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(BiO)2 CO3 納米線真空熱解產(chǎn)物表征及光電性能研究①

2020-03-25 01:47:12伏彩萍艾治文崔葵馨常興華金勝明
礦冶工程 2020年1期
關(guān)鍵詞:電流強(qiáng)度光電流禁帶

伏彩萍,呂 淼,艾治文,崔葵馨,常興華,金勝明

(1.湖南柿竹園有色金屬有限責(zé)任公司,湖南 郴州423037;2.中南大學(xué) 資源加工與生物工程學(xué)院,湖南 長沙410083;3.礦物材料及其應(yīng)用湖南省重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,湖南 長沙410083)

次碳酸鉍具有綠色無毒、原料低廉、穩(wěn)定性強(qiáng)等特點(diǎn),被廣泛應(yīng)用于光催化[1]、生物傳感器[2]、醫(yī)療[3]和化妝品[4]等領(lǐng)域。(BiO)2CO3是典型的Sillén 相結(jié)構(gòu),由(BiO)22+層與CO32-層依次排列構(gòu)成,兩層之間形成內(nèi)電場,有利于層與層之間電子和空穴的傳導(dǎo)。

但次碳酸鉍較寬的禁帶寬度(~3.5 eV)限制了其對太陽光的吸收(<4%)。尋求形貌調(diào)控[5]、元素?fù)诫s[6]和半導(dǎo)體復(fù)合[7]等方法,以降低帶隙、提高光催化活性是目前科研者的主要研究方向[8]。因此,深入了解次碳酸鉍的相關(guān)性質(zhì),對于擴(kuò)大其應(yīng)用范圍具有重要意義。本文以水熱法合成的(BiO)2CO3納米線為原料,研究其在不同真空熱解溫度下所得產(chǎn)物的性能,對深入了解次碳酸鉍的性質(zhì)具有指導(dǎo)意義。

1 實(shí) 驗(yàn)

1.1 原材料和設(shè)備

所需試劑為Bi2O3、氯化鈉、碳酸鈉、鹽酸和無水乙醇,所有試劑均為分析純,使用前均無純化。實(shí)驗(yàn)用水為去離子水。

1.2 (BiO)2CO3 納米線真空熱解產(chǎn)物的制備

1.2.1 (BiO)2CO3納米線樣品制備

采用水熱法,主要以工業(yè)品Bi2O3粉體為原料制備了(BiO)2CO3納米線。合成步驟:在100 mL 聚四氟乙烯內(nèi)襯的水熱反應(yīng)釜中,分別加入2.33 g NaCl、0.212 g Na2CO3和0.932 g Bi2O3,加入70 mL 去離子水,采用1 mol/L 的HCl 溶液調(diào)節(jié)溶液pH 值至3.0,攪拌加熱至160 ℃保溫6 h,反應(yīng)結(jié)束后自然冷卻到室溫,產(chǎn)物過濾,并用去離子水洗滌3 遍,放置于80 ℃干燥箱中干燥12 h,獲得(BiO)2CO3納米線。

1.2.2 真空氣氛熱處理(BiO)2CO3納米線

取400 mg 制備好的(BiO)2CO3納米線,在真空熱處理系統(tǒng)中,不同溫度下處理24 h,樣品分別標(biāo)記為BOC-200-V,BOC-250-V,BOC-270-V 和BOC-300-V,標(biāo)記中的數(shù)字表示處理溫度。

2 實(shí)驗(yàn)結(jié)果與討論

2.1 熱解產(chǎn)物的晶體結(jié)構(gòu)

水熱法合成的(BiO)2CO3納米線樣品的XRD 圖譜與(BiO)2CO3標(biāo)準(zhǔn)PDF 卡片(JCPDS №:41-1488)對比見圖1。 樣品的XRD 衍射峰與四方晶系(BiO)2CO3標(biāo)準(zhǔn)PDF 卡片衍射峰基本一致,合成的(BiO)2CO3納米線衍射峰窄并且尖銳,表明合成的樣品具有較高的結(jié)晶度。與標(biāo)準(zhǔn)PDF 卡片相比,合成的(BiO)2CO3納米線的(002)、(004)以及(006)晶面衍射峰峰強(qiáng)較弱并且出現(xiàn)一定的寬化,表明其在c 軸方向尺寸較小,(110)晶面對應(yīng)的衍射峰相對強(qiáng)度明顯高于標(biāo)準(zhǔn)卡片相對強(qiáng)度,表明合成的納米線樣品沿{110}晶面優(yōu)勢生長。

圖1 (BiO)2CO3 納米線樣品XRD 圖

圖2 為合成的(BiO)2CO3納米線在真空條件下不同溫度下熱處理24 h 后的X 射線衍射圖與標(biāo)準(zhǔn)PDF卡片圖。由圖可以看到,對原始(BiO)2CO3納米線在真空條件下進(jìn)行熱處理,(BiO)2CO3物相的衍射峰并未消失,與此同時(shí)出現(xiàn)了Bi2O3-x的X 射線衍射峰和不同晶相的Bi2O3。值得注意的是,不同溫度條件下生成的Bi2O3-x衍射峰并不相同,次碳酸鉍在200 ℃下分解形成六方Bi2O3(h-Bi2O3PDF#51-1161),隨著溫度上升,產(chǎn)生脫氧和轉(zhuǎn)相,形成四方Bi2O3(t-Bi2O3PDF#29-0236),同時(shí)發(fā)生脫氧反應(yīng)形成非整比氧化鉍Bi2O2.7和Bi2O2.3,300 ℃真空熱處理24 h 后Bi2O2.3和t-Bi2O3物相衍射峰相對強(qiáng)度逐漸增強(qiáng),說明隨著溫度升高,脫氧反應(yīng)程度加快。

圖2 真空條件下不同溫度熱解產(chǎn)物XRD 譜線圖

2.2 熱解產(chǎn)物的微觀形貌

圖3 為原始(BiO)2CO3納米線以及真空條件下不同熱處理溫度下保溫24 h 后樣品的掃描電子顯微鏡圖。

圖3 原始(BiO)2CO3 納米線及真空條件不同溫度熱解產(chǎn)物SEM 形貌圖

由圖3 可以看出,原始樣品中形貌基本為彎曲狀納米線,長度大致較均勻,彎曲主要是因?yàn)槠溟L徑比大、直徑小,長度可以達(dá)到十幾微米以上;處理溫度為200 ℃時(shí),形貌并沒有明顯被破壞;當(dāng)溫度達(dá)到或超過270 ℃時(shí),納米線出現(xiàn)輕微的斷裂,納米線長度變短。

2.3 熱解產(chǎn)物的光吸收性能

圖4 是原始(BiO)2CO3納米線和真空條件下不同溫度熱解產(chǎn)物的紫外可見漫反射光譜。從圖4 可以看出,納米線以及真空熱處理后的樣品在300 ~400 nm有很強(qiáng)的光學(xué)吸收,可以發(fā)現(xiàn)200 ℃及300 ℃熱處理后,在430 nm 處有一個(gè)明顯的吸收峰,這主要是由于生成的Bi2O3-x吸收所引起的。對于半導(dǎo)體材料,可以采用Kubelka-Munk 方程計(jì)算其禁帶寬度:

式中α 為吸收系數(shù);h 為普朗克常數(shù);υ 為光頻率;A 為比例常數(shù);Eg為禁帶寬度;n 為1/2、3/2、2 和3 時(shí)分別代表直接容許躍遷、直接禁戒躍遷、直接容許躍遷和間接禁戒躍遷。取n =2,將對hυ 進(jìn)行作圖,并對斜率絕對值最大的點(diǎn)做相應(yīng)切線,得到圖5。

圖4 UV-vis 紫外漫反射光譜圖

圖5 禁帶寬度與曲線圖

表1 為通過Kubelka-Munk 方程計(jì)算出的不同溫度對應(yīng)的禁帶寬度??梢苑治龀?,真空條件下處理溫度270 ℃的樣品光學(xué)吸收明顯優(yōu)于其他處理溫度,利用的光能也較多,表明270 ℃生成的Bi2O3-x促進(jìn)光吸收。在實(shí)驗(yàn)溫度范圍內(nèi),各樣品禁帶寬度變化在0.3 eV左右。

表1 真空條件不同溫度對應(yīng)的禁帶寬度

2.4 熱解產(chǎn)物的瞬態(tài)光電流響應(yīng)性能測試

瞬態(tài)光電流測試是表征半導(dǎo)體內(nèi)光生電子-空穴對分離效率的重要手段之一,可以有效表征半導(dǎo)體對光的吸收能力和轉(zhuǎn)化能力。圖6 為各樣品瞬態(tài)光電流曲線圖。

圖6 瞬態(tài)光電流曲線圖

如圖6(a)所示,隨著循環(huán)次數(shù)增加,原始(BiO)2CO3納米線光電流強(qiáng)度會逐漸增加直至穩(wěn)定,它在白光(光源電流均為700 mA)下產(chǎn)生的光電流密度最大,可達(dá)到40 μA/cm2;在紅光(625 nm)和綠光(530 nm)的照射下其光電流強(qiáng)度最小,僅7 μA/cm2;而在紫外光(365 nm)和藍(lán)光(470 nm)的照射下,其強(qiáng)度基本一致,達(dá)到14 μA/cm2;從圖中分析可以發(fā)現(xiàn),次碳酸鉍納米線在0.1 mol/L 硫酸鈉/硫化鈉體系中對白光的吸收效果最明顯。紅光和綠光的瞬態(tài)光電流強(qiáng)度較低是因?yàn)槠淙肷涔獾牟ㄩL較長,在這個(gè)波長范圍內(nèi)沒有明顯的光學(xué)吸收,而紫外光和藍(lán)光以及白光下的瞬態(tài)光電流較大,主要原因如下:①根據(jù)紫外可見光漫反射光譜,次碳酸鉍納米線在波長小于400 nm 區(qū)域有較明顯的光學(xué)吸收;②在硫酸鈉/硫化鈉體系中,次碳酸鉍納米線表面結(jié)晶性差的物質(zhì)易分解并在表面形成了Bi2S3,其Bi2S3窄帶隙的特性促進(jìn)了次碳酸鉍納米線進(jìn)一步吸收波長大于400 nm 的光[9],這促使了隨著循環(huán)次數(shù)增加,光電流會緩慢增加直至穩(wěn)定;③硫酸鈉和硫化鈉作為空穴犧牲劑,在半導(dǎo)體被光激發(fā)產(chǎn)生光生電子-空穴對將空穴進(jìn)行犧牲,減少了其復(fù)合率,提高了光電流強(qiáng)度[10]。

由圖6(b)可以發(fā)現(xiàn),當(dāng)處理溫度200 ℃時(shí)光電流強(qiáng)度基本與未處理樣品持平,隨著熱處理溫度提高,穩(wěn)定時(shí)瞬態(tài)電流強(qiáng)度逐漸降低,測試時(shí)間1 080 s 時(shí),電流從18 μA/cm2減小至10 μA/cm2,主要是因?yàn)殡S著熱處理溫度提高,(BiO)2CO3納米線熱分解為Bi2O3-x,根據(jù)紫外-可見光漫反射光譜,其200 ℃產(chǎn)生Bi2O3-x對光的吸收有一定的減弱,但其存在的氧空穴可以捕獲光生電子從而促進(jìn)光生電子對的分離進(jìn)而提高瞬態(tài)光電流。 而溫度達(dá)到 270 ℃以上時(shí),(BiO)2CO3納米線出現(xiàn)斷裂,納米線變短會導(dǎo)致光生電子對的復(fù)合,另一方面結(jié)構(gòu)的破壞也減弱光生電子空穴對的產(chǎn)生,同時(shí)(BiO)2CO3減少也降低了光生電子空穴對產(chǎn)率,因此光電流強(qiáng)度逐漸減弱。

綜上所述,在紫外光照射下,200 ℃處理樣品的瞬態(tài)光電流與原始(BiO)2CO3持平,而隨著熱處理溫度提高,樣品的瞬態(tài)光電流強(qiáng)度逐漸降低。

3 結(jié) 論

1)(BiO)2CO3納米線真空熱解后產(chǎn)生晶格失氧生成Bi2O3-x,溫度達(dá)到或超過270 ℃時(shí),(BiO)2CO3納米線有一定的斷裂現(xiàn)象。

2)熱處理后樣品禁帶寬度有一定減小,熱處理溫度270 ℃時(shí)的禁帶寬度最小。

3)隨熱處理溫度提高,樣品的瞬態(tài)光電流強(qiáng)度減小。

4)Bi2O2.7和Bi2O2.3兩種非整比鉍化合物的形成可能是導(dǎo)致次碳酸鉍纖維光電流強(qiáng)度降低的主要原因。

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