李洋洋 張緯怡 吳凱 徐藝敏

摘 要 采用末端屏蔽法測(cè)量串級(jí)式電壓互感器一次繞組對(duì)二次繞組的介質(zhì)損耗因數(shù)tanδ時(shí)，發(fā)現(xiàn)介質(zhì)損耗因數(shù)tanδ測(cè)量值隨R4并聯(lián)電阻變化而發(fā)生改變。通過等值電路分析，導(dǎo)致誤差的根本原因主要是雜散電容所致，實(shí)際值可通過兩次測(cè)量計(jì)算得到。

關(guān)鍵詞 雜散電容;串級(jí)式電壓互感器;介質(zhì)損耗因數(shù)

引言

測(cè)量串級(jí)式電壓互感器一次繞組對(duì)二次繞組的介質(zhì)損耗因數(shù)tanδ，能夠靈敏地發(fā)現(xiàn)電壓互感器內(nèi)部絕緣受潮、劣化等缺陷。在采用末端屏蔽法測(cè)量串級(jí)式電壓互感器一次繞組對(duì)二次繞組的介質(zhì)損耗因數(shù)tanδ時(shí)，發(fā)現(xiàn)當(dāng)并聯(lián)電阻R4發(fā)生變化，所測(cè)量得到的介質(zhì)損耗因數(shù)tanδ也隨之發(fā)生變化。對(duì)此，本文進(jìn)行了研究，發(fā)現(xiàn)介質(zhì)損耗因數(shù)tanδ變化主要是由于雜散電容所致。

1末端屏蔽法測(cè)量介質(zhì)損耗因數(shù)tanδ

末端屏蔽法測(cè)量電壓互感器介質(zhì)損耗因數(shù)tanδ接線圖，如圖1所示?；ジ衅饕淮卫@組A端接高壓，末端X端接電橋屏蔽。由于一次繞組對(duì)二次繞組間的CX值較小，且R3量程有限，一般需要在R4上并聯(lián)一個(gè)電阻R進(jìn)行測(cè)量[1]。

2雜散電容對(duì)介質(zhì)損耗因數(shù)tanδ的影響

本文選取了一臺(tái)110kV電壓互感器，采用末端屏蔽法測(cè)量電壓互感器介質(zhì)損耗因數(shù)tanδ。結(jié)果如表1所示。

由表1可以發(fā)現(xiàn)，R4并聯(lián)電阻后，介質(zhì)損耗因數(shù)tanδ發(fā)生變化，原因如圖2所示，圖中CX為被試品的電容量，由于試品電容量很小，R3值相對(duì)較大，此時(shí)與R3并聯(lián)的雜散電容Cc，影響不可忽略。雜散電容Cc既包含CX引線芯線對(duì)屏蔽層的電容，還包含橋體內(nèi)的寄生電容以及試品CX測(cè)量電極對(duì)地的電容，tanδc為式（1）所示。當(dāng)R4并聯(lián)不同電阻時(shí)，等效電阻為kR4，在試品電容不變條件下，R3電阻也變?yōu)閗R3，tanδc為式（2）所示。

聯(lián)合式（1）與式（2）可計(jì)算得到實(shí)際介損：

將表1中數(shù)據(jù)代入式（3）可計(jì)算考慮誤差影響后的介質(zhì)損耗因數(shù)tanδx =0.9%[2]。

3結(jié)束語(yǔ)

本文通過等值電路圖分析了雜散電容對(duì)串級(jí)式電壓互感器一次繞組對(duì)二次繞組的介質(zhì)損耗因數(shù)tanδ測(cè)量結(jié)果的影響。介質(zhì)損耗因數(shù)tanδ隨著橋臂電阻R4并聯(lián)的電阻變化而變化，主要原因是雜散電容所致。介損實(shí)際值，可通過兩次測(cè)量計(jì)算得到。

參考文獻(xiàn)

[1] 陳天翔，王寅仲，海世杰. 電氣試驗(yàn)[M].北京：中國(guó)電力出版社，2008：56.

[2] 李建明，朱康. 高壓電氣設(shè)備試驗(yàn)方法[M].北京：中國(guó)電力出版社，2001：73.

作者簡(jiǎn)介

李洋洋（1992-），男，學(xué)歷：碩士，職稱：助理工程師，研究方向：高電壓技術(shù)與絕緣試驗(yàn)研究。

張緯怡（1993-），女學(xué)歷：本科，職稱：助理工程師，現(xiàn)就職單位：國(guó)網(wǎng)江蘇省電力有限公司鎮(zhèn)江供電分公司，研究方向：高電壓技術(shù)與絕緣試驗(yàn)研究。