孔帥斐,栗正新,樊志琴
(河南工業(yè)大學(xué)材料科學(xué)與工程學(xué)院,河南 鄭州 450001)
新型工具系統(tǒng)的出現(xiàn)使刀具制造發(fā)生了新的變革,涂層刀具的出現(xiàn)是刀具制造的一場(chǎng)重大變革。超細(xì)晶粒硬質(zhì)合金涂層系列刀具在汽車、航空以及能源工業(yè)中得到了廣泛應(yīng)用。但是目前關(guān)鍵機(jī)床上使用的硬質(zhì)合金涂層刀具被進(jìn)口刀具所壟斷。國內(nèi)只能靠進(jìn)口國外的硬質(zhì)合金進(jìn)行進(jìn)行加工。國內(nèi)企業(yè)引進(jìn)國外的技術(shù)和設(shè)備開發(fā)的納米涂層技術(shù)使得刀具的質(zhì)量和性能等方面得到改善。PcBN刀具在加工高鉻含量白鑄鐵時(shí)刀具表面會(huì)出現(xiàn)大量的月牙痕,而且刀具在加工過程中的較大磨削力往往引起工件的震動(dòng)和刀具的變形[1]。涂層是通過氣相沉積的方式在基體表面沉積一層或數(shù)層耐磨性好的金屬或非金屬化合物,作為化學(xué)屏障,通過它減少刀具和工件間的擴(kuò)散以及化學(xué)反應(yīng)來減少月牙槽的出現(xiàn)。超硬刀具表面的涂層加強(qiáng)硬度的主要目的是提高刀具表面的韌性,降低刀具表面的摩擦系數(shù),改善刀具崩刃和破損等問題,擴(kuò)大刀具的使用范圍[2]。涂層材料除了具有硬度高,耐磨性好和化學(xué)性能穩(wěn)定外,還必須具有耐熱耐氧化、摩擦系數(shù)低和基體具有較強(qiáng)的附著能力的特點(diǎn)。
TiN薄膜可以減輕切削刃邊材料的附著,改善刀具的切削力,改善工件表面質(zhì)量,極大地提高刀具的使用壽命和耐用度[3]。該涂層在低速切削刀具、高速鋼切削刀具以及鉆頭上被大量涂覆。涂層由于低的黏著傾向是磨損部件的理想耐磨涂層,如汽車發(fā)動(dòng)機(jī)的活塞密封環(huán)、軸承和齒輪等。該涂層是硬質(zhì)薄膜材料,其抗磨損能力很強(qiáng),可以把空氣和工件隔離,不易氧化,可以維持刀具的嶄新性。該涂層摩擦系數(shù)較小,可以大幅度降低摩擦系數(shù),起潤(rùn)滑的作用,從而大幅度增強(qiáng)刀具的抗磨損的能力[4]。TiN涂層作為硬質(zhì)涂層在硬質(zhì)合金刀具等方面得到了廣泛應(yīng)用,制造出不同成分的多層結(jié)構(gòu)可以降低涂層的內(nèi)應(yīng)力、防止裂紋擴(kuò)展減少崩刃。中國株洲硬質(zhì)合金廠、日本東芝公司等都有涂層刀具產(chǎn)品,但在PcBN刀具表面制備出單層涂層和復(fù)合涂層仍然處在實(shí)驗(yàn)室階段,因此,研究TiN涂層對(duì)以后制備TiAlN、TiAlCrN涂層具有指導(dǎo)性意義。
鈦靶純度99.999%。工作氣體氬氣及反應(yīng)氣體氮?dú)獾募兌葹?9.999%。
基體采用富耐克超硬材料股份有限公司提供的PcBN刀具?;w在35℃的情況下,在丙酮、酒精和蒸餾水中分別超聲15min,然后烘干備用。將襯底置于真空室內(nèi),將真空室的背壓強(qiáng)用分子泵抽到2.0×10-3后,通入氬氣后預(yù)濺射15min,再通入工作氣體,打開擋板開始沉積薄膜[5]。整個(gè)實(shí)驗(yàn)過程的實(shí)驗(yàn)參數(shù)如表1所示。
表1 TiN薄膜實(shí)驗(yàn)參數(shù)Table 1 Experiment parameters of TiN films
薄膜的顯微硬度采用HMAS-D1000SMZ進(jìn)行測(cè)量,使用HMAS-D1000SMZ測(cè)量薄膜的顯微硬度,檢測(cè)時(shí)載荷為50gf,保壓時(shí)間為10s。用飛納Phenom Prox電鏡能譜一體機(jī)觀察薄膜的表面形貌并進(jìn)行能譜分析[6]。采用日本理學(xué)miniflex600x射線衍射儀(XRD)進(jìn)行x射線分析。
氮化鈦薄膜制備工藝中電流大小和氮?dú)鈿鍤饬髁勘葘?duì)薄膜的成分有影響。圖1中a、b、c和d分別是電流大小在0.25A、0.35A、0.45A和0.55A時(shí),保持氣體總流量為12mL/min情況下,調(diào)整氮?dú)夂蜌鍤饬髁恐苽渫繉拥腦RD圖譜。圖a涂層內(nèi)部結(jié)構(gòu)以無定形態(tài)存在,均沒有衍射峰出現(xiàn),涂層結(jié)晶性能較弱,Ti元素和N元素均以非晶相形式存在,即無定形相。在整個(gè)調(diào)整氮?dú)夂蜌鍤饬髁勘鹊倪^程中均沒有TiN物相生成。在0.25A時(shí),通過改變氣體的流量比不能制備出TiN薄膜。因?yàn)殡娏魈?,沒有足夠電子去轟擊氬氣產(chǎn)生等離子體。
圖1中b為濺射電流在0.35A時(shí)制備涂層X射線圖的圖譜。在0.35A時(shí),在保持總流量不變的情況下,改變氮?dú)夂蜌鍤獾牧髁勘?,有晶體相生成。各個(gè)流量比條件下衍射峰的峰強(qiáng)較弱,說明涂層中TiN含量較少。衍射峰寬化,說明晶體晶格畸變嚴(yán)重。
圖1中c為電流在0.45A時(shí)制備的涂層X射線圖譜。在0.45A時(shí)保持總流量為12mL/min的條件下,改變氮?dú)饬髁恐苽渫繉泳芯w相存在;氮?dú)饬髁繛?mL/min條件下有較弱的(111)峰存在。其他條件下,涂層的衍射峰只有(200);隨著氮?dú)饬髁康脑黾?,衍射峰的?qiáng)度逐漸變低,同時(shí)衍射峰寬化。這樣的結(jié)果,原因主要是工作氣體氬氣流量的減少,導(dǎo)致濺射出的鈦原子數(shù)量減少。反應(yīng)氣體氮?dú)饬髁康脑黾?,?dǎo)致反應(yīng)的氮原子數(shù)量增多。
圖1中d電流為0.55A,保持總流量為12mL/min的情況下,制備涂層X射線的衍射圖譜。在電流大小0.55A情況下,不同氮?dú)饬髁織l件下制備涂層,均有晶體相生成;隨著氮?dú)饬髁吭黾樱?200)衍射峰寬化。當(dāng)?shù)獨(dú)饬髁繛?mL/min時(shí),氮化鈦的(111)、(200)、(220)和(311)衍射峰出現(xiàn),但是當(dāng)?shù)獨(dú)饬髁吭龃髸r(shí),只有(200)衍射峰。氮?dú)夂蜌鍤獾牧髁勘仍?.2左右是理想TiN制備工藝。對(duì)比圖中a、b、c和d圖我們可以認(rèn)為TiN (200)面為涂層的擇優(yōu)取向;電流大小對(duì)涂層制備有影響。當(dāng)電流過小時(shí),調(diào)整氮?dú)夂蜌鍤饬髁勘?,不能制備出TiN晶體;保持氣體總流量不變的情況下,氮?dú)饬髁康脑黾泳Ц駮?huì)發(fā)生畸變。
圖2是在電流0.75A,、溫度300℃,流量比0.2左右和沉積40min的條件下,制備涂層的XRD圖譜。對(duì)比圖中的四個(gè)圖譜,發(fā)現(xiàn)四個(gè)圖譜均為TiN的衍射圖譜;在流量比為0.1左右時(shí),衍射峰強(qiáng)高于其他流量比,可以將流量比為0.1作為制備涂層的理想流量比,圖3是在流量比為0.1的條件下,沉積時(shí)間5h,制備涂層的XRD圖譜,根據(jù)圖譜可以證明該涂層為TiN。
圖1 不同電流大小情況下(a)0.25A (b)0.35A (c)0.45A(d)0.55A改變氮?dú)饬髁恐苽銽iN涂層的XRD圖譜Fig.1 XRD patterns of TiN films under different currents(a)0.25A(b)0.35A(c)0.45A(d)0.55A
圖2 電流為0.55A條件下氮?dú)鈿鍤饬髁勘?a)0.09(b)0.11(c)0.13(d)0.16直流磁控濺射涂層XRD圖譜Fig.2 XRD pattern of DC magnetic sputtering coating tools prepared with 0.55A current and(a)0.09(b)0.11(c)0.13(d)0.16 Nitrogen argon flow ratio.
圖3 在流量比為0.1情況下制備得到的TiN薄膜XRD圖譜Fig.3 XRD patterns of TiN films under 0.1 flow ratio
涂層的厚度直接影響涂層的性能,涂層制備工藝,例如溫度、溫度和時(shí)間等對(duì)涂層的厚度有著直接影響。圖4為溫度-時(shí)間-厚度關(guān)系曲線,圖譜說明溫度對(duì)涂層厚度影響較小。圖5為電流-時(shí)間-厚度曲線,表明電流不同時(shí)涂層的生長(zhǎng)速率不同。電流增大引起涂層生長(zhǎng)速率增大。圖6為涂層厚度和時(shí)間擬合曲線方程的解。電流0.25A、0.35A、0.45A和0.55A的生長(zhǎng)速率分別為124.5nm/h、246.3nm/h、351.87nm/h和460.64nm/h。
圖4 在電流為0.55A的條件下時(shí)間-厚度-溫度關(guān)系圖Fig.4 Diagrams of Time-Thickness-Temperature under current of 0.75A condition
圖5 電流-時(shí)間-涂層厚度的關(guān)系圖譜Fig.5 Curves of current,time,and thickness
圖6 電流-厚度關(guān)系曲線擬合方程解Fig.6 The solution of the fitting equation of current-thickness curves
圖7為300℃下,采用直流濺射4h制備涂層的掃描電子顯微鏡圖片。圖中a圖為涂層的截面圖。b、c、d分別為放大倍數(shù)到2000、5000、10000倍時(shí)涂層的表面形貌。從截面圖中可以看出涂層材質(zhì)致密,厚度分布均勻。測(cè)得涂層的厚度為1.7μm左右。同時(shí)涂層與基體之間幾乎沒有間隙,說明溫度促進(jìn)了涂層在基體表面上的生長(zhǎng)。表面形貌發(fā)現(xiàn)涂層為5μm左右的晶體堆積而成?;w表面涂層覆蓋均勻。
圖8為直流300℃下制備TiN涂層刀具的平均摩擦系數(shù),圖中曲線波動(dòng)甚小,說明射頻法制備的涂層內(nèi)部結(jié)構(gòu)均勻,微觀波動(dòng)較小。從圖中可以看出制備的TiN涂層的摩擦系數(shù)為0.35。
圖7 直流磁控濺射300℃條件下,TiN涂層(a)截面形貌(b)×2000(c)×5000(d)×10000倍表面形貌Fig.7 DC magnetron sputtering at 300℃,(a)Coating section (b)×2000(c)×5000(d)×10000 surface topography
圖8 TiN涂層的平均摩擦系數(shù)-時(shí)間圖譜Fig.8 Average friction coefficient-time graph of TiN magnetic sputtering coated tool
(1)電流的大小影響涂層的晶體結(jié)構(gòu),在電流小于0.35A時(shí)不能沉積TiN薄膜。
(2)氮?dú)夂蜌鍤獾牧髁勘龋苯佑绊懲繉拥木w結(jié)構(gòu),在流量比為0.1時(shí)制備的TiN涂層最優(yōu)。直流磁控濺射制備TiN涂層的摩擦系數(shù)為0.35。