魏一方,田鑫,沈福良,周柯港
(重慶郵電大學(xué),重慶400065)
兩步式模數(shù)轉(zhuǎn)換器(Two-Step ADC)[1]的整體結(jié)構(gòu)是兩個(gè)子ADC 的串聯(lián)結(jié)構(gòu),假設(shè)兩個(gè)子ADC 的有效位數(shù)分別為N1、N2,則總共需要的比較器為2N1+2N2-2,而相同位數(shù)Flash ADC 需要2N1+2N2-1 個(gè)比較器,相對(duì)而言數(shù)目大為減少。輸入信號(hào)通過底極板采樣電路采樣后保持穩(wěn)定,把信號(hào)傳給第一級(jí)子ADC 進(jìn)行比較,輸出的溫度計(jì)碼通過編碼電路轉(zhuǎn)換成位二進(jìn)制碼,二進(jìn)制碼通過邏輯選擇電路和DAC 電路控制減法電路,確保在保持周期內(nèi)對(duì)穩(wěn)定的保持信號(hào)進(jìn)行減法操作,把減去的信號(hào)輸送到第二級(jí)ADC 進(jìn)行位解碼。需要延時(shí)系統(tǒng)把第一級(jí)子ADC 的結(jié)果保持到第二級(jí)子ADC 的工作時(shí)間。最后通過D-觸發(fā)器延時(shí)第一級(jí)子ADC 的二進(jìn)制碼和第二級(jí)ADC 二級(jí)制碼組合輸出。
圖1
圖2
采樣/保持電路是整個(gè)ADC 最前面的電路,負(fù)責(zé)把模擬信號(hào)采入,由于開關(guān)的電荷注入效應(yīng),單MOS 采樣/保持電路很難達(dá)到較高的性能,所以本文中采用PMOS 和NMOS 并聯(lián)結(jié)構(gòu)。為解決開關(guān)的電荷注入效應(yīng),可以采用底極板采樣技術(shù)。底極板采樣技術(shù)(bottom-plate sampling)指利用開關(guān)的導(dǎo)通時(shí)間,使電荷注入與輸入信號(hào)無關(guān),其中涉及控制開關(guān)開斷則是利用了non-overlap clock 技術(shù)[2]。電路如圖1 所示。
量化電路分為兩個(gè)部分,比較器和轉(zhuǎn)碼器。就比較器而言,多個(gè)比較器可以組成得到溫度計(jì)碼,而由于溫度計(jì)碼不能輸入DAC 做減法,也無法控制減法器的開關(guān),所以需要把溫度計(jì)碼輸入編碼電路中轉(zhuǎn)換為二進(jìn)制碼。編碼電路由組合邏輯電路組成,如圖2 所示。編碼過程中,比較器的輸入電壓和基準(zhǔn)電壓相差比較小時(shí),會(huì)使比較器出現(xiàn)亞穩(wěn)態(tài)狀態(tài)[3],從而產(chǎn)生數(shù)字失真,此問題可以用格雷碼解決。
選擇減法電路包括開關(guān)選擇電路和減法電路。開關(guān)選擇器如圖3 所示,其作用是用邏輯組合電路判斷第一級(jí)子ADC的輸出結(jié)果,不同的精度要選擇不同的減法電路,以4 bit 為例,減法器如圖4 所示,其基準(zhǔn)電壓由一組DAC 確定,分別確定電壓為-0.25V、-0.5V 和-0.75V。
圖3
圖4
把采樣保持電路(S/H)、子模數(shù)轉(zhuǎn)換器(Sub-ADC)、選擇器(Switch)、減法器(Subtraction)模塊化以后其總的電路結(jié)構(gòu)如圖5 所示,延時(shí)器(Delay)由一組D-觸發(fā)器組成。
圖5
在4 bit ADC 的之后加上一個(gè)D-觸發(fā)器可以消除前一級(jí)子ADC 的變化對(duì)后一級(jí)的影響,在輸出連接一個(gè)理想DAC后可以判斷ADC 的SNDR。其輸入輸出波形如圖6 所示。從圖7 可以看出,在輸入頻率是100MHz 時(shí)SNDR 為24.5540dB。接近于理想值。
圖6
圖7
本文在65nm CMOS 工藝基礎(chǔ)上,設(shè)計(jì)了一個(gè)4 bit Two-Step ADC,在100Mhz 的工作頻率下仿真出來的SNDR≈24.5540dB,接近于理想值。在量化過程中運(yùn)用了少量的比較器,并且把兩級(jí)ADC 的工作時(shí)間分開,所以在功耗和精度方面表現(xiàn)優(yōu)異。