孟國祥 田曉霞 張家瑞 張 翔 韓豐慶 屈紹波
(1空軍工程大學(xué)航空航天工程學(xué)院學(xué)員一大隊(duì),西安 710051)(2空軍工程大學(xué)基礎(chǔ)部,西安 710051)
(3空軍工程大學(xué)防空反導(dǎo)學(xué)院學(xué)員二大隊(duì),西安 710051)
半導(dǎo)體對(duì)光具有一定的響應(yīng)性,鐵電半導(dǎo)體兼有鐵電性與半導(dǎo)體性[1-3]。在光照下,鐵電半導(dǎo)體內(nèi)產(chǎn)生的光生載流子在自身內(nèi)極化電場(chǎng)作用下產(chǎn)生分離,定向移動(dòng)到電極層界面,從而產(chǎn)生光伏信號(hào)輸出。在此過程中,光生載流子(電子-空穴對(duì))產(chǎn)生分離的根本動(dòng)力是由于自發(fā)極化引起的內(nèi)建電場(chǎng)。由于鐵電半導(dǎo)體中的有效場(chǎng)比傳統(tǒng)半導(dǎo)體p-n結(jié)高出一個(gè)數(shù)量級(jí),光伏電壓是傳統(tǒng)p-n結(jié)的2~4個(gè)數(shù)量級(jí),使其在光傳感器、光驅(qū)動(dòng)器、光催化、太陽能電池方面具有誘人的應(yīng)用前景[4-6]。特別是在光催化領(lǐng)域,由于光伏效應(yīng)半導(dǎo)體材料表面存在的空穴具有很強(qiáng)的氧化性,可以奪取吸附其表面有機(jī)物或溶劑中的電子,使那些原本不吸收光、無法被光子氧化的物質(zhì)可以通過光催化劑被氧化[7-8]。鈣鈦礦型的鈦酸鋇(BaTiO3)是一種典型鐵電體,也是一種重要的半導(dǎo)體光催化材料。但純相半導(dǎo)體表面往往缺乏高效催化活性位點(diǎn),不僅難以對(duì)反應(yīng)分子形成有效的吸附和活化,同時(shí)也嚴(yán)重地阻礙了光生電荷向反應(yīng)分子的轉(zhuǎn)移和傳輸,極大限制了半導(dǎo)體催化效能的釋放。因此,在半導(dǎo)體表面構(gòu)筑高效催化活性位點(diǎn)是突破這一限制的有效途徑,而摻雜是構(gòu)筑缺陷常用的策略[9-10],通過離子摻雜在晶體中引入缺陷,一方面能改變半導(dǎo)體材料禁帶寬度,增強(qiáng)催化劑光吸收強(qiáng)度;另一方面缺陷的存在使純的鐵電體半導(dǎo)化,增加其表面催化活性位點(diǎn),增強(qiáng)催化劑效能[11]。La3+具有高的價(jià)態(tài)與較小的離子半徑,摻雜時(shí)可與許多過渡金屬元素氧化物形成固溶體,是一種常見的離子摻雜劑。劉國聰?shù)炔捎肔a摻雜BiVO3使其光催化效果明顯提高[12]。Reddy等利用La摻雜鐵酸鉍,實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明摻雜増強(qiáng)了鐵酸鉍在可見光區(qū)域內(nèi)的光吸收強(qiáng)度,光催化顯著提高[13]。目前文獻(xiàn)報(bào)道的La施主摻雜BaTiO3半導(dǎo)體具有高的自發(fā)極化強(qiáng)度[14-15],但對(duì)其帶隙結(jié)構(gòu)及光學(xué)性能未曾報(bào)道,本文擬對(duì)La摻雜的BaTiO3納米晶光催化性能進(jìn)行研究,以期探究鈣鈦礦施主摻雜機(jī)理及反應(yīng)規(guī)律,得到高效的可見光催化劑。
目前制備BaTiO3粉體的方法通常分為固相燒結(jié)和化學(xué)濕法兩大類。傳統(tǒng)固相燒結(jié)法需要在1 000~1 300℃高溫下反應(yīng)[16],耗能大,制得的粉體粒度分布范圍寬、純度低、摻雜元素不均勻、性能不穩(wěn)定;化學(xué)濕法主要包括溶膠-凝膠法與水熱法等,其中水熱法相對(duì)于其他粉體制備方法,無需高溫煅燒處理,制備的粉體具有晶粒生長完整、粒徑小、分布均勻、顆粒分散等優(yōu)點(diǎn)[17],是目前合成鐵電活性強(qiáng)的四方相BaTiO3粉體的研究焦點(diǎn)。已有的研究表明[18],在水熱條件下,若無外加表面活性劑或結(jié)晶核存在時(shí),則反應(yīng)需要的時(shí)間長、鐵電四方相含量也比較低,且得到的鈦酸鋇晶體顆粒多為粘連的長鏈狀等不規(guī)則多邊形。為了得到尺寸大小均勻且形貌規(guī)整的BaTiO3納米粉體,往往通過外加結(jié)晶模板或表面活性劑抑制這類聚集生長的發(fā)生,防止粉體顆粒的粒徑過大和形狀不規(guī)則。氧化亞銅(Cu2O)由于其制備成本低廉、工藝簡單、性能穩(wěn)定,微納米尺寸的Cu2O晶體通常被廣泛用作化學(xué)模板[19-20],以實(shí)現(xiàn)多種產(chǎn)物尺寸和形貌的精準(zhǔn)合成[21-23]。
基于以上的分析,采用水熱法,以合成的納米Cu2O為模板,調(diào)控La摻雜的BaTiO3納米粉體的尺寸及形貌,再經(jīng)過化學(xué)刻蝕制備空心結(jié)構(gòu)的La摻雜的BaTiO3半導(dǎo)體,并依據(jù)其紫外-可見漫反射光譜與降解硝基苯的光響應(yīng)性來探索其光催化性能及催化機(jī)理。
硫酸銅 (CuSO4·5H2O,AR)、氫氧化鈉(NaOH,AR)、葡萄糖(C6H6O12,AR)、硝酸鑭(La(NO3)3,AR)、無水 氫 氧 化 鋇 (Ba(OH)2,AR)、鈦 酸 丁 酯 (Ti(O-C4H9)4,AR),1-丁醇(C4H9OH,AR)均購自國藥集團(tuán)化學(xué)試劑有限公司,4-硝基苯酚(AR)購自上海永慶染料有限公司,硫代硫酸鈉(Na2S2O3,AR)由天津市大茂化學(xué)試劑廠生產(chǎn)。
Cu2O模板的制備:向 1.0 mL 0.1 mol·L-1的CuSO4·5H2O 溶 液 中加 入 1.0 mL 0.2 mol·L-1的NaOH溶液,超聲一段時(shí)間后,再加入適量葡萄糖,水浴加熱至60℃,反應(yīng)至體系變成橙紅色,用40℃蒸餾水離心洗滌3次,再用無水乙醇洗滌數(shù)次后真空干燥,得到橙紅色Cu2O。
空心La摻雜BaTiO3半導(dǎo)體的制備:按化學(xué)計(jì)量比稱取2 mmol的鈦酸丁酯,溶于10 mL 1-丁醇中,記為溶液 A,再稱取 2 mmol無水 Ba(OH)2溶于30 mL去離子水中配置成水溶液,記為溶液B。將B加入A中攪拌10 min,再依次加入3 mmol的Cu2O及一定量的 La (NO3)3,La (NO3)3的摻雜量依次為Ba(OH)2質(zhì)量的 0、2%、4%、6%,,磁力攪拌 30 min,將制備好的前驅(qū)物加入50 mL帶聚四氟乙烯內(nèi)襯的不銹鋼高壓反應(yīng)釜中,置于160℃烘箱中反應(yīng)12 h,反應(yīng)結(jié)束后冷卻至室溫,過濾,產(chǎn)物經(jīng)去離子水和無水乙醇超聲沖洗,再將產(chǎn)物分散于去離子水中,加入與Cu2O等物質(zhì)的量的Na2S2O3,磁力攪拌48 h,過濾、洗滌、沉淀,再在 0.05 mol·L-1的 Na2S2O3溶液中超聲2 h以除去殘留的Cu2O模板。過濾、洗滌后,再經(jīng)去離子水和無水乙醇超聲沖洗,然后置于60℃的烘箱中烘干。最終得到的樣品,按照La的摻雜量由多到少依次記為BaTiO3、BL-0.02、BL-0.04、BL-0.06。
采用日本理學(xué)D/max-2200PC自動(dòng)X射線衍射儀(XRD)進(jìn)行粉體的相結(jié)構(gòu)分析,Cu Kα輻射,波長λ=0.154 nm,工作電壓為40 kV,工作電流為40 mA,掃描速度為 4°·min-1,步長為 0.020°,掃描范圍2θ=15°~70°); 利用日本電子株式會(huì)社的 JSM-6700型掃描電子顯微鏡(SEM,加速電壓為3 kV)和JEOl-IT100型透射電子顯微鏡(TEM,加速電壓為150 kV)觀察粉體的微觀形貌,采用美國FEI Talos F200X型高分辨透射電鏡(HRTEM,加速電壓為200 kV)測(cè)定樣品的晶格常數(shù);采用日本產(chǎn)PH15000型X射線光電子能譜儀(XPS)研究樣品的光電子譜,Al Kα射線(1 486.6 eV),利用 C1s束縛能(284.8 eV)對(duì)峰位進(jìn)行校準(zhǔn),用XPSPEAK 4.1程序中的Gaussian-Lorentzian對(duì)稱函數(shù)對(duì)O1s窄峰進(jìn)行分析擬合;樣品的透射率和吸收譜是通過日立U-3900H型紫外-可見光譜儀(UV-Vis DRS)測(cè)定,以 BaSO4為參比,測(cè)量范圍為200~1 100 nm,樣品的光學(xué)帶隙寬度通過對(duì)吸收譜數(shù)據(jù)的擬合得到。
以300 W氙燈為模擬太陽光光源,光催化降解4-硝基苯酚溶液 (10 mg·L-1), 測(cè)試空心 La 摻雜的BaTiO3半導(dǎo)體樣品的光催化性能。取100 mL新配制的 4-硝基苯酚 (濃度記為 C0=1.0×10-5mol·L-1)水溶液加入150 mL的石英燒杯中,滴加適量0.1 mol·L-1鹽酸,將溶液pH值調(diào)節(jié)至3.0,光照前黑暗下攪拌30 min以達(dá)到吸附脫附平衡,間隔一定時(shí)間抽取3 mL硝基苯溶液,高速離心分離后取上層溶液,并采用紫外-可見分光光度計(jì)測(cè)定硝基苯溶液的吸光度。 4-硝基苯酚的降解率(Rd)由公式 Rd=(C0-C)/C0×100%計(jì)算,其中C表示降解一定時(shí)間后樣品的上層溶液濃度。
樣品電阻率的測(cè)定:取0.5 g左右樣品粉體裝入壓片模具內(nèi),利用等靜壓法在靜壓為8 MPa左右對(duì)不同La摻雜量的BaTiO3粉體進(jìn)行壓片,用游標(biāo)卡尺測(cè)量樣品的厚度和直徑。采用日本Hioki 3541型電阻儀測(cè)量樣品電阻值(Ω),采集數(shù)據(jù)模式為slow,樣品的電阻率ρv通過公式ρv=RS/d計(jì)算,其中R 為測(cè)量電阻(Ω),S 為壓片的面積(cm2),d 為壓片高度(cm)。
圖 1(a~c)為 Cu2O 的 XRD 圖、TEM 及 HRTEM圖。 從圖 1(a)可知,在 2θ=29.35°、36.460°、42.360°、61.440°和73.620°處出現(xiàn)了5個(gè)主要特征峰,分別對(duì)應(yīng)于 Cu2O 的(110)、(111)、(200)、(220)、(311)晶面,與立方晶系Cu2O標(biāo)準(zhǔn)卡片(PDF No.05-0667)的數(shù)據(jù)一致[21-23]。圖中未出現(xiàn)其它特征衍射峰,說明合成樣品的純度較高。此外,合成樣品的XRD衍射峰峰型尖銳,半峰寬很窄,說明合成的Cu2O具有較高的結(jié)晶度;圖 1(b)表明,Cu2O 呈現(xiàn)規(guī)則的立方體結(jié)構(gòu),大小均勻,邊長大約為250 nm。圖1(c)中0.246 nm的晶面間距對(duì)應(yīng)Cu2O晶格結(jié)構(gòu)中的(111)晶面,這與XRD圖中顯示Cu2O的最強(qiáng)衍射峰對(duì)應(yīng)的(111)晶面相一致。
圖 1 Cu2O 樣品的(a)XRD 圖、(b)TEM 及(c)HRTEM 圖Fig.1 (a)XRD pattern,(b)TEM image and (c)HRTEM image of Cu2O sample
圖2 是Cu2O樣品的XPS譜圖。 由2(a)的 XPS全譜圖可見樣品中含有Cu、O和C元素,其中C元素來源于儀器本身和環(huán)境的干擾;圖2(b)的Cu2p高分辨圖譜中位于932.57和952.35 eV處的2個(gè)峰對(duì)應(yīng)Cu2p3/2和Cu2p1/2特征峰,其半寬高≤1.5 eV,且Cu2p3/2和Cu2p1/2之間沒有伴峰,說明Cu元素只以Cu2O中+1價(jià)的Cu元素形式存在;圖2(c)中僅存在位于532.05 eV處的峰,且沒有肩峰存在,說明樣品中O元素主要來自于晶格氧[22-23],進(jìn)一步表明所合成樣品為純Cu2O,與XRD結(jié)果相吻合。
圖2 Cu2O樣品的XPS圖譜Fig.2 XPS spectra of Cu2O sample
圖3 是Cu2O樣品、La摻雜的BaTiO3樣品XRD圖及BL-0.04樣品的TEM圖。為了對(duì)比模板法合成的La摻雜BaTiO3樣品刻蝕前后Cu2O的含量,首先將Cu2O樣品與La摻雜的BaTiO3樣品的XRD圖進(jìn)行對(duì)比。 對(duì)比圖 3(a~e)可知,b~e 曲線衍射峰中沒有出現(xiàn)a曲線中Cu2O的特征峰,初步說明以Cu2O為模板合成的La摻雜BaTiO3樣品經(jīng)過刻蝕反應(yīng)及特殊處理工藝處理后已沒有可檢測(cè)到的Cu2O存在。反應(yīng)式(1~3)為 Na2S2O3與 Cu2O 之間的反應(yīng)[24]。
同時(shí),圖 3中的 b~e曲線表明,La摻雜的BaTiO3樣品峰型尖銳,說明在一定條件下,樣品結(jié)晶性較好。 2θ在 21.940°、31.240°、38.540°、44.820°、50.480°、55.700°、65.300°處的峰值歸屬于立方晶系BaTiO3(PDF No.34-0129)[16-18,25-26],這是由于 La3+的半徑與Ba2+半徑相近,摻雜時(shí)La3+會(huì)進(jìn)入晶格取代Ba2+而未改變BaTiO3的鈣鈦礦結(jié)構(gòu)。從BL-0.04樣品的TEM圖可以看出(圖 3(b)),樣品呈空心立方結(jié)構(gòu),大小比較均勻,說明La摻雜的BaTiO3半導(dǎo)體納米晶在生長過程中,并未改變模板Cu2O的形狀,呈現(xiàn)原位生長狀態(tài)。
圖4是Cu2O及BL-0.04樣品的SEM圖。從圖4(a)可以看出,Cu2O呈立方體,大小均勻,尺度大約為2 μm 左右。 圖 4(b)中表明,La 摻雜的 BaTiO3的 BL-0.04也呈立方體,大小均勻,尺度大約為5μm左右,說明在水熱反應(yīng)條件下,La摻雜的BaTiO3以Cu2O為模板原位生長,晶粒長大后并未改變模板的形貌,樣品的結(jié)晶性好,與樣品XRD及TEM結(jié)果相一致。
為了進(jìn)一步確定以Cu2O為模板的方法合成的La摻雜空心BaTiO3樣品所含元素成分,對(duì)樣品進(jìn)行了XPS分析。圖5a為純BaTiO3及BL-0.02樣品的 XPS 全譜圖,圖 5(b~d)為 BaTiO3及 BL-0.02 樣品各元素窄掃描XPS譜圖。圖5a表明樣品BaTiO3中含有 Ba、Ti、O 三種元素,BL-0.02 樣品除 Ba、Ti、O三種元素外還含有La元素。圖5b中位于779.59和794.94 eV處的結(jié)合能分別歸屬于Ba2p3/2和Ba2p1/2。圖5c中位于457.92和463.69 eV處的特征峰分別歸屬于Ti2p3/2和Ti2p1/2,體現(xiàn)了Tiビ的特征XPS 峰。 相對(duì)純 BaTiO3,BL-0.02 樣品 Ba、Ti離子的峰位置沒有太大變化,說明摻雜樣品中Ba、Ti離子的化學(xué)環(huán)境未受到La離子摻雜的影響,這與XRD結(jié)果相一致。與純的BaTiO3中的O1s能譜對(duì)比(圖5d),BL-0.02樣品的 O1s峰發(fā)生劈裂,分別位于533.82和527.92 eV處,不同于純BaTiO3的O1s的單峰(530.84 eV),其中結(jié)合能為528 eV附近的峰為晶格氧,而533eV附近的峰為吸附氧,說明BaTiO3具有更多的氧缺陷,這有助于光催化過程中阻止空穴與載流子的復(fù)合,從而增強(qiáng)光催化效率[12,27]。圖5e表明La在835.08及851.88 eV的峰歸屬于La3d5/2和La3d3/2的結(jié)合能,這2處的峰是+3價(jià)La的特征峰,說明La元素以La3+形式存在于晶體中,838.85 eV處能譜峰屬于的La3d5/2的伴峰,說明樣品中存在La-O鍵[27]。但從5a中未見Cu元素的特征峰,進(jìn)一步說明以Cu2O為模板合成的La摻雜的BaTiO3樣品沒有可檢測(cè)到的Cu元素。
圖5 BaTiO3和BL-0.02樣品的XPS圖譜Fig.5 XPSspectra of BaTiO3 and BL-0.02 samples
圖 6是BaTiO3及空心La摻雜的 BL-0.02、BL-0.04、BL-0.06樣品的UV-Vis DRS及可見光照條件下不同空心La摻雜BaTiO3樣品對(duì)4-硝基苯酚的光催化降解曲線。由圖6a可知,隨著La元素的摻入,吸收峰最高峰呈現(xiàn)上翹趨勢(shì),并隨摻雜量增多,樣品吸收邊帶發(fā)生紅移,說明La摻雜有效改變了BaTiO3納米光催化劑的鐵電光伏效應(yīng),拓展了光譜響應(yīng)范圍,提高了光的利用效率。半導(dǎo)體材料的禁帶寬度Eg(eV)是一個(gè)重要特征參數(shù),其大小主要決定于半導(dǎo)體內(nèi)部的能帶結(jié)構(gòu),即與晶體結(jié)構(gòu)和原子的結(jié)合性質(zhì)等有關(guān)。Eg與吸收極限λ0(nm)的換算公式為 Eg=hc/λ0=1 240/λ0,式中 h為普朗克常數(shù)(6.621 76×10-34J·s),光速 c=3×108m·s-1,λ0由吸收邊帶做切線與橫軸的交點(diǎn)來確定。據(jù)此可以計(jì)算出BaTiO3、BL-0.02、BL-0.04、BL-0.06 樣品的 Eg分別為3.10、2.87、2.54、2.60 eV,因此可知,摻雜后光催化劑的帶隙能明顯減小,預(yù)示著所制備的La摻雜的BaTiO3半導(dǎo)體納米光催化劑可以吸收更多的可見光。圖6b是可見光照條件下不同空心La摻雜BaTiO3樣品對(duì)4-硝基苯酚的光催化降解曲線(C0′為暗反應(yīng)結(jié)束后的初始濃度)。從圖可以看出,在300 min的降解時(shí)間內(nèi),隨著時(shí)間的增長,4-硝基苯酚的濃度逐漸降低。樣品 BaTiO3、BL-0.02、BL-0.04、BL-0.06的降解速率分別為 33.1%、76.2%、93.2%、87.6%,可見并不是La摻雜的越多越好,La的摻雜量為4%(BL-0.04)的樣品光催化效果最佳。這是因?yàn)?,摻雜La后引起的BaTiO3晶格缺陷可以成為光催化反應(yīng)過程的活性位點(diǎn),當(dāng)摻雜量少時(shí),摻雜形成的中間能級(jí)能有效促進(jìn)載流子的轉(zhuǎn)移,提高催化劑的光催化活性;當(dāng)摻雜過量時(shí),摻雜形成的電子俘獲阱反而會(huì)成為光生電子-空穴對(duì)的復(fù)合中心,使光生載流子的產(chǎn)率下降,進(jìn)而使其光催化性能降低[12,27-28]。
圖6 (a)樣品的UV-Vis DRS;(b)可見光照條件下4-硝基苯酚的光催化降解曲線Fig.6 (a)UV-Vis DRSof samples;(b)Photocatalytic degradation of 4-nitrophenol under visible light irradiation
催化劑穩(wěn)定性是在催化劑實(shí)際應(yīng)用中是考察其性能的一個(gè)重要指標(biāo),判斷光催化劑穩(wěn)定性通常采用循環(huán)實(shí)驗(yàn)來驗(yàn)證。本實(shí)驗(yàn)運(yùn)用光催化效果最好的BL-0.04的樣品粉體來進(jìn)行循環(huán)實(shí)驗(yàn),每次降解結(jié)束后,對(duì)光催化劑粉末進(jìn)行回收,采用光催化劑連續(xù)降解4組新鮮配制的與初始濃度相同的4-硝基苯酚溶液。圖7為可見光照射下BL-0.04樣品對(duì)4-硝基苯酚進(jìn)行5次循環(huán)光催化的降解曲線,該圖表明BL-0.04樣品光催化降解4-硝基苯酚的效率和速率幾乎沒有減弱。循環(huán)實(shí)驗(yàn)表明BL-0.04樣品是一種在可見光范圍內(nèi)降解4-硝基苯酚的高效、穩(wěn)定的光催化劑。
圖7 BL-0.04樣品降解4-硝基苯酚的循環(huán)實(shí)驗(yàn)Fig.7 Recycling test of BL-0.04 for the degradation for 4-nitrophenol
表1為不同La摻雜量的BaTiO3粉體電阻率的測(cè)試結(jié)果。由表可知,純BaTiO3的電阻率最高,為4.5×109Ω·m,樣品 BL-0.04的電阻率最低,為 1.73×108Ω·m。隨著La含量的增加,BaTiO3粉體電阻率呈下降趨勢(shì),這是因?yàn)閾诫s離子在鈣鈦礦ABO3中既可以取代其A位的離子,也可以取代B位離子。根據(jù)容差因子規(guī)律,A位或B位容差因子越接近1,摻雜后越容易形成固溶體。La摻雜BaTiO3后,由于La3+半徑較小、價(jià)態(tài)較高,且La3+的A位容差因子比B位更接近1,所以一般傾向于取代其A位的Ba2+。摻雜后通過電價(jià)補(bǔ)償來維持晶體的電中性,一方面有可能出現(xiàn)電子補(bǔ)償,即Ti4+轉(zhuǎn)化為Ti3+,但鈦離子吸引這個(gè)電子的能力較弱,極易被激發(fā)為導(dǎo)電電子,減小其電阻率,使BaTiO3半導(dǎo)化;Kishi等研究了La、Mn共摻的BaTiO3陶瓷,也得出同樣的結(jié)論,發(fā)現(xiàn)La作為施主雜質(zhì)降低了晶粒電阻[29-34]。另一方面,有可能出現(xiàn)空位補(bǔ)償,即出現(xiàn)Ba空位,空位補(bǔ)償使得材料的電阻率增加;而隨著摻雜量的不同,有可能出現(xiàn)上述的2種混合缺陷??梢姡梢酝ㄟ^控制A位施主摻雜量來調(diào)控聚集光生電荷數(shù)量,增添反應(yīng)活性位點(diǎn),用于吸附和活化反應(yīng),還可以為催化劑表面和吸附分子之間的電荷轉(zhuǎn)移提供保障[9,33-34]。
表1 不同La摻雜量的BaTiO3粉體的電阻率Table 1 Resistivity of BaTiO3 doped by different amounts of La
半導(dǎo)體光催化劑在光照射下,當(dāng)光能大于或等于BaTiO3的禁帶能隙時(shí),電子從BaTiO3的價(jià)帶被激發(fā)到導(dǎo)帶,產(chǎn)生光生電子(e-)和空穴(h+)(反應(yīng)式(4))。其中h+具有強(qiáng)的氧化性,可以與催化劑表面吸附的H2O和OH-反應(yīng)生成羥基自由基(·OH)(反應(yīng)式(5~6));e-具有強(qiáng)的還原性, 可以與催化劑表面吸附的O2反應(yīng)生成超氧化物自由基陰離子(·O2-)、過氧化氫自由基(·O2H)、H2O2等(反應(yīng)式(7~9)),這些基團(tuán)或分子均具有氧化性或最終可轉(zhuǎn)化為具有強(qiáng)氧化性的·OH,能夠直接降解有機(jī)污染物[12,27-28]。
在此過程中,·OH的生成速率取決于光生電子和空穴的分離速率。因此,光催化氧化主要依賴于電子和空穴的產(chǎn)量,但純BaTiO3禁帶寬度較大(3.10 eV),只對(duì)紫外光敏感,光量子的產(chǎn)量少,所以其對(duì)4-硝基苯酚的降解速率最小。當(dāng)La3+摻雜BaTiO3鐵電體后,La3+取代了部分的Ba2+,由于La3+的半徑(0.115 nm)略小于 Ba2+的半徑(0.135 nm),La3+帶 3 個(gè)單位正電荷,Ba2+帶2個(gè)單位正電荷,摻雜后造成2種可能的BaTiO3晶格缺陷[34-35],一種是3價(jià)的La離子進(jìn)入晶格置換2價(jià)的鋇離子,屬于施主摻雜,另一種是La離子進(jìn)入晶格空隙形成的填隙式缺陷,同時(shí)為維持電荷平衡,通過電價(jià)補(bǔ)償,會(huì)產(chǎn)生電子e-、氧空位、或?qū)?Ti4+降價(jià)為 Ti3+[29-31],其形成的缺陷示意圖如圖8(a)所示,其中LaBa·表示摻雜形成的La3+在Ba2+晶格位置上的置換摻雜形成的缺陷,TiTi′表示 Ti4+轉(zhuǎn)化為 Ti3+形成的缺陷,VO··表示氧空位。 缺陷的存在使得晶體的電導(dǎo)率增加,暴露出大量的配位不飽和位點(diǎn),形成電子俘獲中心,這一現(xiàn)象從O1s的XPS圖譜中也得到證實(shí),即摻雜后的O1s峰出現(xiàn)了劈裂現(xiàn)象,說明摻雜后O元素的化學(xué)環(huán)境發(fā)生了改變;同時(shí)由于La的電負(fù)性(1.1)大于Ba的電負(fù)性,Ba2+被La3+取代后,電場(chǎng)發(fā)生變化,電子密度升高,從而結(jié)合能減小,經(jīng)過量子化學(xué)計(jì)算,得出La施主摻雜后產(chǎn)生新帶隙,電子處于能帶帶隙中[9,28-31,33-36],使禁帶寬度變窄,在空間上為催化劑表面和吸附分子之間的電荷轉(zhuǎn)移提供了保障,拓寬光譜響應(yīng)范圍至可見光區(qū),有效提高了BaTiO3納米晶的可見光催化活性[9,26,18,27-36](圖8b)。然而,隨著La摻雜量進(jìn)一步增大,晶體能帶減小導(dǎo)致光生電子與空穴復(fù)合的速度也進(jìn)一步加快,從而會(huì)減小光量子產(chǎn)量,降低其光催化效率。實(shí)驗(yàn)研究結(jié)果表明,La的摻雜量為4%的樣品(BL-0.04)降解對(duì)硝基苯的光催化效果最佳。
圖8 La3+施主摻雜BaTiO3形成的缺陷及能帶示意圖Fig.8 Schematic illustration of defects and energy band of La3+donor-doped BaTiO3
以Cu2O為模板,采用水熱法制備了La摻雜的BaTiO3鈣鈦礦半導(dǎo)體納米晶,以4-硝基苯酚為模擬污染物,研究了所合成產(chǎn)物的光催化性能。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明:在反應(yīng)溫度為160℃、反應(yīng)時(shí)間為12 h的條件下,經(jīng)過硫代硫酸鈉刻蝕Cu2O模板,可得到空心La摻雜的BaTiO3半導(dǎo)體納米晶,XRD與XPS結(jié)果表明,La的摻雜并未改變樣品的相結(jié)構(gòu);UV-Vis DRS測(cè)試結(jié)果表明,隨著La摻雜量的增多,樣品的禁帶寬度減小,在可見光區(qū)具有強(qiáng)的響應(yīng)性。當(dāng)La摻雜量為4%時(shí),樣品降解4-硝基苯酚的光催化效率最高。光催化性能的增強(qiáng)主要有兩方面的原因,一方面是La離子摻入BaTiO3晶格中產(chǎn)生缺陷,使BaTiO3實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)化,電阻率降低,增加了BaTiO3表面的反應(yīng)活化位點(diǎn),形成電子俘獲中心,提高了電子-空穴對(duì)的產(chǎn)率;另一方面,La摻雜使BaTiO3增加了晶格缺陷,產(chǎn)生新帶隙,在禁帶中引入摻雜能級(jí),使禁帶寬度變窄,拓寬光譜響應(yīng)范圍至可見光區(qū),增大了對(duì)可見光的吸收,進(jìn)而提高了光催化活性。經(jīng)過5次循環(huán)實(shí)驗(yàn)后,該催化劑樣品光催化降解4-硝基苯酚的效率和速率幾乎沒有減弱,表明La施主摻雜的BaTiO3納米晶是一種穩(wěn)定的可見光催化劑。