面對5G基站建設(shè)多樣化的需求和復(fù)雜的應(yīng)用環(huán)境所帶來的挑戰(zhàn)，需要電源器件不僅具有高性能，同時還要具有穩(wěn)定性和耐久性，以助力運營商和設(shè)備廠商更好地完成4G到5G的平穩(wěn)升級，實現(xiàn)高速穩(wěn)定的網(wǎng)絡(luò)覆蓋。

為此，羅姆（ ROHM）針對無線基站推出了多款解決方案，包括SiC功率元器件、MOSFET和DC/DC轉(zhuǎn)換器等。

1 針對UPS 供電的電源IC

羅姆針對UPS供電方式，提供外置FET的升降壓開關(guān)控制器“BD9035AEFV-C”、lch同步降壓型DC/DC轉(zhuǎn)換器“BD98304QWZ”以及“BD9F800MUX”。

BD9035AEFV-C的輸入電壓范圍為3.8-30 V，開關(guān)頻率在（ 100-600） kHz，能夠在-40-+125℃工作溫度范圍內(nèi)穩(wěn)定運轉(zhuǎn)。

BD9F800MUX輸入電壓范圍為4.5-28 V，開關(guān)頻率在（300-600） kHz，最大輸出電流為8.OA，封裝尺寸為3.5 mm×3.5 mm×0.6 mm。在基站建設(shè)方面，可用于DSP、FPGA、微處理器等的降壓電源。

BD98304QWZ的主要優(yōu)點是通過高效率實現(xiàn)低功耗工作。Deep-SLLM控制（升級版低負荷高效率模式）可實現(xiàn)80%以上的效率。同時，BD98304QWZ是內(nèi)置MOSFET的同步整流器，無需外部FET和二極管，節(jié)省安裝空間，實現(xiàn)了低成本。

2 針對HVDC 供電的J電源lC

針對HVDC供電方式，羅姆提供80 V/3 A DC/DC轉(zhuǎn)換器“BD9G341AEFJ-LB”等產(chǎn)品。BD9G341AEFJ-LB內(nèi)置80 V/3.5 A/150 mQ的Nch功率MOSFET，采用電流模式控制，實現(xiàn)了高速瞬態(tài)響應(yīng)和簡便的相位補償設(shè)定。除了內(nèi)置過流保護、欠壓鎖定、過熱保護、過壓保護等基本保護功能外，還能實現(xiàn)0μA待機電流和軟啟動。相比一般產(chǎn)品，BD9G341AEFJ-LB實現(xiàn)了諸多方面的突破，包括更高的工作電壓、更大的工作電流和更小的封裝尺寸等。在300 kHz、Vo=5 V、Vcc=24 V的工作條件下，當輸出電流在0-100 mA范圍時，BD9G341AEFJ-LB相較于一般產(chǎn)品在能效上提高了8%-17.6%。

3 為5G基站帶來革新JSiC功率元器件

當然，除了供電方式發(fā)生變化，5G基站建設(shè)對器件材料變革也有推動作用。由于高頻、高溫、抗輻射以及大功率等挑戰(zhàn)，以SiC功率元器件為首的高性能半導體材料將在5G建設(shè)上有重要應(yīng)用。為此，羅姆推出了第三代SiC材料的肖特基勢壘二極管（SiC-SBD）。相較于第二代產(chǎn)品，第三代擁有更好的正向電壓（ VF）特性和更好的反向電流（IR）特性，使客戶在設(shè)計產(chǎn)品的過程中可以采用更低的開啟電壓，在正向切為反向時，為了降低功耗，器件將產(chǎn)生更小的瞬態(tài)電流。但是，因為SiC-SBD的瞬態(tài)電流本質(zhì)上不隨正向電流變化，恢復(fù)時產(chǎn)生的恢復(fù)電流很小，降低了系統(tǒng)噪聲。相比一般產(chǎn)品，第三代650 V SiC-SBD表現(xiàn)出更好的產(chǎn)品性能，包括實現(xiàn)更高的/FSM（正向非重復(fù)浪涌電流），更低的漏電流，以及進一步降低VF等。