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文氏橋電路實(shí)驗(yàn)的改進(jìn)

2019-07-10 02:04吳先明
科技視界 2019年14期
關(guān)鍵詞:文氏電路仿真阻器

吳先明

【摘 要】文氏橋電路實(shí)驗(yàn)是一個(gè)經(jīng)典的模擬電路實(shí)驗(yàn)。本文對(duì)文氏橋電路進(jìn)行了改進(jìn),并采用Multisim軟件對(duì)其進(jìn)行了電路仿真,當(dāng)電路接線性電阻時(shí),該電路能產(chǎn)生正弦波信號(hào),當(dāng)電路接憶阻器時(shí),該電路產(chǎn)生一種新的非正弦信號(hào)。它既可完成模擬電路實(shí)驗(yàn),又可探索新的物理現(xiàn)象。

【關(guān)鍵詞】文氏電路;multisim仿真軟件;憶阻器

中圖分類號(hào): O415.5;TN75 文獻(xiàn)標(biāo)識(shí)碼: A 文章編號(hào): 2095-2457(2019)14-0066-002

DOI:10.19694/j.cnki.issn2095-2457.2019.14.030

【Abstract】The Wien-bridge circuit is a traditional analog circuit experiment. It is modified,and it was simulated by Multisim.When switch is connected with resistor,it can generate sine signal.When switch is connected with memristor,it can generate a new signal,but it is not sine signal.The analog circuit experiment not only was performed,but also a new physical phenomenon was explored.

【Key words】Wien-bridge;Multisim software;Memristor

0 引言

文氏橋?qū)嶒?yàn)是模擬電路實(shí)驗(yàn)中的一個(gè)經(jīng)典電路,并給出了振蕩條件和正弦波的頻率,由于其電路簡單而深受學(xué)者們廣泛研究。文獻(xiàn)[1]從理論上分析的文氏橋電路,給出了5種狀態(tài);文獻(xiàn)[2]研究了文氏橋輸出的信號(hào)從起振到飽和的過程,使實(shí)驗(yàn)研究內(nèi)容更全面;文獻(xiàn)[3]提出了把文氏橋電路與電子琴電路相結(jié)合作為一個(gè)實(shí)驗(yàn)內(nèi)容,增加了文氏橋電路實(shí)驗(yàn)的內(nèi)容;文獻(xiàn)[4-5]的文氏電路產(chǎn)生了一種新的簇發(fā)現(xiàn)象。本文對(duì)文氏橋電路進(jìn)行修改,在電路中采用開關(guān)分別接電阻和憶阻器,并調(diào)節(jié)電位器使電路分別產(chǎn)生正弦波信號(hào)和新的物理現(xiàn)象。這樣,既讓學(xué)生熟悉電路,又激發(fā)學(xué)生學(xué)習(xí)興趣。

1 實(shí)驗(yàn)電路描述與分析

經(jīng)典的文氏電路如圖1所示,它由放大電路、正反饋網(wǎng)絡(luò)、選頻網(wǎng)絡(luò)和穩(wěn)幅環(huán)節(jié)四部分組成。

文獻(xiàn)[5]對(duì)文氏橋電路進(jìn)行了改進(jìn),其電路如圖2所示。

本文在圖1和圖2的基礎(chǔ)上,通過開關(guān)分別接電阻和憶阻器,調(diào)節(jié)電位器來使電路產(chǎn)生兩種物理現(xiàn)象,其電路如圖3所示。

在圖3電路中,電阻R2=10kΩ,R3=2kΩ,R4=6kΩ,電容C1=10nF,C2=10nF,電感L=20mH,當(dāng)開關(guān)K接電阻R2時(shí),并調(diào)節(jié)R1,使R1=19.2kΩ,對(duì)圖3進(jìn)行電路仿真,其仿真結(jié)果如圖4、圖5和圖6所示。

從圖4可知,文氏電路的起振時(shí)間約為128ms,從圖5可知,其電路的頻率為1.14kHz,從圖6可知,v2與v1的頻率相同。

當(dāng)開關(guān)K接憶阻器時(shí),調(diào)節(jié)R1,并使R1=2kΩ,對(duì)圖3中的憶阻器進(jìn)行電路仿真,其結(jié)果如圖7所示,對(duì)圖3中的v1,v2,v3節(jié)點(diǎn)進(jìn)行電路仿真,其結(jié)果如圖8、圖9、圖10和圖11所示。

從圖7可知,憶阻器的伏安特性與電阻的伏安特性不同,從圖8、圖9、圖10和圖11可知,憶阻器代替電阻后,該電路產(chǎn)生了新的物理現(xiàn)象,它與正弦波信號(hào)不同,也與文獻(xiàn)[4-5]的物理現(xiàn)象不同。

2 結(jié)論

本文對(duì)模擬電路實(shí)驗(yàn)中的文氏橋電路進(jìn)行了改進(jìn),并使用Multisim對(duì)其進(jìn)行了仿真實(shí)驗(yàn),當(dāng)電路接線性電阻電路時(shí),該電路能產(chǎn)生正弦波信號(hào);當(dāng)電路接阻憶電路時(shí),該電路能產(chǎn)生一種新的非正弦波信號(hào)。進(jìn)而增強(qiáng)學(xué)生學(xué)習(xí)模擬電路實(shí)驗(yàn)的興趣,激發(fā)學(xué)生創(chuàng)新思維,增強(qiáng)學(xué)生動(dòng)手能力。

【參考文獻(xiàn)】

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[2]劉恒,張易晨,孫晉,劉建成.文氏橋振蕩電路行為仿真及實(shí)驗(yàn)分析.實(shí)驗(yàn)技術(shù)與管理,2018,35(6):122-125.

[3]包濤,周德云,林華杰.文氏電橋振蕩實(shí)驗(yàn)仿真教學(xué)設(shè)計(jì). 實(shí)驗(yàn)室研究與探索,2018,37(9):202-205.

[4]徐權(quán),張琴玲,史國棟.文氏橋振蕩器的簇發(fā)現(xiàn)分析及實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證.電氣電子教學(xué)學(xué)報(bào),2016,38(5):46-48.

[5]Bao B.C.,Wu P.Y.,Bao H.,Wu H.G.,Zhang X.,Chen M. Symmetric periodic bursting behavior and bifurcation mechanism in a third-order memristive diode bridge-based oscillator.Chaos Solitons and Fractals,2018,(109):146-153.

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