李二科
(深圳市華星光電有限公司,廣東 深圳518107)
液晶顯示器(Liquid Crystal Display)是目前顯示器中主流應(yīng)用的品種之一。在液晶顯示器中,通過(guò)在液晶與透明電極之間制作一層取向膜,來(lái)控制液晶分子取向。液晶分子在配向膜表面排列性能直接影響液晶顯示器的顯示性能,如對(duì)比度、視角、響應(yīng)時(shí)間、閾值電壓等,影響液晶分子的光學(xué)和驅(qū)動(dòng)特性。顯示器中的液晶分子的配向技術(shù)至關(guān)重要,配向材料的性質(zhì)和結(jié)構(gòu),液晶分子和配向膜界面的相互作用,配向材料表面處理的方法等一系列比較復(fù)雜的問(wèn)題都會(huì)影響液晶分子的配向。液晶分子的配向方法有多種,目前的配向技術(shù)有摩擦配向法、光配向法兩大類。隨著液晶技術(shù)的發(fā)展,液晶取向技術(shù)發(fā)生了革新,光控取向技術(shù)很快引起了人們的關(guān)注,與摩擦配向技術(shù)相比,光控配向技術(shù)有著明顯的優(yōu)勢(shì):配向過(guò)程不會(huì)引入雜質(zhì)造成污染,不會(huì)產(chǎn)生靜電,從而提升良品率,可進(jìn)行微區(qū)多疇取向,可用于曲面或柔性基底上等等。在一些應(yīng)用上,傳統(tǒng)的摩擦取向技術(shù)也只能望塵莫及[1-3]。
液晶光控配向技術(shù)是一種通過(guò)偏振光照射來(lái)實(shí)現(xiàn)液晶取向的非接觸式方法,不同于摩擦配向法,它具有無(wú)污染、無(wú)靜電、易實(shí)現(xiàn)微區(qū)多疇取向等優(yōu)點(diǎn)。當(dāng)然光控配向法也有其缺點(diǎn),比如配向的穩(wěn)定性低,錨定能力低。液晶分子的光控配向在實(shí)際生產(chǎn)中也存在一些需要解決的問(wèn)題,本文對(duì)光控配向制程中存在的問(wèn)題進(jìn)行研究和改善。
本文所述畫(huà)面抖動(dòng)不良,宏觀表現(xiàn)為低灰階可見(jiàn)部分區(qū)域畫(huà)面抖動(dòng),畫(huà)面顯示不均勻,在光學(xué)顯微鏡下確認(rèn)現(xiàn)象, 低灰階畫(huà)面不良區(qū)域相鄰像素呈亮暗程度不均,而正常區(qū)域的相鄰像素亮暗程度相同,如圖1所示。
圖1 顯微鏡下不良現(xiàn)象Fig.1 Abnormal phenomena under a microscope
為了明確不良發(fā)生的原因,首先需要確認(rèn)不良發(fā)生的位置,通過(guò)顯微鏡觀察異常區(qū)域相鄰像素有明暗交錯(cuò)規(guī)律,通過(guò)盒厚量測(cè)儀進(jìn)行量測(cè)預(yù)傾角, 通過(guò)對(duì)比正常區(qū)采樣像素預(yù)傾角和不良區(qū)域采樣像素,發(fā)現(xiàn)異常區(qū)域相鄰像素間預(yù)傾角差異明顯大于正常區(qū)域,如圖2所示。
圖2 預(yù)傾角量測(cè)圖示。(a)對(duì)正常區(qū)域采樣40個(gè)像素點(diǎn)量測(cè)預(yù)傾角;(b)對(duì)不良區(qū)域采樣40個(gè)像素點(diǎn)量測(cè)預(yù)傾角。Fig.2 Pretilt angle measurement. (a) Pretilt angle of 40 sample pixels for normal area; (b) Pretilt angle of 40 sample pixels for bad area.
考虎到光配向制程中,TFT器件的特性不良會(huì)誘發(fā)預(yù)傾角不良的現(xiàn)象,通過(guò)面板電性量測(cè)機(jī)確認(rèn)正常區(qū)與異常區(qū)的TFT器件特性,由圖3可知,正常區(qū)和異常區(qū)的伏安特性曲線吻合度高,柵極電壓開(kāi)啟后,飽和區(qū)電流正常區(qū)和異常區(qū)并無(wú)差異,不良與TFT器件特性無(wú)關(guān)。
圖3 晶體管伏安特性量測(cè)圖示Fig.3 Volt-ampere characteristic measurement of TFT
排除TFT器件特性影響后,針對(duì)預(yù)傾角的差異進(jìn)行進(jìn)一步分析,在液晶顯示器件中,液晶分子與配向膜表面呈某一角度,為防止電場(chǎng)作用時(shí)液晶分子間發(fā)生傾斜疇向錯(cuò),提高液晶顯示器的成品率和顯示效果的均勻性,應(yīng)使液晶分子長(zhǎng)軸方向與配向?qū)又g產(chǎn)生一定的夾角,這一夾角稱之為液晶分子的預(yù)傾角。液晶分子的預(yù)傾角的角度選擇是否合適,將影響液晶分子均一配向的效果,從而影響顯示效果的均勻性及液晶分子的電光特性。
進(jìn)一步分析液晶分子的預(yù)傾角對(duì)其電光特性的影響,發(fā)現(xiàn)顯示器中的液晶分子在疇與疇之間的取向并不相同,只有在配向膜的表面經(jīng)過(guò)特殊表面處理后,液晶盒內(nèi)的液晶分子才會(huì)形成統(tǒng)一的取向,或者有了取向一致的疇。配向膜表面處理作用是使液晶分子在其表面有一定的預(yù)傾角度。預(yù)傾角可以防止施加電場(chǎng)的作用下液晶分子朝不同方向發(fā)生偏轉(zhuǎn),我們稱之為液晶分子的反傾疇。合適的預(yù)傾角可以控制液晶盒中液晶分子的反傾疇出現(xiàn)。
液晶分子的反傾疇會(huì)降低液晶顯示器的對(duì)比度,換言之,如果液晶分子沒(méi)有合適的預(yù)傾角,則液晶分子在配向膜表面排列不規(guī)則。如圖4所示,當(dāng)液晶分子的預(yù)傾角為2°時(shí),液晶分子在施加電壓時(shí),所有的液晶分子朝一定方向排列,顯示器正常顯示。而當(dāng)液晶分子的預(yù)傾角為0°時(shí),在施加電壓時(shí),由于液晶分子在配向膜表面排列不規(guī)則,造成液晶分子的偏轉(zhuǎn)方向不同,從而影響液晶分子折射率,顯示器顯示的圖案中就會(huì)出現(xiàn)斑紋、暗紋及抖動(dòng)等不良。在液晶顯示器的制造過(guò)程中,為了獲得合適的可視度和液晶分子的電光特性,要求液晶分子在配向膜表面具有確定的非零值預(yù)傾角。如果液晶分子相鄰像素間的預(yù)傾角差異過(guò)大,就會(huì)引起液晶分子在施加電壓下的排列差異,在低灰階畫(huà)面,微觀上像素的亮度不一致,人眼捕捉到亮暗差異,宏觀上呈現(xiàn)局部畫(huà)面抖動(dòng)現(xiàn)象。
圖4 不同預(yù)傾角液晶分子在電場(chǎng)下的排列Fig.4 Arrangement of LC molecules with different pretilt angles in electric field
為了進(jìn)一步確認(rèn)預(yù)傾角異常的原因,首先從光配向原理進(jìn)行分析,光配向制程是在施加電場(chǎng)作用下,通過(guò)在線性偏振紫外光照射,光敏聚合物層的化學(xué)鍵發(fā)生光異構(gòu)、光裂解或光二聚反應(yīng),產(chǎn)生表面各向異性,從而得到取向方向[4-6]。一般光配向制程中電場(chǎng)強(qiáng)度影響液晶分子取向均一性,如果施加在液晶分子上的電場(chǎng)強(qiáng)度異常,液晶分子在電場(chǎng)中將發(fā)生異常扭轉(zhuǎn),從而使液晶分子的排列發(fā)生變化,從而造成對(duì)應(yīng)位置像素預(yù)傾角不良。
針對(duì)電場(chǎng)強(qiáng)度分析光配向異常理論,根據(jù)E=U/D,一般光配向局部不良主要分為3種類型,局部空間異常(影響盒厚),TFT器件失效(影響局部電壓),基板靜電異常(影響局部電壓)。
局部空間異常類主要有以下3種,(1)基板清洗不干凈,造成異物在玻璃表面;(2)PI涂布不均勻,造成部分區(qū)域PI缺失,以致于液晶分子無(wú)法配向。(3)固定點(diǎn)頂針異常造成。本文中不良位置不固定且解析中未發(fā)現(xiàn)異物和PI缺失,故可排除以上3種;TFT器件失效異常,根據(jù)圖2的量測(cè)結(jié)果可知,TFT器件伏安特性曲線正常,故可排除;基板靜電類型與本文中不良成因符合度高,基板在TFT制作和傳輸過(guò)程中,不斷地被摩擦、吸附、移動(dòng)、加壓、加熱、分離、冷卻等而不斷產(chǎn)生靜電。因?yàn)轱@示器的基板大部分是絕緣材料玻璃,靜電散逸的速度十分緩慢,因而基板背面容易積聚大量的靜電荷。如圖5所示,基板背面存在靜電荷時(shí),在光配向過(guò)程中會(huì)施加一個(gè)靜電場(chǎng)影響液晶分子電場(chǎng),造成光配向不良。
圖5 基板靜電影響光配向圖示Fig.5 Photo alignment of static electricity effect on substrate
工業(yè)生產(chǎn)中靜電一般分為兩種,一種是接觸的兩件物體分開(kāi)(剝離)時(shí)產(chǎn)生的靜電,被稱為剝離帶電;另一種是兩件物體相互摩擦產(chǎn)生靜電,被稱之為摩擦帶電。對(duì)于TFT-LCD本身復(fù)雜的工藝制程,能夠快速定位不良發(fā)生的工藝設(shè)備和工藝環(huán)節(jié)是十分重要的,經(jīng)過(guò)對(duì)大量工藝數(shù)據(jù)進(jìn)行統(tǒng)計(jì)學(xué)分析,根據(jù)不良發(fā)生率,定位不良發(fā)生單元,認(rèn)為該靜電集中發(fā)生在PI制程,從表1可以看到PI#1、PI#2的不良發(fā)生率是0%,PI#3的不良發(fā)生率是0.38%,所以認(rèn)為PI#3在生產(chǎn)中發(fā)生了靜電不良。
PI制程主要包括前清洗、印刷、固化3個(gè)步驟,針對(duì)生產(chǎn)中靜電不良產(chǎn)生的原因,在印刷和固化制程中主要存在剝離帶電,原因?yàn)闄C(jī)臺(tái)中存在頂針托著基板升降、玻璃與頂針接觸、分離過(guò)程中都容易產(chǎn)生剝離帶電。由于頂針位置固定,而本文中不良位置不固定,故可排除此影響[7-8]。
表1 機(jī)臺(tái)不良發(fā)生率Tab.1 Ratio of abnormalities by equiment
PI前清洗制程主要由刷洗和水洗組成,其作用是對(duì)需要印刷的基板進(jìn)行事先清洗,以保證在印刷時(shí)的良好效果和高的良品率。在刷洗(Roll Brush wash)制程中利用刷子與玻璃基板之間的摩擦作用去除污垢(如圖6所示),會(huì)產(chǎn)生摩擦起電,玻璃與毛刷摩擦而導(dǎo)致玻璃表面帶電荷。水洗制程為超高壓微細(xì)顆粒噴淋清洗(Super high pressure micro jet,HPMJ),其原理是將一種高壓氣體與一種液態(tài)流體混合后,再通過(guò)一種特殊的噴嘴-超音速噴嘴,使高壓氣體與清洗液形成的液滴噴射到玻璃基板上,從而達(dá)到清洗的效果。由于是高壓輸送,液體和管道壁面摩擦后也會(huì)產(chǎn)生靜電。
圖6 PI前清洗圖示Fig.6 Diagram of cleaning before PI
因?yàn)轱@示器的基板大部分是絕緣材料玻璃,靜電散逸的速度十分緩慢,基板背面容易造成大量靜電荷的積聚。由于玻璃基板與設(shè)備接觸位置的移動(dòng)、吸附和分離,玻璃基板會(huì)受到重力的影響,在接觸位置會(huì)產(chǎn)生一定的形變,導(dǎo)致靜電荷在基板上并不是均勻分布的,在玻璃基板相對(duì)突起的位置,靜電荷會(huì)聚集在局部點(diǎn)位,造成局部靜電勢(shì)偏高[9-11]。
一般的靜電防護(hù)和改善,主要通過(guò)接地、增加濕度和靜電除電器(Ionizer)進(jìn)行傳導(dǎo)或者中和電荷。針對(duì)本文中玻璃絕緣體的去除靜電方法,由于玻璃基板是絕緣體無(wú)法接地將電荷傳導(dǎo),因此需要使用導(dǎo)電性高的物質(zhì)(導(dǎo)電化)使玻璃上的電荷傳導(dǎo)走,實(shí)現(xiàn)靜電的消除。
本文通過(guò)加大HPMJ中二氧化碳流量去除玻璃基板的靜電。CO2氣體十分容易被水溶解,CO2溶于純水產(chǎn)生氫離子和碳酸氫根離子導(dǎo)電離子,增加水中離子濃度,可以降低水阻值,加強(qiáng)水的導(dǎo)電性,在清洗玻璃基板時(shí),玻璃基板的靜電荷通過(guò)水中的離子進(jìn)行電荷轉(zhuǎn)移,在后段制程中CO2會(huì)被氣化,沒(méi)有任何殘留影響。
CO2在純水中溶解,反應(yīng)式如下:
H2O + CO2? H2CO3,
(1)
H2CO3? H++ HCO3-,
(2)
HCO3-? H++ CO32-.
(3)
本文針對(duì)HPMJ中CO2流量進(jìn)行增大驗(yàn)證,分別逐級(jí)加大CO2的流量,并監(jiān)控水阻值,驗(yàn)證其對(duì)靜電的影響效果。
表2 加大CO2流量驗(yàn)證實(shí)驗(yàn)Tab.2 Experiment of increasing CO2 flow verification
由表2可知,隨著CO2流量的增加,水阻值呈線性下降,產(chǎn)品發(fā)生畫(huà)面抖動(dòng)不良的概率亦隨著下降,當(dāng)CO2流量為3 L/min時(shí),水阻值為0.12 MΩ·cm,此時(shí)不良發(fā)生的概率為0%,通過(guò)增大CO2流量,降低水阻值,可完全去除玻璃基板的靜電。平行展開(kāi)至PI其他機(jī)臺(tái)確認(rèn),發(fā)現(xiàn)由于機(jī)臺(tái)設(shè)備差異和靜電發(fā)生隨機(jī)性的原因,相同的CO2流量,水阻值并不完全相同,為了完全去除玻璃基板靜電,避免后制程發(fā)生畫(huà)面抖動(dòng)不良,對(duì)CO2流量和水阻值分別進(jìn)行監(jiān)控,確保CO2流量大于3 L/min,水阻值小于0.12 MΩ·cm,并平行展開(kāi)至其他機(jī)臺(tái),導(dǎo)入此改善條件后,后續(xù)未再發(fā)生畫(huà)面抖動(dòng)不良。
靜電是TFT 行業(yè)甚至半導(dǎo)體行業(yè)中容易引起產(chǎn)品失效發(fā)生的第二誘因,僅次于異物,其發(fā)生工序眾多,發(fā)生原因不盡相同。本文主要針對(duì)PI前清洗工藝過(guò)程中靜電發(fā)生與改善情況進(jìn)行探究。通過(guò)一系列實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn),在PI的清洗制程中加大HPMJ中CO2流量,可以有效降低水阻值,從而將玻璃基板的靜電通過(guò)離子進(jìn)行電荷轉(zhuǎn)移,避免靜電影響光配向時(shí)液晶分子的電場(chǎng)強(qiáng)度,提高光配向的穩(wěn)定性,避免光配向不良的發(fā)生,對(duì)TFT-LCD的產(chǎn)品的靜電預(yù)防及改善具有重要的指導(dǎo)意義。