本報訊?韓國KAIST研究團(tuán)隊(duì)提出一項(xiàng)能夠突破Micro?LED顯示器分辨率限制的技術(shù)。新技術(shù)有望用來生產(chǎn)高分辨率小顯示器，用于VR/AR等裝置。

1月6日，KAIST宣布由電子工程系Kim?Sang-hyun教授帶領(lǐng)的研究小組研發(fā)了采用半導(dǎo)體制造技術(shù)生產(chǎn)每英寸超過63500像素的技術(shù)。

Micro?LED顯示器使用微米尺寸的無機(jī)發(fā)光二極管作為像素點(diǎn)。鑒于此，紅綠藍(lán)（RGB）像素必須緊密排列，但能生產(chǎn)RGB三種顏色的LED材料各不相同，因此，每顆LED必須轉(zhuǎn)錄到顯示基板上。

然而，在此過程中會產(chǎn)生很多技術(shù)難題，如LED轉(zhuǎn)移頭的尺寸限制、機(jī)械精度及良率降低等問題，因此，很難將此技術(shù)應(yīng)用到超高分辨率的顯示器上。

目前，KAIST研究團(tuán)隊(duì)已經(jīng)開發(fā)出一種生產(chǎn)高分辨率Micro?LED顯示器設(shè)備的新方法。據(jù)悉，他們將紅綠藍(lán)LED有源層堆疊在3D空間之后再使用半導(dǎo)體圖案化工藝。為解決在垂直堆疊RGB?LED過程中產(chǎn)生的顏色干擾以及每個微小像素的效率等問題，該團(tuán)隊(duì)在結(jié)合面上放置具有濾光片特性的絕緣膜，將紅色和藍(lán)色干擾光線消除了97%。最后，研究團(tuán)隊(duì)成功實(shí)現(xiàn)每英寸超過6萬像素的高分辨率，提高了微發(fā)光二極管的效率。（文編）