劉立拓 王春龍 余曉婭 石俊凱 黎堯 陳曉梅 周維虎

1) (中國科學(xué)院微電子研究所光電技術(shù)研究中心, 北京 100094)

2) (解放軍32180 部隊(duì), 北京 100012)

3) (試驗(yàn)物理與計(jì)算數(shù)學(xué)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室, 北京 100094)

1 引 言

硅片表面納米級(jí)污染顆粒會(huì)對集成電路芯片制造帶來致命影響, 對其清洗和去除是集成電路制造工業(yè)面臨的一項(xiàng)重要挑戰(zhàn). 尤其當(dāng)節(jié)點(diǎn)尺寸逐漸減小, 更小尺度的納米顆粒對芯片性能的影響將逐漸放大, 且傳統(tǒng)化學(xué)清洗方法效率也會(huì)因節(jié)點(diǎn)尺寸的減小大大降低. 同時(shí), 當(dāng)前越來越多的新材料被用到集成電路制造工藝的不同環(huán)節(jié)中, 這導(dǎo)致可能有更多新材料成分的納米顆粒污染, 實(shí)時(shí)監(jiān)控污染納米顆粒成分有利于快速確定污染源, 并對各生產(chǎn)環(huán)節(jié)的問題進(jìn)行及時(shí)預(yù)警補(bǔ)救.

激光干法清洗技術(shù)(DLC)因其環(huán)境友好、速度快、易控制等優(yōu)點(diǎn)成為一種潛在的硅片表面污染顆粒清洗技術(shù). 激光清洗技術(shù)的實(shí)際應(yīng)用所面臨的一個(gè)主要問題是會(huì)對硅片表面造成損傷. 同時(shí), 目前對激光清洗機(jī)理仍無定論: 一種認(rèn)為是激光熱膨脹原理, 即激光作用到基體表面, 使其產(chǎn)生熱膨脹加速度, 顆粒在熱膨脹加速度作用下克服表面吸附力而脫離, 在一定激光功率范圍內(nèi)為彈性膨脹, 不會(huì)對硅基體表面造成損傷[1?3]; 另一種作用機(jī)理是局部場增強(qiáng)效應(yīng), 認(rèn)為由于納米顆粒的存在, 顆粒底部光場產(chǎn)生局部增強(qiáng)效應(yīng), 使得底部基底被快速離解, 顆粒被瞬間剝離[4]; 還有一種說法是因?yàn)榭諝庵写嬖诘乃衷诩す庾饔孟滤查g發(fā)生爆炸性氣化, 并將顆粒帶離表面且不產(chǎn)生影響. 也有研究者認(rèn)為這3 種作用機(jī)理同時(shí)存在[5?7]. 為了對清洗機(jī)理有更清晰的認(rèn)識(shí), 需要研究污染顆粒在激光清洗過程中的受力情況以及顆粒脫離后的運(yùn)動(dòng)行為. 然而該方面的研究較少. 據(jù)調(diào)研僅有Grojo 等[4]對激光作用后顆粒的運(yùn)動(dòng)軌跡進(jìn)行了研究, 他們利用飛行時(shí)間法通過相機(jī)追蹤拍攝到了激光作用后顆粒的運(yùn)動(dòng)軌跡, 從實(shí)驗(yàn)上觀測到了激發(fā)顆粒的運(yùn)動(dòng)行為, 得到了顆粒的速度分布, 研究所用的實(shí)驗(yàn)樣品表面顆粒濃度達(dá)到109個(gè)/m2, 顆粒之間不可避免存在較強(qiáng)相互作用, 影響其結(jié)論的準(zhǔn)確性. 國內(nèi)在激光清洗機(jī)理方面的研究還處于初始階段, 吳東江等[8]研究了硅片表面Al2O3顆粒的激光清洗機(jī)理,分析了顆粒半徑對清洗效率的影響, 得到了1 μm Al2O3顆粒的激光清洗閾值. 譚東暉等[9,10]對激光清洗進(jìn)行了有限元仿真和實(shí)驗(yàn)研究, 得到了不同半徑油脂激光清洗閾值的仿真與實(shí)驗(yàn)相吻合的結(jié)論.

為了實(shí)時(shí)監(jiān)測不同生產(chǎn)環(huán)節(jié)的納米顆粒污染成分, 有很多方法用于檢測硅片表面的污染顆粒成分, 如: 電感耦合等離子體質(zhì)譜法(ICP)、全反射X 射線熒光法(TXRF)、二次離子質(zhì)譜法(SIMS).這些方法都有各自的優(yōu)缺點(diǎn)[11?21]. 激光誘導(dǎo)擊穿光譜技術(shù)(LIBS)是一種直接對物質(zhì)元素成分進(jìn)行分析的探測技術(shù), 因其具有快速、高靈敏度、無需樣品處理等優(yōu)點(diǎn), 已經(jīng)在很多領(lǐng)域得到成功應(yīng)用[22?27].本文提出了一種激光干法清洗結(jié)合LIBS 技術(shù)的分析方法, 該方法首先利用激光干法清洗將顆粒加速脫離硅片表面, 然后再利用LIBS 技術(shù)將脫離后的顆粒在硅片表面上方固定位置擊穿. 該方法一方面可通過觀測原子光譜來追蹤顆粒的運(yùn)動(dòng)軌跡, 另一方面還可以確定納米顆粒的元素成分，在為清洗機(jī)理研究提供方法的同時(shí), 還為硅片表面納米級(jí)顆粒成分檢測提供了一種實(shí)時(shí)、快速、無損傷的潛在檢測方法.

2 納米顆粒運(yùn)動(dòng)模型

本部分將對清洗激光作用后顆粒運(yùn)動(dòng)模型進(jìn)行建模, 當(dāng)一定功率密度的脈沖激光照射到硅片表面時(shí), 被照射顆粒將獲得一初始加速度并克服范德瓦耳斯力脫離硅片表面, 清洗過程及坐標(biāo)關(guān)系如圖1 所示. 本實(shí)驗(yàn)設(shè)激光脈寬為(t)為10 ns. 假設(shè)激光持續(xù)照射時(shí)間t內(nèi), 范德瓦耳斯力與激光清洗力共同作用的平均加速度為a, 則顆粒在激光作用結(jié)束時(shí)刻獲得瞬時(shí)初始速度(v0)為

由于激光作用時(shí)間很短, 該時(shí)間內(nèi)顆粒運(yùn)動(dòng)位移可忽略不計(jì), 在激光沖擊下獲得一速度v0, 并在v0下將加速脫離硅片表面. 在接下來的過程中, 顆粒將在空氣碰撞阻力和重力作用下做減速運(yùn)動(dòng). 空氣碰撞阻力與顆粒運(yùn)動(dòng)速度和顆粒橫截面積相關(guān),即空氣碰撞阻力可表示為

其中,Fair為空氣碰撞阻力,A為阻力系數(shù),R為顆粒 半 徑,vt為 顆 粒 在t時(shí) 刻 的 運(yùn) 動(dòng) 速 度.v0由(1)式確定, 顆粒在空氣阻力和自身重力下做變速運(yùn)動(dòng), 因空氣阻力隨速度vt變化, 其加速度也同樣隨時(shí)間變化, 設(shè)t時(shí)刻顆粒加速度為at, 根據(jù)牛頓第二定律:

其中m為顆粒質(zhì)量. 速度隨時(shí)間的變化量?vt方程為

則瞬時(shí)速度:

聯(lián)立(2)式、(3)式、(5)式可得微分方程:

解(6)式可得瞬時(shí)速度vt為

解(8)式得:

根據(jù)(7)式、(9)式得到v-t和s-t關(guān)系, (8)式、(9)式中顆粒運(yùn)動(dòng)位移st是指顆粒脫離硅片t時(shí)刻后的位移, 這個(gè)位移是相對于硅片表面而言的. 當(dāng)顆粒確定后, 除了阻力系數(shù)A和初始速度v0, 其他均為已知參數(shù). 上述兩未知參數(shù)可以通過實(shí)驗(yàn)確定.

圖1 激光清洗機(jī)理示意圖Fig. 1. Schematic diagram of laser cleaning mechanism.

3 顆粒追跡與成分探測實(shí)驗(yàn)

3.1 實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)

雙脈沖實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)示意圖如圖2 所示, 實(shí)驗(yàn)采用波長為532 nm 雙脈沖激光作為光源, 兩激光脈寬均為10 ns. 兩脈沖激光器可通過外部延時(shí)器控制出光, 兩激光器單脈沖最高能量可達(dá)250 mJ. 通過激光器電源控制器控制激光能量輸出. 由于實(shí)驗(yàn)室條件所限, 本實(shí)驗(yàn)所用兩臺(tái)激光器是集成在一起的, 兩光束合束后由同一個(gè)出光口輸出. 本實(shí)驗(yàn)用DG535 信號(hào)發(fā)生器控制兩激光出光延時(shí). 采用偏振棱鏡將兩束偏振方向不同的光從空間上分離, 其中P 偏振光作為清洗激光經(jīng)反射鏡M2、M3 反射后, 再經(jīng)透鏡L2 聚焦垂直照射到硅片表面. 在光路中加入光闌D2 以方便限制和調(diào)整清洗激光光斑大小. 透鏡L2 焦距為70 mm, 激光輸出能量確定后, 可通過調(diào)節(jié)L2 與硅片表面的距離調(diào)節(jié)照射到硅片表面的功率密度. S 偏振光作為LIBS 擊穿光經(jīng)L1 聚焦到硅片表面上方1.2 mm 處, 且聚焦點(diǎn)盡量位于清洗激光光軸上, 用以擊穿經(jīng)過該位置的運(yùn)動(dòng)顆粒產(chǎn)生等離子體. 光闌D1 同樣起到調(diào)節(jié)和限制激光光斑作用. 樣品位于xyz 調(diào)節(jié)臺(tái)上, 為保證實(shí)驗(yàn)樣品的潔凈, 免受環(huán)境污染, 設(shè)計(jì)了帶有渦輪風(fēng)機(jī)的凈化吹風(fēng)裝置, 氣流流向?qū)嶒?yàn)腔體下方并維持實(shí)驗(yàn)腔的正壓狀態(tài), 在進(jìn)行實(shí)驗(yàn)時(shí)風(fēng)機(jī)處于關(guān)閉狀態(tài)以保證顆粒運(yùn)動(dòng)不受空氣流動(dòng)影響. 透鏡L1 焦距為150 mm, 通過擊穿銅板實(shí)驗(yàn)得到聚焦光斑直徑大小近似為100 μm. 實(shí)驗(yàn)時(shí)擊穿光能量為200 mJ, 這樣擊穿位置激光功率密度達(dá)到2 × 1011W/cm2. 采用Andor 光譜儀接收激發(fā)的等離子體光譜, 光柵刻線為1200 line/mm. 整個(gè)測量系統(tǒng)時(shí)序由DG535 控制.

3.2 樣品制備

實(shí)驗(yàn)所用樣品為購買于先豐納米公司的直徑為300 nm 球狀Cu 顆粒. 將粉末狀納米Cu 顆粒稱重后倒入盛有高純酒精(純度 > 99.99%)的量筒中, 經(jīng)過稀釋、攪拌、超聲后配制成一定濃度的懸濁液, 利用一次性滴管取一定量的酒精懸濁液滴到硅片表面, 液滴在表面迅速擴(kuò)散和自然揮發(fā), 最后硅片表面形成具有一定顆粒濃度的污染區(qū). 在滴管滴定過程中, 盡量保持滴管垂直于硅片表面, 有利于液滴在硅片表面的均勻擴(kuò)散. 在樣品配制過程中, 由于量筒、滴管等容器壁面會(huì)黏附納米顆粒,最終影響所配樣品的準(zhǔn)確性, 因此需要進(jìn)行超聲震蕩, 同時(shí)應(yīng)盡量減少樣品在量筒、滴管中的存放時(shí)間. 本實(shí)驗(yàn)配制一次樣品的時(shí)間保持在20 min 以內(nèi). 通過以上步驟配制了5 種不同濃度的樣品, 如表1 所示.

圖2 實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)示意圖Fig. 2. Schematic diagram of experimental system.

表15 種不同濃度樣品Table 1. Five samples of different concentrations.

4 實(shí)驗(yàn)結(jié)果與分析

4.1 硅片損傷閾值

激光清洗一個(gè)重要問題就是對基體表面的損傷. 為了更有效地將顆粒激發(fā)脫離硅片表面, 往往采用較大的激光照射功率密度, 然而, 激光功率密度太高會(huì)對硅片基體表面造成損傷, 需要通過實(shí)驗(yàn)來確定硅片的損傷閾值. 通過改變樣品臺(tái)的高度,可以改變清洗激光照射到硅片表面的功率密度.圖3 為通過SEM 獲得的5 個(gè)不同樣品臺(tái)高度下激光輻照不含顆粒硅片表面的情況, 頂部未全部顯示圓斑為標(biāo)記起始位置, 其作用是為方便顯微鏡定位觀測位置. 可以發(fā)現(xiàn)1—3 黃色標(biāo)記點(diǎn)都存在不同程度的激光損傷, 第4 個(gè)黃色標(biāo)記點(diǎn)損傷已不明顯, 第5 個(gè)紅色標(biāo)記點(diǎn)明顯不存在損傷. 表2 為5個(gè)位置的對應(yīng)激光功率密度. 可以認(rèn)為硅片基體本身的擊穿閾值在1.11×108—1.21×108W/cm2之間.

圖3 硅片損傷閾值SEM 圖Fig. 3. SEM image for breakdown threshold of silicon wafer.

表2 硅片擊穿閾值實(shí)驗(yàn)結(jié)果Table 2. Experimental results of silicon wafer damage threshold.

4.2 硅片表面顆粒清洗閾值

當(dāng)硅片表面附著污染顆粒時(shí), 其對硅片表面的損傷閾值會(huì)比沒有污染顆粒時(shí)低, 原因是納米顆粒對光場的微擾動(dòng), 使均勻入射光場在顆粒擾動(dòng)下的強(qiáng)度重新分布的不均勻性造成的[4]. 利用清洗激光照射不同高度位置的含顆粒硅片表面, 觀測不同功率密度下顆粒的清洗效果及損傷情況. 為了增強(qiáng)3D 成像效果, 采用了共焦顯微鏡進(jìn)行實(shí)驗(yàn)觀測.圖4(a)—(c)為激光功率密度分別在10 × 107, 8 ×107, 6 × 107W/cm2下的清洗效果圖, 為了提高激光作用印記的對比度, 采用灰度圖顯示激光作用區(qū)域范圍. 同時(shí), 采用彩色圖來增強(qiáng)局部放大20 倍后顯示的3D 凹凸效果. 圖4(a)是在激光功率密度為10 × 107W/cm2下的激光清洗結(jié)果, 從圖4(a)左圖中可以看到, 激光作用輪廓清晰可見, 清洗圓斑輪廓內(nèi)的灰黑色印記表明激光對硅片造成了損傷. 放大后如圖4(a)右圖所示, 可以看到激光對存在顆粒處基體產(chǎn)生了凹坑損傷, 而無顆粒的硅片表面位置無凹坑損傷現(xiàn)象, 這充分說明了顆粒的存在造成硅片損傷閾值下降. 當(dāng)激光功率密度繼續(xù)降低到8 × 107W/cm2和6 × 107W/cm2時(shí), 如圖4(b)和圖4(c)的左圖都未出現(xiàn)明顯損傷, 對應(yīng)右側(cè)放大彩圖可以觀測到Cu 顆粒狀突起, 無顆粒的基體空白處未發(fā)現(xiàn)損傷. 說明將激光功率降低后, 未出現(xiàn)損傷, 但激光清洗效率會(huì)降低. 同時(shí)發(fā)現(xiàn)圖4(b)顆粒密度低于圖4(c), 這說明在這兩個(gè)激光功率密度下, 部分顆粒被剝離, 且未對基體造成損傷. 后面的實(shí)驗(yàn)光譜數(shù)據(jù)分析也可以證實(shí)這一點(diǎn). 可以推測, 在激光能量處于8 × 107—10 × 107W/cm2之間一定存在一個(gè)最優(yōu)的激光功率值, 可在不損傷基體表面的情況下使得顆粒清洗效率最大. 據(jù)此, 本實(shí)驗(yàn)在激光功率密度為8 × 107W/cm2的情況下進(jìn)行.

圖4 不同激光功率密度下共焦顯微鏡拍攝圖像 (a) 10 × 107 W/cm2; (b) 8 × 107 W/cm2; (c) 6 × 107 W/cm2Fig. 4. Confocal microscope images under different laser power densities: (a) 10 × 107 W/cm2; (b) 8 × 107 W/cm2; (c) 6 ×107 W/cm2.

4.3 延時(shí)實(shí)驗(yàn)

4.3.1 LIBS 光譜采集延時(shí)

當(dāng)激光擊穿顆粒產(chǎn)生等離子體后, 需要利用光譜儀收集信號(hào), 很多研究已經(jīng)表明, LIBS 光譜具有時(shí)間演化特性, 激光激發(fā)等離子體的起始時(shí)刻多為自由電子韌致輻射產(chǎn)生的背景噪聲, 相隔一定時(shí)間后才會(huì)出現(xiàn)信噪比較大的物質(zhì)光譜信息. 這一特性與所測物質(zhì)本身和環(huán)境相關(guān). 為了確定Cu 的激光等離子體演化時(shí)間特征, 選用銅板進(jìn)行LIBS 實(shí)驗(yàn)研究, 即利用圖2 中水平入射激光擊穿銅板. 選取Cu I 427.3 nm 原子發(fā)射譜線強(qiáng)度作為等離子體演化分析目標(biāo). 結(jié)果如圖5 所示, 在大約1.02 μs處譜線強(qiáng)度達(dá)到最大值, 在如下實(shí)驗(yàn)中, 光譜儀的采集延時(shí)均設(shè)置為1.02 μs.

4.3.2 DLC 與LIBS 實(shí)驗(yàn)

為了降低實(shí)驗(yàn)操作難度, 本實(shí)驗(yàn)通過固定圖2中透鏡L2 到硅片表面的距離及擊穿高度, 改變DLC 觸發(fā)與LIBS 觸發(fā)的延時(shí), 并利用(3)式所建模型來得到顆粒脫離后的運(yùn)動(dòng)軌跡. 由于顆粒是在空氣環(huán)境下被擊穿, 因此在等離子體中存在很多來自于空氣擊穿的譜線, 這些譜線會(huì)干擾到Cu 實(shí)驗(yàn)測量. 圖6 為純空氣擊穿與樣品在空氣環(huán)境中擊穿的對比圖, 為了避開空氣的干擾, Cu I 324.7 nm和I 327.4 nm 被選為分析譜線.

圖5 銅板LIBS 時(shí)間演化特征Fig. 5. Time evolution features of LIBS from copper plate.

圖6 空氣與樣品的LIBS 實(shí)驗(yàn)結(jié)果Fig. 6. LIBS experimental results of air and the sample.

在保持擊穿高度不變的情況下, 通過改變雙脈沖激光延時(shí)可以得到激發(fā)顆粒的運(yùn)動(dòng)軌跡. 在不同延時(shí)下進(jìn)行了雙脈沖實(shí)驗(yàn)研究, 采集Cu 原子譜線兩峰值扣除背景后隨雙脈沖延時(shí)的變化如圖7 所示, 圖7(a)為延時(shí)時(shí)間(T)從0—1 ms 之間, 光譜峰值強(qiáng)度的變化趨勢. 圖7(b)為延時(shí)從0—30 ms的峰值強(qiáng)度變化趨勢, Cu 的兩個(gè)譜峰都分別在1 ms 和15 ms 位置出現(xiàn)峰值, 這意味著Cu 顆粒分別兩次穿過擊穿聚焦點(diǎn)位置. 第一次為在顆粒受激發(fā)1 ms 后以較快的速度向上運(yùn)動(dòng)達(dá)到擊穿區(qū)域, 第二次為在15 ms 后顆粒因重力重新返回?fù)舸﹨^(qū)域, 此時(shí)速度慢于第一次穿越時(shí)的速度.15 ms 以后, 越來越少的顆粒穿過擊穿區(qū)域. 這說明, 當(dāng)清洗激光作用到硅片表面后, 顆粒在10 ns 時(shí)間內(nèi)受清洗力被激發(fā)脫離硅片表面, 之后在空氣阻力和重力作用下做減速運(yùn)動(dòng), 并在1 ms 時(shí)第一次到達(dá)擊穿位置, 到達(dá)最高點(diǎn)后做自由落體運(yùn)動(dòng), 在15 ms 時(shí)回到擊穿位置, 之后繼續(xù)往下運(yùn)動(dòng). 從圖7(b)可以看到, 在1 ms 時(shí)出現(xiàn)的第一個(gè)峰值高于15 ms 時(shí)峰值, 可能原因是顆粒向上運(yùn)動(dòng)速度分布是發(fā)散的, 造成回落的顆粒密度降低. 因擊穿高度為實(shí)際的顆粒位移, 固定為1.2 mm, 將兩峰值時(shí)刻代入運(yùn)動(dòng)方程(9)式可得到參數(shù)A 和v0分別為5.8 × 102N·s/m3和7.6 m/s,根據(jù)(1)式清洗激光作用過程中顆粒的初始平均加速度a = 7.6 × 108m/s2.

圖7 樣品1 的延時(shí)實(shí)驗(yàn)結(jié)果 (a) 0?1 ms, (b) 0?30 msFig. 7. Delay time experimental results of sample 1:(a) delay time is 0?1 ms, (b) delay time is 0?30 ms.

根據(jù)以上分析, 在1 ms 時(shí), 譜線強(qiáng)度達(dá)到最大值, 可以認(rèn)為兩脈沖激光的最佳延時(shí)時(shí)間為1 ms. 在該最佳延時(shí)下, 對表1 中不同顆粒濃度的樣品進(jìn)行了實(shí)驗(yàn). 結(jié)果如圖8 所示. 圖8(a)顯示,譜線強(qiáng)度隨著顆粒濃度增大而增大, 當(dāng)顆粒濃度為2.1 × 1013atoms/cm2時(shí), 對應(yīng)的光譜強(qiáng)度幾乎淹沒在噪聲里. 圖8(b)為選取譜線峰值周圍3 個(gè)數(shù)據(jù)點(diǎn)積分的結(jié)果, 更清晰的顯示了光譜強(qiáng)度隨顆粒濃度的變化規(guī)律. 據(jù)此, 可以認(rèn)為顆粒濃度在5.1 × 1013atoms/cm2之上時(shí)探測系統(tǒng)均有較明顯的光譜響應(yīng).

圖8 延時(shí)為1 ms 時(shí)不同Cu 顆粒濃度樣品實(shí)驗(yàn)結(jié)果 (a) 三維光譜強(qiáng)度; (b)峰值光譜強(qiáng)度Fig. 8. Experimental results of Cu particles with different concentrations when delay time was 1 ms: (a) 3D spectral intensity; (b) peak of spectral intensity.

5 結(jié) 論

通過實(shí)驗(yàn)我們觀測到顆粒被清洗激光激發(fā)脫離后, 首先在空氣阻力和重力作用下做減速運(yùn)動(dòng),運(yùn)動(dòng)到最高點(diǎn)速度為零后, 在重力和空氣阻力作用下繼續(xù)做加速運(yùn)動(dòng). 建立了顆粒脫離后的運(yùn)動(dòng)模型, 并通過實(shí)驗(yàn)獲得了模型的參數(shù). 得到了在清洗激光作用后的初始速度和初始平均加速度分別為7.6 m/s 和7.6 × 108m/s2. 研究結(jié)果表明, 在顆粒脫離后的運(yùn)動(dòng)過程中, 其速度矢量具有一定發(fā)散角, 且整個(gè)運(yùn)動(dòng)過程中重力不可忽略. 系統(tǒng)對顆粒濃度高于5.1 × 1013atoms/cm2的污染硅片均有較靈敏的響應(yīng). 本實(shí)驗(yàn)是在清洗激光功率密度為8 × 107W/cm2的情況下進(jìn)行的, 該值并非最優(yōu)的功率密度值. 需要進(jìn)一步通過實(shí)驗(yàn)優(yōu)化清洗激光功率密度值, 在不損傷硅片的情況下進(jìn)一步提高清洗效率. 本文的研究不僅為激光清洗機(jī)理研究提供一種理論分析方法, 而且為集成電路硅片表面納米級(jí)顆粒缺陷成分的在線檢測提供了一種潛在方法.