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C/SiC 復(fù)合材料波紋點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)進(jìn)氣道 前緣設(shè)計(jì)與制備

2020-02-27 03:44陳彥飛艾士剛何汝杰成夙徐寶升
裝備環(huán)境工程 2020年1期
關(guān)鍵詞:進(jìn)氣道前緣熱流

陳彥飛,艾士剛,何汝杰,成夙,徐寶升

(1.北京理工大學(xué),北京 100081;2. 哈爾濱理工大學(xué),哈爾濱 150080)

為了實(shí)現(xiàn)高超聲速飛行器在大氣中加速飛行,尖銳的前緣結(jié)構(gòu)(如鼻錐、翼前緣、舵前緣以及發(fā)動機(jī)進(jìn)氣道口前緣等部件)有利于保證高升力、低阻力的氣動特性。同時(shí),當(dāng)飛行器快速通過大氣層時(shí),嚴(yán)重的氣動摩擦加熱作用下,尖銳前緣面臨的熱流密度和表面溫度非常高,前緣溫度高達(dá)1500 ℃以上。過高的溫度使得表面材料發(fā)生熱燒蝕、熱分解以及應(yīng)變失配引起的熱損傷效應(yīng),因此,迫切需要探索更先進(jìn)的前緣結(jié)構(gòu)材料以及熱防護(hù)方式。

目前前緣材料主要是高溫難熔合金、碳基復(fù)合材料以及陶瓷基復(fù)合材料(CMC)。難熔合金最高服役溫度為1150 ℃,而碳基復(fù)合材料在高溫環(huán)境下容易氧化。由于具有優(yōu)秀的高比剛度/強(qiáng)度、抗氧化性、抗燒蝕能力以及較高等損傷容限等性能,CMC是未來超高聲速飛行器前緣結(jié)構(gòu)的首選材料。C/SiC復(fù)合材料由于具有穩(wěn)定的高強(qiáng)度C 纖維,又具有高模量和抗氧化性能優(yōu)良的SiC 基體,再加上纖維和基體之間的熱解碳界面層可以保證材料在多重?fù)p傷機(jī)制下表現(xiàn)出良好的韌性破壞,使其成為了最典型的連續(xù)纖維增韌非氧化物陶瓷基復(fù)合材料的代表。C/SiC 復(fù)合材料因其具有高比剛度、比強(qiáng)度,良好的耐高溫、耐腐蝕等特點(diǎn),在航天航空領(lǐng)域具有廣闊的發(fā)展前景,主要應(yīng)用于發(fā)動機(jī)燃燒室、導(dǎo)向葉片、尾噴管和航天發(fā)動機(jī)燃燒室、噴管等熱端部件。

輕質(zhì)是航天工程中永恒的追求。針對C/SiC 復(fù)合材料輕量化設(shè)計(jì),筆者課題組前期開展了一系列的研究工作。陳彥飛等[1-4]研究了C/SiC 點(diǎn)陣在超高溫下四棱錐點(diǎn)陣芯子的壓縮、三點(diǎn)彎曲力學(xué)性能和失效機(jī)理,并且提出結(jié)構(gòu)效率概念用于評價(jià)點(diǎn)陣熱防護(hù)系統(tǒng)熱-力耦合綜合性能。何汝杰等[5]設(shè)計(jì)了在C/SiC 點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)芯子內(nèi)部和底面粘接隔熱材料的熱防護(hù)系統(tǒng),并開展了風(fēng)洞實(shí)驗(yàn)。韋凱等[6-7]通過數(shù)值有限元仿真方法研究了C/SiC 點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)隔熱性能和傳熱機(jī)制。

文中針對發(fā)動機(jī)進(jìn)氣道前緣,創(chuàng)新發(fā)展了C/SiC波紋點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)熱防護(hù)系統(tǒng)。通過數(shù)值仿真方法研究進(jìn)氣道前緣的傳熱特性,并對前緣尖端半徑進(jìn)行優(yōu)化。最后根據(jù)優(yōu)化結(jié)果,制備出C/SiC 復(fù)合材料波紋點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)進(jìn)氣道前緣,為新一代航天飛行器的主動熱防護(hù)結(jié)構(gòu)研制提供新途徑。

1 C/SiC 復(fù)合材料波紋點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)進(jìn)氣道前緣設(shè)計(jì)

經(jīng)典前緣結(jié)構(gòu)主要是高溫合金或者陶瓷基復(fù)合材料楔形結(jié)構(gòu)。金屬前緣結(jié)構(gòu)通過彎曲成形,然而在熱測試過程中,薄壁上由于過熱容易形成缺口,而陶瓷基復(fù)合材料制備的實(shí)心楔形結(jié)構(gòu)質(zhì)量過大。由于C/SiC 復(fù)合材料點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)具有輕質(zhì)、高比強(qiáng)度、高比剛度以及更高的服役溫度等特點(diǎn)[8-12],文中在熱管型金屬前緣蒙皮前緣結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上,將熱管設(shè)計(jì)為波紋點(diǎn)陣夾芯面板,從而得到了如圖1 所示的波紋點(diǎn)陣進(jìn)氣道前緣結(jié)構(gòu),是在波紋結(jié)構(gòu)的基礎(chǔ)上進(jìn)行切割得到的。C/SiC 復(fù)合材料波紋點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)進(jìn)氣道前緣的幾何參數(shù)為:L=138.3 mm,H=74.1 mm,W=57.5 mm,α=30 ℃,β=60 ℃,θ=45 ℃,a=17.2 mm,b=18.4 mm,c=8.0 mm,d=10.7 mm,e=4.5 mm,t1=1.0 mm,t2=2.0 mm,t3= 1.0 mm h=14.0 mm。面板厚度和寬度分別為2.0 mm 和57.5 mm,芯子桿厚度和寬度分別為1.0 mm 和4.5 mm。該點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)進(jìn)氣道前緣相對密度約為0.357,點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)相對于實(shí)體或者波紋結(jié)構(gòu)具有更輕的質(zhì)量,約為0.13 kg。

圖1 C/SiC 復(fù)合材料點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)進(jìn)氣道前緣Fig.1 C/SiC composite inlet leading edge with lattice structure: a) the three-dimension view; b) the front view; c) partial side view

2 數(shù)值仿真分析

2.1 有限元模型

進(jìn)氣道前緣的傳熱方式及邊界條件如圖2 所示。傳熱方式包括固體導(dǎo)熱、表面熱輻射以及空腔輻射三種方式。表面侵入熱流一部分通過表面熱輻射傳熱方式輻射熱流,剩下熱流由外面板一部分通過固體導(dǎo)熱方式經(jīng)過點(diǎn)陣芯子到達(dá)內(nèi)面板,另一部分在內(nèi)外面板以及芯子構(gòu)成的開放式空間發(fā)生空腔輻射到達(dá)內(nèi)面板。依據(jù)德國航空中心H2K 超聲速風(fēng)洞試驗(yàn)室試驗(yàn)的數(shù)據(jù)進(jìn)行反演得到進(jìn)氣道前緣的熱流密度分布加載表面熱流邊界[13],如圖3 所示。熱流密度分布與位置有關(guān),越靠近進(jìn)氣道前緣尖端位置,熱流密度越大,遠(yuǎn)離進(jìn)氣道尖端,熱流密度驟降。C/SiC 復(fù)合材料表面發(fā)射率為0.8 W/m2,密度為2.0 g/cm3,比熱容為1420.0 J/(kg·℃),熱導(dǎo)率見表2[6-7],與溫度相關(guān)。傳熱過程采用DC3D8 單元。傳熱分析方法采用瞬態(tài)熱分析,計(jì)算時(shí)間為100 s。在進(jìn)行傳熱分析之前,首先進(jìn)行網(wǎng)格收斂性和無關(guān)性研究,以保證網(wǎng)格敏感性和計(jì)算精度,當(dāng)單元大小為1.0 時(shí),計(jì)算精度達(dá)到要求。

圖2 進(jìn)氣道前緣傳熱方式及邊界條件Fig.2 Heat transfer mode and boundary conditions of the inlet leading edge

圖3 進(jìn)氣道前緣熱流密度分布Fig.3 Heat flux distribution of the inlet leading edge

表2 C/SiC 復(fù)合材料熱導(dǎo)率Tab.2 Thermal conductivity of C/SiC composite

2.2 理論模型

固體導(dǎo)熱過程可以用如下三維瞬態(tài)傳熱方程:

式中:T 為溫度;sρ 、c、Ks分別為C/SiC 復(fù)合材料密度、比熱容以及導(dǎo)熱系數(shù);τ 為時(shí)間;x、y、z 是卡西坐標(biāo)。對于空腔熱輻射和表面熱輻射,表面i 的熱流密度可以用式(2)計(jì)算得到:

式中:上標(biāo)i 和j 代表不同表面;iε 、jε 和iT 、Tj分別為表面i 和j 的發(fā)射率和溫度。σ 為斯忒藩-玻耳茲曼常數(shù)、zT 是絕對溫度、Fik和Ckj分別為視角因數(shù)矩陣和反射矩陣。

對于對流傳熱方式,熱平衡方程表示為:

式中:T 為積分點(diǎn)的溫度; Tδ 為任意溫度變分;ρ 為流場密度;c 為流場比熱容;k 為流體熱導(dǎo)率;q 為單位體積外部熱流增量;qs為通過單位體積表面的熱流;n 為表面外法向量;x 為空間位置;τ 為時(shí)間。

2.3 傳熱分析結(jié)果

前緣尖端半徑為0.5 mm 的進(jìn)氣道前緣的溫度場分布如圖4 所示。靠近前緣尖端位置的溫度較高,遠(yuǎn)離尖端處,溫度快速下降。最高溫度出現(xiàn)在尖端處,為1807 ℃,而C/SiC 復(fù)合材料的極限溫度為1600 ℃。為了進(jìn)一步降低C/SiC 復(fù)合材料波紋點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)進(jìn)氣道前緣的最高溫度,設(shè)計(jì)了不同的進(jìn)氣道前緣尖端半徑,分別是R=0.5、1.0、1.5、2.0、2.5 mm。原理是通過保持進(jìn)氣道前緣尖端位置的熱流不變,增大尖端半徑。方法是在不同半徑進(jìn)氣道前緣尖端保持和R=0.5 mm 的前緣尖端半徑一樣的面積,然后求得不同半徑下面積的夾角,在夾角區(qū)域內(nèi)施加和R=0.5 mm進(jìn)氣道前緣一樣的熱流密度,如圖5 所示。

分別計(jì)算了R=0.5、1.0、1.5、2.0、2.5 mm 五種不同尺度下C/SiC 復(fù)合材料波紋點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)進(jìn)氣道前緣的溫度響應(yīng),五種不同尺度下的溫度場分布如圖6所示。進(jìn)氣道前緣溫度分布極度不均勻,溫度沿板面 梯度分布。

圖4 進(jìn)氣道前緣溫度場分布(R=0.5 mm)Fig.4 Temperature field distribution on the inlet leading edge (R=0.5 mm)

圖5 不同尖端半徑進(jìn)氣道前緣的設(shè)計(jì)流程Fig.5 Design flow chart of the inlet leading edge with different tip radii

圖6 不同進(jìn)氣道前緣尖端半徑下的溫度場分布Fig.6 Temperature field distribution on the inlet leading edge with different tip radii

進(jìn)氣道前緣最大溫度隨尖端半徑的變化曲線如圖7 所示??梢钥闯?,隨著尖端半徑的增大,進(jìn)氣道前緣最高溫度明顯降低。進(jìn)氣道尖端半徑<0.5 mm時(shí),最高溫度大于1800 ℃,超過C/SiC 復(fù)合材料極限溫度;進(jìn)氣道尖端半徑>1.0 mm 時(shí),最高溫度為1520 ℃,低于C/SiC 復(fù)合材料極限溫度,因此認(rèn)為R>1.0 mm 是較為合適的進(jìn)氣道尖端半徑選擇;進(jìn)氣道尖端半徑>2.0 mm 時(shí),增大半徑對降低進(jìn)氣道前緣最高溫度沒有明顯的作用。

圖7 進(jìn)氣道前緣最大溫度隨尖端半徑的變化曲線Fig.7 Curve of the maximum temperature of inlet leading edge versus tip radius

進(jìn)氣道前緣面板溫度隨距離的變化曲線如圖8所示。進(jìn)氣道前緣尖端半徑變化對進(jìn)氣道整體的溫度場分布影響不大,主要區(qū)別在于進(jìn)氣道前緣尖端處溫度不一樣。越靠近進(jìn)氣道前緣尖端處,溫度場溫度梯度分布越明顯。在距離進(jìn)氣道尖端60 mm 后,溫度梯度較小,溫度場分布比較均勻。

圖8 進(jìn)氣道前緣面板溫度隨距離的變化曲線Fig.8 Curve of the temperature versus distance for the inlet leading edge

進(jìn)氣道最高溫度隨時(shí)間的變化曲線如圖9 所示??梢钥闯?,不同進(jìn)氣道前緣尖端半徑下最高溫度達(dá)到穩(wěn)態(tài)的時(shí)間不一樣。R=0.5 mm 時(shí),進(jìn)氣道前緣達(dá)到穩(wěn)態(tài)的時(shí)間約為30 s 左右,這與德國航空中心H2K風(fēng)洞試驗(yàn)時(shí)間(20~30 s)基本一致。隨著前緣尖端半徑的增大,最高溫度達(dá)到穩(wěn)態(tài)時(shí)間增加,R=1.0 mm時(shí),達(dá)到穩(wěn)態(tài)時(shí)間約為60 s。

圖9 進(jìn)氣道最高溫度隨時(shí)間的變化曲線Fig.9 Curves of the maximum temperature of inlet versus time

3 C/SiC 復(fù)合材料波紋點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)進(jìn)氣道前緣制備工藝

由上述數(shù)值分析可知,當(dāng)進(jìn)氣道前緣半徑大于2.0 mm 時(shí),增大半徑對降低進(jìn)氣道前緣最高溫度沒有明顯作用。在表1 幾何參數(shù)基礎(chǔ)上,采用前驅(qū)體浸漬裂解工藝(Polymer Impregnation Pyrolysis,PIP)[3-4],制備前緣尖端半徑為2.0 mm 的C/SiC 復(fù)合材料點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)進(jìn)氣道前緣。制備前需使用碳纖維預(yù)浸料進(jìn)行預(yù)成形。首先將一定數(shù)量的預(yù)浸料(厚1.5 mm)疊在一起,之后使用水刀切割成設(shè)計(jì)好的芯子和面板的形狀。根據(jù)芯子折成不同角度后的長度計(jì)算面板尺寸。最后按照設(shè)計(jì)好的厚度將6 層碳纖維預(yù)浸料疊成芯子,8 層碳纖維預(yù)浸料疊成面板,放于重物下壓實(shí),保證各層預(yù)浸料之間不會出現(xiàn)分層現(xiàn)象。具體過程如下:1)按照設(shè)計(jì)好的形狀切割碳纖維預(yù)浸料;2)將一定層數(shù)的碳纖維預(yù)浸料堆疊、壓緊(芯子部分6 層、面板部分8 層);3)將疊好的碳纖維預(yù)浸料裝入模具中(先芯子、再上面板、最后下面板);4)將模具整體放入烘箱中,120 ℃固化1 h,冷卻后取出模具;5)按照PCS(聚碳硅烷)︰DVB(二乙烯基苯)= 2︰1(質(zhì)量百分比)的比例配置浸漬液;6)將固化后的樣品放入浸漬液中,60 ℃下真空浸漬5 h 后,取出晾干;7)將晾干后的樣品放入烘箱中,180 ℃固化1 h,然后將樣品放入真空燒結(jié)爐中,氬氣氣氛下1200 ℃裂解30 min;8)浸漬固化條件不變,裂解溫度改為1600 ℃,浸漬裂解2 周期得到樣品。重復(fù)步驟6)、7)共6 周期,制備完成的樣件如圖10所示。

圖10 C/SiC 波紋點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)進(jìn)氣道前緣樣件Fig.10 Sample of C/SiC inlet leading edge with corrugated lattice structure

4 結(jié)論

文中采用數(shù)值模擬方法對進(jìn)氣道前緣進(jìn)行輕量化設(shè)計(jì)研究,得到如下結(jié)論:

1)進(jìn)氣道前緣最高溫度隨著尖端半徑的增大明顯降低,當(dāng)半徑大于2.0 mm 時(shí),增大半徑對降低進(jìn)氣道前緣最高溫度沒有明顯的作用。

2)不同進(jìn)氣道前緣尖端半徑下最高溫度達(dá)到穩(wěn)態(tài)的時(shí)間不一樣,隨著前緣尖端半徑增大,最高溫度達(dá)到穩(wěn)態(tài)時(shí)間增加。尖端半徑為1.0 mm 時(shí)達(dá)到穩(wěn)態(tài)時(shí)間約為60 s。

3)采用PIP 工藝成功制備出了C/SiC 復(fù)合材料波紋點(diǎn)陣結(jié)構(gòu)進(jìn)氣道前緣。

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