西安工業(yè)大學(xué)通過近10年的技術(shù)探索和積累,已經(jīng)掌握了成熟的原料提純工藝。通過穩(wěn)定的精細(xì)提純技術(shù),可獲得純度約5N的多晶HgI2粉體;通過在小面積(1 cm2)ITO玻璃上的沉積,生長(zhǎng)了厚度100~1 000 μm、電阻率1 010~1 011 Ω·cm的薄膜,獲得了成熟可靠的薄膜沉積工藝。通過自行設(shè)計(jì)和精密加工的大面積沉積設(shè)備,采用優(yōu)化工藝,嚴(yán)格控制薄膜沉積溫度變化范圍(0.5 ℃~1 ℃),成功的生長(zhǎng)了36 cm2的大面積碘化汞多晶薄膜。在北京某公司制備的成像探測(cè)器性能測(cè)試中,采用80 keV的射線(工作電流4 mA),曝光時(shí)間5 ms,成功的獲得了不銹鋼螺母的成像照片,達(dá)到了安檢和醫(yī)學(xué)成像的基本要求;經(jīng)過進(jìn)一步工藝優(yōu)化和調(diào)整,大面積(170 cm2)多晶薄膜的的沉積技術(shù)已經(jīng)趨于完善,樣品成功率大于97%,將應(yīng)用于醫(yī)學(xué)成像檢測(cè)。