2019年10月16日，來自科技部網(wǎng)站消息，由無錫中微晶園電子有限公司牽頭承擔(dān)的“高靈敏硅基雪崩探測器研發(fā)及其產(chǎn)業(yè)化技術(shù)研究”項(xiàng)目近日通過了科技部專家組的中期檢查。

2017年6月，“高靈敏硅基雪崩探測器研發(fā)及其產(chǎn)業(yè)化技術(shù)研究”項(xiàng)目作為國家重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃“重大科學(xué)儀器設(shè)備開發(fā)”重點(diǎn)專項(xiàng)獲得1400萬專項(xiàng)資金資助。經(jīng)過近兩年的努力，研究人員突破了低抖動(dòng)、大光敏面硅單光子探測芯片設(shè)計(jì)、界面電場調(diào)控的離子注入和氧化層制備、低噪聲芯片封裝等關(guān)鍵技術(shù)，開發(fā)出硅單光子探測器樣機(jī)。

硅單光子探測器具有超高靈敏度，是300～1100nm波段超高靈敏探測不可替代的關(guān)鍵芯片，且器件性能穩(wěn)定可靠、易形成面陣，是實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)距離精密測量、激光雷達(dá)等重大科學(xué)儀器的關(guān)鍵核心部件之一。目前，國內(nèi)硅單光子探測芯片主要依賴進(jìn)口，且陣列芯片禁運(yùn)。開展硅單光子探測器的自主化研究對(duì)獨(dú)立自主研制精密測量、激光雷達(dá)等裝備具有重要意義。