黃建娣 彭羅平 肖治理
(景旺電子科技(龍川)有限公司,廣東 河源 517362)
要使印制電路板(PCB)傳輸信號(hào)保持完整,并得到可靠、精確的傳輸,對(duì)PCB工藝流程上所使用的材料及其設(shè)計(jì)搭配非常嚴(yán)格。撓性印制板(FPC)的特性阻抗受材料及設(shè)計(jì)搭配復(fù)雜許多因素影響,如線(xiàn)寬、覆蓋膜厚度、PI(聚酰亞胺)厚度、不同電磁膜、不同參考層等一種或多種材料和設(shè)計(jì)搭配等,阻抗難以精確管控。現(xiàn)通過(guò)試驗(yàn)不同參考層相同線(xiàn)寬、參考層相同不同線(xiàn)寬、同等規(guī)格不同供應(yīng)商基材、不同基材PI厚度,以及不同品牌型號(hào)屏蔽膜、不同覆蓋膜膠厚等因素對(duì)阻抗的影響,為FPC高精度阻抗設(shè)計(jì)提供最佳建議方案。
設(shè)備:安捷倫阻抗測(cè)試儀、二次元、金相顯微鏡1000倍。
材料:撓性覆銅板(銅箔:12 μm、雙面無(wú)膠ED銅,聚酰亞胺(PI)厚度:12.5 μm/20 μm/25 μm)、電磁膜(型號(hào)A/B/C/D)、覆蓋膜(黃色PI:12 μm,粘合劑:15 μm/20 μm/25 μm)。
開(kāi)料→鉆孔→鍍銅→圖形→覆蓋膜→沉金→電磁膜/鋼片(各工序正常參數(shù),圖形蝕刻量為20 μm)
(1)參考層實(shí)銅相同,不同線(xiàn)寬的影響;(2)參考層的網(wǎng)格相同,不同線(xiàn)寬的影響;(3)參考層網(wǎng)格,線(xiàn)寬相同,不同膠厚覆蓋膜的影響;(4)參考層網(wǎng)格,線(xiàn)寬相同,不同型號(hào)電磁膜影響;(5)參考層網(wǎng)格,線(xiàn)寬相同,不同供應(yīng)商基材特性影響;(6)參考層網(wǎng)格,線(xiàn)寬相同,不同基材PI介質(zhì)層影響;(7)參考層網(wǎng)格,線(xiàn)寬相同,阻抗線(xiàn)面不同背膠方式鋼片影響;(8)線(xiàn)寬相同,不同參考層影響。測(cè)試項(xiàng)目設(shè)計(jì)方案見(jiàn)表1所示。
參考層實(shí)銅,不同線(xiàn)寬阻抗試驗(yàn)結(jié)果如圖1所示。參考層為實(shí)銅設(shè)計(jì)時(shí),線(xiàn)寬對(duì)阻抗的影響約1 μm線(xiàn)寬=0.7Ω阻抗變化值。貼膜后阻抗比貼膜前平均約小10Ω,且線(xiàn)寬越大差值越小。沉金后沉金前約小3.4Ω,且線(xiàn)寬越大,沉金對(duì)阻抗的影響越小,貼電磁膜后比貼電磁膜前平均約小18.9Ω,且線(xiàn)寬越大,電磁膜的影響越小。貼電磁膜后與蝕刻后的光板阻抗平均約小33Ω,且線(xiàn)寬越大,阻抗差值越小(見(jiàn)圖1所示)。
表1 測(cè)試項(xiàng)目設(shè)計(jì)方案
參考層0.1 mm×0.3 mm網(wǎng)格,不同線(xiàn)寬阻抗的試驗(yàn)結(jié)果如圖2所示。參考層層為網(wǎng)格時(shí),線(xiàn)寬對(duì)阻抗的影響約為1 μm線(xiàn)寬=1Ω阻抗變化值。對(duì)比得知,貼膜后阻抗比貼膜前平均約小19Ω,且線(xiàn)寬越大差值越小。沉金后比沉金前約小3.5Ω,且線(xiàn)寬越大,沉金對(duì)阻抗的影響越小。貼電磁膜后比貼電磁膜前平均約小24Ω,且線(xiàn)寬越大,電磁膜的影響越小。貼EMI(電磁膜)后的半成品與蝕刻后的光板阻抗平均約小47Ω,且線(xiàn)寬越大,阻抗差值越小。
圖1 參考層實(shí)銅,不同線(xiàn)寬阻抗Ω數(shù)據(jù)趨勢(shì)圖
圖2 參考層網(wǎng)格,不同線(xiàn)寬阻抗數(shù)據(jù)趨勢(shì)圖
參考層網(wǎng)格,線(xiàn)寬相同,不同膠厚覆蓋膜的試驗(yàn)結(jié)果如圖3所示。在參考層網(wǎng)格設(shè)計(jì)時(shí),不同厚度的覆蓋膜搭配相同的電磁膜,隨著覆蓋膜膠厚的增加阻抗值會(huì)越來(lái)越大,差異值為5 μm≈3Ω,覆蓋膜膠厚度與阻抗成正比。
參考層網(wǎng)格,線(xiàn)寬相同,不同型號(hào)電磁膜的試驗(yàn)結(jié)果如圖4所示。不同型號(hào)電磁膜對(duì)阻抗影響不同,其中C≈D≤A≤B。
圖3 參考層網(wǎng)格,不同覆蓋膜膠厚度阻抗趨勢(shì)圖
圖4 參考層網(wǎng)格,不同電磁膜型號(hào)阻抗趨勢(shì)
參考層網(wǎng)格,線(xiàn)寬相同,不同供應(yīng)商基材特性測(cè)試結(jié)果如圖5所示。對(duì)比同等規(guī)格供應(yīng)商基材阻抗數(shù)據(jù),蝕刻后不同供應(yīng)商阻抗H≥E≥G≈I≈F。從數(shù)據(jù)上分析不同材料供應(yīng)商之間,銅箔厚度12 μm雙面無(wú)膠ED銅 基材不同供應(yīng)商,各家略有差異,差異3~5Ω。目前我們使用的常規(guī)無(wú)膠主要是TPI材料,TPI材料介電常數(shù)一般≤4,實(shí)際上是在3.1~3.3,同等規(guī)格普通PI系,影響在3~5Ω。
參考層0.1 mm×0.3 mm網(wǎng)格,線(xiàn)寬相同,不同基材PI厚度測(cè)試如圖6所示。不同基材PI厚度阻抗數(shù)據(jù)對(duì)比25 μm≥20 μm≥12.5 μm從數(shù)據(jù)分析得出,基材PI介質(zhì)層厚度是影響阻抗重要因素,增加介質(zhì)層厚度可以提高阻抗,阻抗與材料介質(zhì)層厚度成正比,PI越厚阻抗越大(見(jiàn)圖6所示)。
參考層0.1 mm×0.3 mm網(wǎng)格,不同鋼片背膠方式測(cè)試結(jié)果如圖7所示。從數(shù)據(jù)可以看出導(dǎo)電膠鋼片對(duì)阻抗的影響大于非導(dǎo)電膠鋼片,當(dāng)阻抗線(xiàn)面貼鋼片,非導(dǎo)電膠阻抗比導(dǎo)電膠阻抗大,參考層網(wǎng)格0.1 mm×0.3 mm時(shí),1 μm約影響約1Ω。
測(cè)試不同參考層,相同線(xiàn)寬設(shè)計(jì),參考層對(duì)阻抗及阻抗線(xiàn)背面貼EMI的影響,如圖8所示。
阻抗與參考層越大,阻抗越大,參考層阻抗關(guān)系:實(shí)銅≤0.2 mm×0.2 mm≤0.1 mm×0.3 mm≤0.1 mm×0.6 mm≤0.1 mm×0.9 mm。
相同銅箔,不同基材PI厚度匹配不同覆蓋膜膠厚,快壓后與固化后阻抗變化測(cè)試,如表2所列。在同等厚度銅箔下,不同厚度覆蓋膜下降的阻抗值無(wú)差異。兩種基材貼覆蓋膜后與固化后阻抗無(wú)太大變化。
圖5 雙面無(wú)膠ED不同供應(yīng)商基材阻抗變化趨勢(shì)圖
圖6 基材銅厚相同不同PI厚度阻抗變化趨勢(shì)圖
圖7 0.1 mm×0.3 mm網(wǎng)格不同鋼片背膠方式
圖8 相同線(xiàn)寬,不同參考層阻抗變化
表2 覆蓋膜快壓后與固化后差異測(cè)試
通過(guò)上述試驗(yàn)和分析,影響阻抗的因素主要有參考層、線(xiàn)寬、銅箔介質(zhì)層、銅箔PI厚度、覆蓋膜膠厚,阻抗線(xiàn)面有無(wú)EMI,鋼片/非鋼片等,影響阻抗因素關(guān)系:阻抗線(xiàn)面電磁膜≈阻抗線(xiàn)面導(dǎo)電鋼片≥阻抗線(xiàn)面非導(dǎo)電鋼片>參考層>銅箔PI厚度高>覆蓋膜膠厚>線(xiàn)寬>介質(zhì)層(普通PI系)。精度FPC阻抗在設(shè)計(jì)時(shí)需同時(shí)考慮以上因素進(jìn)行阻抗線(xiàn)匹配設(shè)計(jì)。
(1)銅箔厚度、介質(zhì)層、PI厚度、覆蓋膠厚、參考層相同時(shí),每增加1 μm線(xiàn)寬,減少1 Ω阻抗進(jìn)行補(bǔ)償。線(xiàn)寬與阻抗成反比。
(2)銅箔厚度、介質(zhì)層、PI厚度、覆蓋膠厚、參考層相同時(shí),導(dǎo)電鋼片比非導(dǎo)電鋼片小10 Ω,導(dǎo)電鋼片阻抗線(xiàn)寬需比非導(dǎo)電鋼片設(shè)計(jì)小10 μm。
(3)銅箔厚度、介質(zhì)層、PI厚度、覆蓋膠厚、參考層網(wǎng)格越大,阻抗越大。
(4)銅箔厚度、介質(zhì)層、PI厚度、覆蓋膠厚、參考層網(wǎng)格越大,覆蓋膜膠厚越厚,實(shí)銅阻抗比0.1×0.3網(wǎng)格偏小。
(4)基材PI越厚,阻抗越大。增加基材PI厚度,可以增加阻抗。
(5)不同基材、不同膠厚快壓后與固化后無(wú)差異,圖形蝕刻后模擬流程仿成品快壓后測(cè)試阻抗,通過(guò)蝕刻速度調(diào)整阻抗線(xiàn)寬,管控成品。