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基于線性混頻技術(shù)的注入鎖定四分頻器

2019-10-21 09:21王琳吳偉斌
微型電腦應(yīng)用 2019年6期

王琳 吳偉斌

摘 要: 基于TSMC 0.13 μm CMOS工藝,提出并設(shè)計(jì)了一款新穎的注入鎖定四分頻器。傳統(tǒng)的諧波混頻注入鎖定四分頻器限制了鎖定范圍,新方法采用線性混頻技術(shù)、基于交叉耦合振蕩器結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)了一款寬帶鎖定范圍的注入鎖定四分頻器。仿真結(jié)果表明,在1 V的電壓偏置下,分頻器取得了8.2~13 GHz的工作頻率,鎖定范圍為4.8 GHz (45.3%),消耗的功耗為5.2 mW,相位噪聲取得了-135.7 dBc/Hz@1 MHz的良好性能,版圖大小為0.93 mm×0.62 mm。

關(guān)鍵詞: 四分頻; 注入鎖定分頻器; LC諧振器; 線性混頻; 鎖定范圍

中圖分類號: TN432

文獻(xiàn)標(biāo)志碼: A

文章編號:1007-757X(2019)06-0011-03

Abstract: A novel injection-locked 4-frequency divider (IL4FD) was proposed and implemented in the TSMC 0.13 μm CMOS process. The conventional harmonic mixer IL4FD has limited locking range, but the new one shows a wide locking range IL4FD by using linear mixer technique and cross-coupled voltage-controlled oscillator structure. The post-layout simulation results show that, at the voltage bias of 1 V, the locking range is 4.8 GHz (45.3%) from 8.2 to 13 GHz with the power consumption of 5.2 mW. The phase noise of the circuit achieves a good result of -135.7 dBc/Hz@1 MHz, and the size of layout is 0.93 mm×0.62 mm.

Key words: Divided by 4-frequency; Injection-locked frequency divider; LC resonator; Linear mixer; Locking range

0?引言

LC諧振注入鎖定頻率分頻器(LC ILFD)在超高速鎖相環(huán)電路以及其他的頻率信號處理電路中應(yīng)用廣泛,雖然LC ILFD相比較于基于環(huán)形振蕩器結(jié)構(gòu)的ILFD而言,鎖定范圍有限,但是功耗較低。LC ILFD通常作為鎖相環(huán)分頻器模塊的第一級,以在較高工作頻率下取得更低的功耗,注入鎖定四分頻器(IL4FD)屬于ILFD的更高次分頻模塊,由于其在電路物理上與注入鎖定二分頻器(IL2FD)不同,而得到了更多的關(guān)注,單級IL4FD可以取代兩級IL2FD,從而降低頻率對不準(zhǔn)的概率,改善信號的性能。傳統(tǒng)的IL4FD直接采用交叉耦合振蕩器結(jié)構(gòu)[1-3],鎖定范圍不夠大,例如圖1所示即展示了一款傳統(tǒng)的IL4FD電路,在混頻單元M3處存在著輸入輸出的頻率關(guān)系,即:ωRF-3ωo=ωo,ωo為輸出信號頻率,ωRF為注入的射頻信號頻率,3ωo則為由M3的非線性引起的輸出頻率的3次諧波分量,該結(jié)構(gòu)可以通過提高電壓的方式提高三次諧波分量的幅值,進(jìn)而增加鎖定范圍,但是這是以功耗的增加為代價(jià)的。

本文提出了一種采用線性混頻技術(shù)以及電容交叉耦合結(jié)構(gòu)[4-6]的寬鎖定范圍IL4FD。由于采用線性混頻技術(shù)的緣故,IL2FD相比其他高次分頻器模塊而言,具有更大的鎖定范圍,因而,為了實(shí)現(xiàn)較寬的鎖定范圍,IL4FD采用線性混頻技術(shù)應(yīng)該是一個(gè)較好的方法,以往文獻(xiàn)報(bào)道的采用線性混頻技術(shù)的IL4FD通常使用兩個(gè)或兩個(gè)以上的注入MOS晶體管[7-10],而本文所提出的寬帶IL4FD只需要采用一個(gè)注入MOS晶體管,該分頻器取得了8.2~13 GHz的工作頻率,鎖定范圍為4.8 GHz (45.3%),消耗的功耗為5.2 mW。

1?電路設(shè)計(jì)

本文所提出的IL4FD電路圖,如圖2所示。

其中,由晶體管M1和M2組成的電容交叉耦合對用于產(chǎn)生負(fù)電阻,電阻R1和R2為偏置電阻,C1和C2為直流隔直電容,當(dāng)偏置電壓Vbias增大時(shí),功耗增加,電路中主要的諧振器由電感L1、L2、L5以及跨接開關(guān)晶體管對漏極的寄生有源電容2Cp組成,帶有直流柵極偏壓Vinj的晶體管M3為注入晶體管,電感L3和L4與晶體管M3串聯(lián),晶體管M4和M5組成輸出緩沖器,當(dāng)Vinj較低時(shí),晶體管M3關(guān)斷,當(dāng)Vinj較高時(shí),晶體管M3開啟,電路的空載振蕩頻率隨著Vinj的增加而增加,由于電感L3、L4與晶體管M3串聯(lián),因而即使M3處于完全開啟狀態(tài),IL4FD電路仍然能夠振蕩。

用于說明IL4FD電路功能的框圖,如圖3所示。

在空載模式下,晶體管M3漏極-源級之間的頻率為ω0,在注入鎖定狀態(tài)下時(shí),首先分頻器采用輸入信號ωRF與ω0產(chǎn)生輸出信號ωRF±ω0(=3ω0,5ω0),輸出信號又被作為混頻器的輸入信號,最終,混頻器產(chǎn)生輸出信號為ωRF-3ω0=ω0,5ω0-ωRF=ω0,該方法稱為線性混頻技術(shù)。仿真表明電感L3的引入增加了節(jié)點(diǎn)A處的高頻阻抗,電感L1和L3之間的互感系數(shù)K1進(jìn)一步增加了節(jié)點(diǎn)A處的高頻阻抗,進(jìn)而增加了在節(jié)點(diǎn)A處3ω0信號產(chǎn)生的概率,加寬了鎖定范圍。

2?電路仿真以及討論

基于TSMC 0.13 μm CMOS工藝對本文所提出的IL4FD電路進(jìn)行設(shè)計(jì),采用Cadence軟件進(jìn)行仿真,該電路的版圖,如圖4所示。

版圖大小為0.93 mm×0.62 mm,當(dāng)固定VDD=1 V,Vbias=0.6 V時(shí),變化Vinj,對電路進(jìn)行仿真,工作頻率和鎖定范圍隨著Vinj變化的版圖后仿真結(jié)果如圖5所示。

圖5?當(dāng)固定VDD=1 V,Vbias=0.6 V時(shí),變化Vinj時(shí),IL4FD電路的靈敏度仿真結(jié)果隨著Vinj的增加,電路的鎖定范圍逐漸上移,并且在Vinj=6 V時(shí),得到最大的鎖定范圍,此時(shí)取得了8.2~13 GHz的工作頻率,鎖定范圍為4.8 GHz (45.3%),此刻電路所消耗的功耗為5.2 mW。隨著Vinj的增加,電路的空載振蕩頻率增加,鎖定范圍中間值也逐步向著更高的頻率移動(dòng)。該電路的相位噪聲仿真結(jié)果,如圖6所示。

由圖可見,相位噪聲取得了-135.7 dBc/Hz@1 MHz的較優(yōu)性能,電路的整體性能優(yōu)于以往文獻(xiàn)所報(bào)道的結(jié)果[11-13]。

3?總結(jié)

傳統(tǒng)的IL4FD電路大多采用非線性混頻技術(shù),增益較低,鎖定范圍受限,近來線性混頻技術(shù)逐漸應(yīng)用于IL4FD電路中,雖然鎖定范圍可以得到有效的展寬,但是卻采用了兩步混頻技術(shù),而本文只需采用一步混頻技術(shù),即可實(shí)現(xiàn)更寬的鎖定范圍,降低了電路規(guī)模以及功耗?;谒岢龅募夹g(shù),本文設(shè)計(jì)的IL4FD電路采用一個(gè)注入MOS晶體管與兩個(gè)耦合電感串聯(lián),版圖后仿真結(jié)果表明,該電路取得了8.2~13 GHz的工作頻率,鎖定范圍為4.8 GHz (45.3%),電路所消耗的功耗為5.2 mW。

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(收稿日期: 2018.06.08)

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