袁靚

瀾起科技（688008.SH）的科創(chuàng)板上市申請自2019年4月1日獲得受理，僅用了短短的73天就實現(xiàn)了順利過會，并于2019年7月8日正式開啟了線上線下申購，目前已位列7月22日第一批上市的25家科創(chuàng)新股之一。作為全球內(nèi)存接口芯片“獨角獸”企業(yè)，其本次上市發(fā)行戰(zhàn)略配售數(shù)量占發(fā)行數(shù)量接近30%，該比例為當前科創(chuàng)板第一，其中英特爾大連因看好公司發(fā)展，積極參與配股1129.81萬股，配額金額高達2.80億元。

產(chǎn)品全球市占率高達近50% 毛利率高達70%左右

內(nèi)存接口芯片是芯片設計領域技術門檻較高的一個細分行業(yè)，瀾起科技自2004年成立伊始就以內(nèi)存接口芯片為主營產(chǎn)品，通過十五年的專注研發(fā)和持續(xù)投入，發(fā)明了DDR4全緩沖“1+9”架構(gòu)，該發(fā)明被成功采納為JEDEC國際標準。目前瀾起科技已憑借尖端技術，成功躋身全球僅有的三大內(nèi)存接口芯片公司之一，其余的兩家IDT和Rambus都是美國公司。因瀾起科技競爭優(yōu)勢明顯，其內(nèi)存接口芯片在全球市場上的占有率已高達近50%。也因此，其客戶幾乎囊獲了下游DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）市場所有國際龍頭企業(yè)，包括三星電子、海力士、美光科技等。據(jù)相關行業(yè)統(tǒng)計數(shù)據(jù)顯示，三星電子、海力士、美光科技位居DRAM市場行業(yè)前三名，全球市場占有率合計超過90%。這就意味著，瀾起科技的產(chǎn)品幾乎覆蓋了整個下游企業(yè)，具有極強的行業(yè)話語權(quán)。

同時，記者還看到，隨著全球內(nèi)存接口芯片的市場需求持續(xù)增長，以及瀾起科技全球市場份額的持續(xù)提高，其公司業(yè)績也隨之呈現(xiàn)出飛速增長之勢。數(shù)據(jù)顯示，2016至2018年度公司營收分別為8.45億元、12.28億元和17.58億元，2018年毛利率達到了70%左右;2018年歸母凈利潤更是高達7.37億元，同比增長了112.35%，公司營業(yè)收入和盈利能力均高于行業(yè)平均水平。

值的一提的是，除了繼續(xù)鞏固其內(nèi)存接口芯片市場的龍頭地位以外，瀾起科技還開始了服務器CPU平臺的布局工作。據(jù)了解，2018年底其就推出了與清華大學、Intel聯(lián)合研發(fā)的第一代津逮 服務器CPU，現(xiàn)已具備量產(chǎn)能力，目前正根據(jù)客戶訂單安排生產(chǎn)及銷售，國內(nèi)知名服務器廠商如聯(lián)想、新華三、長城、寶德等均已推出支持津逮 CPU的服務器產(chǎn)品。接下來，瀾起科技表示，將持續(xù)升級津逮 服務器CPU及其平臺的各項性能，同時此次募資的資金將集中投向新一代內(nèi)存接口芯片、津逮 服務器CPU、人工智能芯片等多個項目，以期創(chuàng)造出新的業(yè)務增長點。

專注科研創(chuàng)新，不斷鞏固核心競爭力

眾所周知，集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展日新月異，技術及產(chǎn)品迭代速度非?？?。作為內(nèi)存接口芯片產(chǎn)業(yè)的全球領導者，瀾起科技為了不斷鞏固競爭優(yōu)勢和市場地位，參與了DDR5 JEDEC標準的制定，積極提前布局研發(fā)DDR5內(nèi)存接口芯片。據(jù)了解，截至目前瀾起科技已經(jīng)完成第一代DDR5工程版芯片流片及功能驗證，各項指標和功能符合預期，有望2020年底前完成第一代DDR5內(nèi)存接口芯片量產(chǎn)版的研發(fā)工作。而科研的不斷創(chuàng)新，則來源于瀾起科技始終不遺余力地持久高投入。公開資料顯示，2016年至2018年，瀾起科技的研發(fā)費用分別達到了1.98億元、1.88億萬元和2.77億元，占營收比均值達到了15%左右。公開資料顯示，截至2019年4月，瀾起科技已獲授權(quán)的國內(nèi)外專利多達90項，其中獲集成電路布圖設計證書達39項。

同時，記者還發(fā)現(xiàn)，瀾起科技還擁有眾多高端核心技術領軍人才，其中公司董事長楊崇和博士曾在全球頂尖芯片設計公司工作多年，2010年還成功當選為美國電氣和電子工程師協(xié)會院士，更榮獲過多種獎項，包括“IEEECAS產(chǎn)業(yè)先驅(qū)獎”和上海市政府授予的“白玉蘭榮譽獎”等。

多年不間斷的科研創(chuàng)新，已經(jīng)使瀾起科技取得了一系列顯著成就，核心競爭力得到了極大夯實。公開資料顯示，2016年6月，中國電子學會認定瀾起科技“低功耗DDR系列內(nèi)存緩沖控制器芯片設計技術整體技術達到國際領先水平”，同年12月，該項技術及產(chǎn)業(yè)化項目榮獲“中國電子學會科學技術獎一等獎”;2018年，瀾起科技“第二代DDR4內(nèi)存緩沖控制器芯片”榮獲了‘中國芯年度重大創(chuàng)新突破產(chǎn)品”獎;當年11月，津逮 服務器CPU及其平臺采用的“動態(tài)安全監(jiān)控技術”獲評第五屆世界互聯(lián)網(wǎng)大會“世界互聯(lián)網(wǎng)領先科技成果”;2019年5月，公司“低功耗DDR系列內(nèi)存緩沖控制器芯片設計技術”項目榮獲上海市人民政府頒發(fā)的“上海市技術發(fā)明一等獎”。