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聚吡咯/膨脹石墨復(fù)合材料的電磁屏蔽性能研究

2020-06-02 01:35何麟李侃社梁云錚白孟遙王茹董婉秋西安科技大學(xué)化學(xué)與化工學(xué)院陜西西安710054
化工管理 2020年8期
關(guān)鍵詞:吡咯屏蔽損耗

何麟 李侃社 梁云錚 白孟遙 王茹 董婉秋(西安科技大學(xué)化學(xué)與化工學(xué)院,陜西 西安 710054)

目前,碳納米管、膨脹石墨、石墨烯和碳纖維等導(dǎo)電碳材料因其電導(dǎo)性能優(yōu)異、少量的摻雜比即可在聚合物基體中形成導(dǎo)電通路的特點(diǎn),分別被作為導(dǎo)電填料的研究有很多,研究的內(nèi)容也有很大的區(qū)別[1]。

膨脹石墨和聚吡咯分別作為導(dǎo)電填料和聚合物的研究有很多,卻沒有研究?jī)烧邚?fù)合之后材料的電磁屏蔽性能。本研究采用膨脹石墨為原料,利用原位插層聚合法制備聚吡咯∕膨脹石墨二元復(fù)合材料的同時(shí)對(duì)膨脹石墨進(jìn)一步分離。通過傅立葉紅外光譜、掃描電鏡、熱重分析及電磁屏蔽效能分析對(duì)二元復(fù)合材料的形貌結(jié)構(gòu)、熱穩(wěn)定性和電磁屏蔽性能進(jìn)行研究。

1 實(shí)驗(yàn)部分

1.1 實(shí)驗(yàn)原料

FTIR-650 傅立葉變換紅外光譜儀;TGA∕DSC1 熱重分析儀;SU8010場(chǎng)發(fā)射掃描電子電鏡;安捷倫PNA-N5244A型矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀。

吡咯(Py)、過硫酸銨(APS)、可膨脹石墨、聚乙烯吡咯烷酮(PVP)、無水乙醇(C2H6O)、抗氧化劑(C18H15O3P)、鹽酸(HCl);實(shí)驗(yàn)用水為二次去離子水。

1.2 聚吡咯/膨脹石墨/聚氯乙烯復(fù)合材料的制備

1.2.1 膨脹石墨的制備

稱取1 g可膨脹石墨,放入耐高溫的容器中,采用微波爐全功率工作40 s,對(duì)可膨脹石墨進(jìn)行微波剝離,觀察實(shí)驗(yàn)所得膨脹石墨的蠕蟲樣品是否完全剝離[2]。

1.2.2 聚吡咯∕膨脹石墨復(fù)合材料的制備

稱取0.05g 的膨脹石墨與聚乙烯吡咯烷酮混合放至70 mL的去離子水中,超聲1 h得到均勻的膨脹石墨分散液,加入1 mL吡咯和30 mL 1 mol∕L鹽酸溶液,在冰水浴條件下強(qiáng)力攪拌2 h,使得吡咯單體均勻的分散在膨脹石墨分散液里。將2.28 g過硫酸銨溶解到50 mL去離子水中,緩慢滴加到混合溶液中,使混合溶液在0~5 ℃冰水浴條件下攪拌反應(yīng)24 h,得到黑色產(chǎn)物,經(jīng)抽濾后用無水乙醇和去離子水分別洗滌三次,以消除多余的引發(fā)劑和表面活性劑以及沒有反應(yīng)的吡咯,最后在真空干燥箱中將產(chǎn)物干燥[3]。

1.3 聚吡咯/膨脹石墨/聚氯乙烯復(fù)合材料的性能測(cè)試與表征

1.3.1 傅立葉變換紅外光譜

使用KBr 壓片法,在4000~400cm-1掃描范圍內(nèi)對(duì)膨脹石墨和聚吡咯∕膨脹石墨(PPy∕EG)復(fù)合材料的表面結(jié)構(gòu)進(jìn)行測(cè)定。

1.3.2 熱重分析

在氮?dú)夥諊?,溫度?0℃升高到500℃,對(duì)膨脹石墨、聚吡咯和聚吡咯∕膨脹石墨(PPy∕EG)復(fù)合材料的成分進(jìn)行測(cè)定。

1,3.3 掃描電鏡譜圖分析

在放大倍數(shù)為5000~30000 倍下,觀察聚吡咯和聚吡咯∕膨脹石墨復(fù)合材料的形貌特征。

1.3.4 電磁屏蔽效能分析

利用矢量分析儀(PNA-N5244A)測(cè)定環(huán)狀聚吡咯和聚吡咯∕膨脹石墨復(fù)合材料的S 散射參數(shù),測(cè)試方法為同軸法,測(cè)試頻率范圍為2~18 GHz,通過S參數(shù)來計(jì)算電磁屏蔽效能。

2 結(jié)果與討論

2.1 材料的表征

采用FTIR分析聚吡咯∕膨脹石墨復(fù)合材料中是否存在聚吡咯,圖1 聚吡咯∕膨脹石墨復(fù)合材料的FTIR 圖譜。位于1631 cm-1和1122 cm-1處的吸收峰屬于膨脹石墨C-OH的彎曲振動(dòng)吸收峰和C-O 鍵的伸縮振動(dòng)峰,位于792 和912 cm-1處的吸收峰代表了C-C 和C-H 鍵的平面外變形振動(dòng),位于966 cm-1~1045 cm-1處的吸收峰表示了C-H 和N-H 鍵在吡咯環(huán)內(nèi)的變形振動(dòng)[4],位于1554 cm-1和1193 cm-1處的吸收峰分別是C-C 和C-N在吡咯環(huán)上的伸縮振動(dòng)引起的,通過FTIR 分析得出聚吡咯∕膨脹石墨復(fù)合材料中有聚吡咯存在。

圖1 聚吡咯/膨脹石墨復(fù)合材料的FTIR圖譜

圖2 膨脹石墨、聚吡咯和聚吡咯/膨脹石墨復(fù)合材料在氮?dú)夥諊械臒嶂胤治鰣D

為進(jìn)一步證明加入膨脹石墨對(duì)聚吡咯熱穩(wěn)定性能的改善,圖2是膨脹石墨、聚吡咯和聚吡咯∕膨脹石墨復(fù)合材料在氮?dú)夥諊械臒嶂胤治鰣D。從圖2中可以看出膨脹石墨具有極好的熱穩(wěn)定性,在30~500℃之間僅出現(xiàn)輕微的失重,失重量占總失重量的4.93%。PPy和聚吡咯∕膨脹石墨復(fù)合材料的熱分解主要由兩個(gè)階段組成:PPy 第1 階段熱解在30~154℃,失重率為11.9%;聚吡咯∕膨脹石墨復(fù)合材料第1 階段熱解在30~148℃,失重率為10.1%,這一階段失重是因?yàn)椴牧袭?dāng)中存在自由水和少量吡咯單體引起的。PPy第2階段熱解在154℃以后,失重率為22.53%;復(fù)合材料第2 階段熱解在148℃以后,失重率為21.07%,總體失重率減少了5.15%,這個(gè)階段的失重主要是因?yàn)榫圻量╂湸罅糠纸鈱?dǎo)致的,與膨脹石墨復(fù)合之后材料的失重率明顯減少,其原因是聚吡咯與膨脹石墨之間化學(xué)鍵的結(jié)合和相互作用產(chǎn)生的影響。由此可見,膨脹石墨的加入提高了復(fù)合材料的熱穩(wěn)定性。

圖3是聚吡咯∕膨脹石墨復(fù)合材料的微觀形貌照片。由圖3可以看到聚吡咯呈球形顆粒,膨脹石墨的加入并沒有改變PPy的形貌特征。膨脹石墨呈片層結(jié)構(gòu),且具有較大面積薄紗狀的組織形貌,樣品的邊緣有較多的蜷曲和褶皺,說明膨脹石墨具有較大的比表面積,這些翹起的邊緣可以為PPy分子的復(fù)合提供通道[5]。并且膨脹石墨被吡咯單體在聚合過程當(dāng)中完全撐開,均勻的分散在聚吡咯周圍,形成網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)且未出現(xiàn)團(tuán)聚現(xiàn)象。因此通過SEM 我們可以得出聚吡咯和膨脹石墨已經(jīng)完全均勻復(fù)合。

圖3 聚吡咯/膨脹石墨復(fù)合材料的SEM照片F(xiàn)ig.3 SEM image of polypyrrole/expanded graphite

圖4 聚吡咯和聚吡咯/膨脹石墨樣品在2~18GHz的電磁屏蔽效能,(a)總屏蔽效能(b)反射損耗(c)吸收損耗

圖5 聚吡咯/膨脹石墨在不同頻率點(diǎn)處反射和吸收損耗

2.2 聚吡咯/膨脹石墨復(fù)合材料的電磁屏蔽性能分析

圖4為聚吡咯和聚吡咯∕膨脹石墨樣品在2~18GHz的電磁屏蔽效能??梢钥闯觯兙圻量悠返钠帘涡転?4.9~17.5dB,聚吡咯∕膨脹石墨的屏蔽效能為20.3~25.7dB,添加膨脹石墨之后屏蔽效能提高了約41.6%,說明聚吡咯∕石墨烯樣品的電磁屏蔽效能優(yōu)于單一的聚吡咯材料,且屏蔽效能大于20dB,滿足商業(yè)應(yīng)用需求。

兩種樣品的反射損耗隨頻率的增大而減小,對(duì)應(yīng)的吸收損耗隨著頻率的增大而增大,兩者疊加之后,總屏蔽效能隨著頻率的增加呈上升趨勢(shì),說明反射損耗的減少并不能影響總屏蔽效能的增大,吸收損耗占主導(dǎo)因素,因此兩種樣品都是以吸收電磁波為主。

根據(jù)Schelkunoff 電磁理論,當(dāng)材料厚度和電導(dǎo)率一定時(shí),總的電磁損耗主要與SER和SEA有關(guān)[6,7]。為更充分說明PPy∕EG為吸波型電磁屏蔽材料,將其在不同頻率下的反射損耗(SER)和吸收損耗(SEA)做了對(duì)比,如圖5所示。從圖中可以看到,吸收損耗(SEA)在頻率為2、6、10、14、18GHz 時(shí),分別占總屏蔽效能的64.3%、71.7%、79.2%、83.8%、86.5%。基于以上分析,可以得出,聚吡咯∕膨脹石墨復(fù)合材料是以吸收電磁波為主的電磁屏蔽材料,且屏蔽性能隨頻率的增大而增大。

3 結(jié)語

(1)利用插層聚合法制備出熱穩(wěn)定性良好的聚吡咯∕膨脹石墨復(fù)合材料,膨脹石墨的片層被聚吡咯完全撐開且分布均勻,形成連續(xù)的網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)。

(2)PPy∕EG 為吸波型電磁屏蔽材料,EG 添加量為 5.12wt%時(shí),屏蔽效能在2~18GHz范圍內(nèi)由20.3dB增至25.7dB,較純聚吡咯材料提高了41.6%,且滿足商業(yè)應(yīng)用的要求。

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