手機專用閃存主要分為eMMC和UFS兩大類別，前者僅支持并行讀寫（即半雙工運行，讀寫必須分開執(zhí)行），哪怕是最新的eMMC5.1標準其順序讀取和寫入速度也不過300MB/s和200MB/s左右，常見于售價低于千元的入門級4G手機市場。

UFS自誕生以來就一直是中高端手機的標配，它支持串行讀寫，帶寬較eMMC得以翻倍（圖1）。經(jīng)過UFS2.0→UFS2.1→UFS3.0→UFS3.1一路迭代更新，其理論讀寫速度提升了3信有余。需要注意的是，UFS2.x閃存可以運行在1Lane（單通道）或2Lane（雙通道）模式，后者性能更強但成本也會相應(yīng)地提升。UFS3.x其實也存在單通道和雙通道之別，只是出于成本、體驗和營銷的考慮，暫時還沒有任何手機好意思拿單通道的UFS3.x湊數(shù)。

目前最新款5G手機都已經(jīng)過渡到了UFS閃存，其中千元價位的主流5G手機大都采用單通道或雙通道的UFS2.1，而2000元左右起步的中高端5G手機則大都武裝UFS3.0或UFS3.1閃存。有意思的是，UFS3.0閃存也能搭配UFS3，1主打的Write Turbo和HPB技術(shù)，所以在讀寫速度上和UFS3.1差別不大，但后者憑借獨享的Deep Sleep技術(shù)在進一步提升性能的同時還更加省電。

未來在挑選5G手機時，是否搭配UFS3.x閃存應(yīng)該成為我們關(guān)注的重點，特別是搭載驍龍865系列移動平臺的旗艦手機，頂級SoC+UFS3.1閃存+LPDDR5內(nèi)存就是構(gòu)成最強性能的“鐵三角”（圖2）。

小提示

相同規(guī)格閃存的讀取速度相差不大，但寫入速度則受容量和系統(tǒng)優(yōu)化的影響巨大。比如都是UFS2.1閃存，有些手機的寫入性能只有200MB/s，有些卻能達到400MB/s，本文匯總的成績都來自較高性能的產(chǎn)品數(shù)據(jù)。