。工作區(qū)內(nèi)高阻基本可能為二長(zhǎng)花崗巖（ηγT3J1）的反映。斷面具體推斷解釋如下：

118線電阻率斷面的推斷解釋。12.5點(diǎn)～17.5點(diǎn)近地表低阻區(qū)、162.5點(diǎn)～172.5點(diǎn)低阻區(qū)推斷為二長(zhǎng)花崗巖破碎所引起；32.5點(diǎn)～52.5點(diǎn)低阻區(qū)推斷與破碎有關(guān)，或?yàn)榈撞繗埩翥U山組老地層；67.5點(diǎn)～122.5點(diǎn)低阻區(qū)推斷由鉛山組(∈1q)所引起。斷面中其它部分高阻區(qū)推斷為二長(zhǎng)花崗巖（ηγT3J1）的反映。

圖1 118線電阻率斷面及推斷地質(zhì)圖

2.2 122線電阻率斷面的推斷解釋

推斷認(rèn)為：①117.5點(diǎn)～157.5點(diǎn)近地表低阻區(qū)至中深部低阻區(qū)推斷為鉛山組的反映；②37.5點(diǎn)～47.5點(diǎn)為高阻區(qū)，但其電阻率值相對(duì)較低，推斷為破碎帶所引起；

該剖面中其它高阻部分均推斷為二長(zhǎng)花崗巖的反映。

2.3 頻譜激電測(cè)深推斷解釋

工作區(qū)內(nèi)主要侵入巖為晚三疊世—早侏羅世粗中粒斑狀黑云母二長(zhǎng)花崗巖(ηγT3J1)。

2.3.1 118線頻譜激電測(cè)深斷面推斷解釋

118線頻譜激電測(cè)深電阻率斷面的解釋推斷。65點(diǎn)～120點(diǎn)近地表低阻區(qū)及深部低阻區(qū)、110點(diǎn)～150點(diǎn)中深部分布的三個(gè)低阻區(qū)均推斷為鉛山組（∈1q）的反映。其它高阻區(qū)推斷為由二長(zhǎng)花崗巖（ηγT3J1）所引起。

2.3.2 119線頻譜激電測(cè)深斷面推斷解釋

（1）119線頻譜激電測(cè)深電阻率斷面的解釋推斷。65點(diǎn)～130點(diǎn)近地表低阻區(qū)；100點(diǎn)下方斷面的中部低阻區(qū)、40點(diǎn)～50點(diǎn)斷面下部低阻區(qū)、140點(diǎn)～150點(diǎn)下方斷面中部低阻區(qū)均推斷由鉛山組（∈1q）地層所引起。50點(diǎn)～60點(diǎn)近地表低阻區(qū)、30點(diǎn)下方的低阻區(qū)推斷為甘河組（K1g）的反映。其它高阻區(qū)均推斷為二長(zhǎng)花崗巖（ηγT3J1）的反映。

（2）119線頻譜激電測(cè)深I(lǐng)P斷面的地質(zhì)解釋。由地質(zhì)圖中可以看出，-40點(diǎn)～30點(diǎn)為二長(zhǎng)花崗巖（ηγT3J1），IP為5%；40點(diǎn)～60點(diǎn)為甘河組（K1g）玄武巖，IP值為5%～10%；70點(diǎn)～120點(diǎn)為鉛山組（∈1q），并有Ⅰ號(hào)礦化帶、Ⅱ號(hào)礦化帶和Ⅲ號(hào)、Ⅵ號(hào)礦脈，IP值為5%；130點(diǎn)～160點(diǎn)為二長(zhǎng)花崗巖分布區(qū)；8號(hào)IP異常推斷該異常在鉛山組（∈1q）地層與二長(zhǎng)花崗巖（ηγT3J1）接觸帶上，上部為二長(zhǎng)花崗巖，南側(cè)也為二長(zhǎng)花崗巖，異常中心深度300米。9號(hào)和10號(hào)IP異常推斷在鉛山組（∈1q）地層與二長(zhǎng)花崗巖（ηγT3J1）接觸帶附近，9號(hào)異常近地表，10號(hào)異常在斷面的南端，中心深度為250米左右。

2.3.3 120線頻譜激電測(cè)深斷面推斷解釋

120線頻譜激電測(cè)深電阻率斷面的解釋推斷：70點(diǎn)～150點(diǎn)近地表低阻區(qū)、80點(diǎn)斷面中-深部的低阻區(qū)、120點(diǎn)下部低阻區(qū)均推斷由鉛山組（∈1q）地層所引起。50點(diǎn)下部低阻區(qū)推斷由甘河組（K1g）所引起。0點(diǎn)下方的低阻區(qū)推斷為由甘河組（K1g）地層所引起，不排除鉛山組（∈1q）存在可能性。

2.3.4 121線頻譜激電測(cè)深斷面推斷解釋

121線頻譜激電測(cè)深I(lǐng)P斷面的地質(zhì)解釋

由地質(zhì)圖可以看出，-40點(diǎn)～50點(diǎn)為二長(zhǎng)花崗巖（ηγT3J1），IP值為0%左右；50點(diǎn)～60點(diǎn)為甘河組（K1g）玄武巖，IP值為0%左右；70點(diǎn)～130點(diǎn)為鉛山組（∈1q）地層，IP值為0～10%。此斷面未發(fā)現(xiàn)礦化帶。

3 結(jié)論

通過物探工作可以看出，工作區(qū)內(nèi)5條剖面電阻率基本可以分為低阻區(qū)和高阻區(qū)，電阻率值基本低于320Ω·m為低阻區(qū)，電阻率值高于320Ω·m為高阻區(qū)。

可控源音頻大地電磁測(cè)深剖面中，大部分低阻區(qū)近直立狀分布，大面積的低阻區(qū)基本分布在工作區(qū)的中部至南部的區(qū)域。這些低阻區(qū)主要有：118線87.5點(diǎn)—122.5點(diǎn)的低阻區(qū)、119線的87.5點(diǎn)—142.5點(diǎn)的低阻區(qū)、120線87.5點(diǎn)—162.5阻區(qū)。以上低阻區(qū)均推斷為鉛山組（∈1q）的反映。根據(jù)頻譜激電測(cè)深結(jié)果，結(jié)合前期可控源音頻大地電磁測(cè)深結(jié)果，共圈定4個(gè)可能具有找礦意義的異常。