耐電暈試驗用高速脈沖電源的分析與設(shè)計
2017-07-15 14:16李真賀慧勇黃昱周鵬毅
智能計算機(jī)與應(yīng)用 2017年3期
李真 賀慧勇 黃昱 周鵬毅
摘要：漆包線耐電暈試驗用脈沖電源對電壓變化率要求高，現(xiàn)有普通電源難以滿足要求。提出一種漆包線耐電暈試驗用高速脈沖電源設(shè)計。建模分析各元件參數(shù)和電路主要參數(shù)；選用耐高壓的絕緣柵雙極型晶體管（inslllated gate bipolar transistor，IGBT）以提高H橋輸出電壓；利用柵極電阻的阻值調(diào)節(jié)脈沖的上升/下降時間。仿真和實驗表明，所設(shè)計的高速脈沖電源的電壓變化率（dn/dt）為30 kV/us，即輸出電壓峰峰值3 kv的情況下，電壓上升時間和下降時間為100 ns。
關(guān)鍵詞：耐電暈；高速脈沖；30 kV/us；IGBT
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