朱恒靜， 張延偉， 張偉， 祝名

（中國航天宇航元器件工程中心， 北京 100094）

0 引言

微系統(tǒng)技術(shù)是從微觀角度出發(fā)， 采用新的設(shè)計思想和制造方法， 在微納尺度上， 通過異質(zhì)或異構(gòu)集成手段， 實(shí)現(xiàn)具備信號感知、 信號處理、 信令執(zhí)行和賦能等多功能集成的微型化系統(tǒng)。 目前， 微系統(tǒng)技術(shù)已經(jīng)成為國際上公認(rèn)的軍事裝備系統(tǒng)發(fā)展變革、 信息系統(tǒng)智能化和微電子技術(shù)革命性創(chuàng)新三大戰(zhàn)略的制高點(diǎn)， 發(fā)達(dá)國家都制訂了全面開發(fā)和使用微系統(tǒng)產(chǎn)品技術(shù)的計劃[1]。 微系統(tǒng)技術(shù)主要包括元器件技術(shù)、 集成技術(shù)、 智能軟件和架構(gòu)技術(shù)、 評價和保證技術(shù)等5 個部分， 根據(jù)技術(shù)出現(xiàn)的時間順序， 劃分為“元器件自身技術(shù)持續(xù)發(fā)展” “異質(zhì)和異構(gòu)集成技術(shù)成為主要路徑” 和“智能化算法和架構(gòu)技術(shù)提高系統(tǒng)效率” 3 個階段。 由于技術(shù)自身仍在不斷地演進(jìn)， 各個階段的主要技術(shù)處于并行發(fā)展態(tài)勢。 隨著新型（微） 架構(gòu)、 新興材料和先進(jìn)封裝技術(shù)的發(fā)展以及所帶來的功耗和性能的改進(jìn)， 特征尺寸繼續(xù)微縮將不再是微系統(tǒng)發(fā)展的首選出路， 新技術(shù)途徑將替代特征尺寸微縮。 從三維封裝集成到三維單片集成、推進(jìn)人工智能和神經(jīng)形態(tài)計算、 用數(shù)字方式實(shí)現(xiàn)各種模擬功能將是微系統(tǒng)產(chǎn)品發(fā)展的主要內(nèi)容。 微系統(tǒng)產(chǎn)品如何可靠地應(yīng)用于航天領(lǐng)域， 是需要重點(diǎn)關(guān)注的問題。 國內(nèi)外均開展了微系統(tǒng)可靠性保證相關(guān)技術(shù)研究， 建立了相關(guān)機(jī)構(gòu)，并發(fā)布了一系列的封裝可靠性評價、 IP 評測和抗輻射評估標(biāo)準(zhǔn)。

1 國內(nèi)外微系統(tǒng)技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀

1.1 美國

美國全面部署、 系統(tǒng)均衡發(fā)展微系統(tǒng)相關(guān)的各項支撐技術(shù)。 美國國防部率先提出了采用異構(gòu)集成技術(shù)， 將微電子器件、 光電子器件和微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS： Micro-Electro-Mechanical Systems） 器件整合集成在一起， 形成集成微系統(tǒng)。 美國國防部高級研究計劃局 （DARPA： Defense Advanced Research Projects Agency） 建立了微系統(tǒng)技術(shù)辦公室（MTO）， 開展微系統(tǒng)技術(shù)規(guī)劃和研究， 并于2017 年6月推出面向未來的“電子復(fù)興計劃” （ERI： Electronics Resurgence Initiative）， 推動芯片向著超越摩爾定律的方向發(fā)展。 該計劃歷時5 年， 總投資15 億美元， 目標(biāo)是不再依賴摩爾定律， 繼續(xù)推進(jìn)電子器件性能的大幅提升， 滿足美國國防部需求的同時推動半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展， 其拉開了面向未來10 年的半導(dǎo)體顛覆性創(chuàng)新之路。 在ERI 中， DARPA提出了軟件定義硬件 （SDH： Software-Defined Hardware）等半導(dǎo)體新概念， 以期推動半導(dǎo)體的新變革。 這種思想來源于摩爾當(dāng)時發(fā)表的一篇題為“Cramming More Components onto Integrated Circuits” 的論文， 摩爾在論文的第二頁（Page 2） 主要講述了傳統(tǒng)意義上的芯片發(fā)展趨勢（也就是傳統(tǒng)意義上的摩爾定律， Moore' s Law）， 但在論文的第三頁（Page 3） 又赫然地寫明， 未來材料、 架構(gòu)和設(shè)計等條件改變的時候， 這些規(guī)律可能會發(fā)生巨大的改變。 受該論文理論研究的啟發(fā)， DARPA 在ERI 中提出了從材料、 架構(gòu)和設(shè)計3 個方面著力的方式， 這種方式被稱為Page 3 方法。

美國還同時開展“信得過” 集成電路戰(zhàn)略， 為國家安全和國防提供保證。 DARPA 聯(lián)合美國航空航天局（NASA：National Aeronautics and Space Administration）、 Aerospace等， 成立“高可靠電子產(chǎn)品中心”， 專門開展納米級器件可靠性相關(guān)技術(shù)研究[2]。 NASA 成立機(jī)構(gòu)元器件與封裝組（NEPP： NASA Electronics Parts and Packaging Program） 和3E元器件保證組 （ NEPAG： NASA Electronic Parts Assurance Group）， 針對空間應(yīng)用需求， 重點(diǎn)開展納米級器件可靠性、 先進(jìn)封裝可靠性等研究工作， 取得了一定的進(jìn)展[3]， 并于近期發(fā)布了復(fù)雜封裝的評估方法[4]。 上述各項技術(shù)協(xié)調(diào)發(fā)展， 確保元器件技術(shù)的成熟度達(dá)到滿足微系統(tǒng)產(chǎn)品的需求。

1.2 歐洲

面對21 世紀(jì)的挑戰(zhàn)， 歐洲認(rèn)為發(fā)展空間技術(shù)具有經(jīng)濟(jì)和戰(zhàn)略意義， 超越摩爾定律的微系統(tǒng)產(chǎn)品技術(shù)是改變歐洲電子產(chǎn)品狀態(tài)的重要機(jī)會， 因而其從空間應(yīng)用領(lǐng)域和電子系統(tǒng)/分系統(tǒng)技術(shù)的發(fā)展出發(fā)， 在制訂空間技術(shù)長期發(fā)展計劃的同時， 制定了微系統(tǒng)產(chǎn)品及技術(shù)路線圖。 主要宗旨為制定頂層規(guī)劃， 堅持獨(dú)立發(fā)展； 在這些技術(shù)發(fā)展的同時，牢記的準(zhǔn)則是： 自主、 不依賴。 歐洲國防部與歐洲空間局（ESA： European Space Agency） 簽署了戰(zhàn)略協(xié)議——“歐洲空間關(guān)鍵技術(shù)緊急行動計劃”， 但受限于技術(shù)發(fā)展的資金投入和國情， 僅在部分領(lǐng)域設(shè)置了研究項目， 不及DARPA 提出的計劃完整和全面。 歐洲重點(diǎn)發(fā)展微納電子技術(shù)、 異質(zhì)集成技術(shù)和硅基光電集成工藝平臺， 非常重視在硅晶圓上的大規(guī)模異質(zhì)集成化合物功能材料技術(shù)的研發(fā)投入， 體現(xiàn)出強(qiáng)烈的以制造能力帶動技術(shù)和產(chǎn)業(yè)發(fā)展的態(tài)勢。

歐洲業(yè)界成立了多個微系統(tǒng)聯(lián)盟組織。 2006 年7 月，多家歐洲的大型企業(yè)為協(xié)調(diào)研發(fā)活動而成立了歐洲智能系統(tǒng)集成技術(shù)平臺（EPoSS： The European Technology Platform on Smart Systems Integration）， 成員包括各種規(guī)模的企業(yè)、國有和民營研發(fā)機(jī)構(gòu)、 大學(xué)、 歐洲委員會代表， 以及歐洲與智能系統(tǒng)集成技術(shù)相關(guān)的其他主要組織。 EPoSS 是一個行業(yè)驅(qū)動的政策計劃， 以研發(fā)和創(chuàng)新為目標(biāo)， 研究與智能系統(tǒng)、 微型納米系統(tǒng)集成相關(guān)技術(shù)， 從應(yīng)用角度處理問題，縮短研發(fā)與應(yīng)用的差距， 產(chǎn)品用于航空、 通信和信息安全等領(lǐng)域。 微電子研究中心 （IMEC： Interuniversity Microelectronics Centre） 是歐洲領(lǐng)先的獨(dú)立研究中心， 主要研究方向包括微電子、 納米技術(shù)、 硅加工工藝、 硅制程技術(shù)和先進(jìn)封裝等微系統(tǒng)相關(guān)技術(shù)。

歐洲高度重視產(chǎn)品性能驗(yàn)證與評估， 為了解決微系統(tǒng)產(chǎn)品的可靠性問題， 必須掌握產(chǎn)品的失效機(jī)理， 建立適合宇航應(yīng)用的產(chǎn)品保證方法。 歐洲開展了微系統(tǒng)產(chǎn)品的質(zhì)量保證研究工作， 包括新產(chǎn)品評價鑒定技術(shù)、 產(chǎn)品成熟度評價技術(shù)、 產(chǎn)品失效模式和失效機(jī)理研究， 取得了一定的成果。 如以ST 公司采用65 nm CMOS 技術(shù)的ASIC 為例， 針對熱載流子注入和負(fù)偏置溫度不穩(wěn)定性失效機(jī)理， 開展了系統(tǒng)應(yīng)用可靠性設(shè)計方法[5]。 歐洲同時針對復(fù)雜的制造過程， 開展了應(yīng)用制造設(shè)計方法研究， 擬通過研究建立相應(yīng)的流程和方法， 能夠全部覆蓋可靠性問題。

1.3 中國

微系統(tǒng)技術(shù)發(fā)展已成為國家戰(zhàn)略發(fā)展的重點(diǎn)領(lǐng)域， 國家發(fā)布了一系列規(guī)劃的實(shí)施步驟。 “十三五” 國家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃， 部署了包括集成電路發(fā)展工程、 人工智能創(chuàng)新工程等21 項重大工程。 光電子技術(shù)是半導(dǎo)體技術(shù)、 微電子技術(shù)、 材料技術(shù)和光學(xué)等多學(xué)科交叉產(chǎn)生的新技術(shù)， 是微系統(tǒng)技術(shù)的重要基礎(chǔ)之一。 國家發(fā)布了《中國光電子器件產(chǎn)業(yè)技術(shù)發(fā)展路線圖（2018—2022）》， 支撐微系統(tǒng)技術(shù)的發(fā)展， 并通過各種渠道支持微系統(tǒng)核心技術(shù)的研究， 以及高端器件的研制及應(yīng)用； 國內(nèi)抗輻射加固設(shè)計能力大幅提升； 集成封裝方面， 系統(tǒng)級封裝（SiP： System in Packing） 技術(shù)已開始向高端邁進(jìn)， 二維封裝、 3D 堆疊關(guān)鍵技術(shù)已經(jīng)得到突破。 航天領(lǐng)域開展了微系統(tǒng)相關(guān)技術(shù)的研究和規(guī)劃， 例如： 中國空間技術(shù)研究院成立了宇航微系統(tǒng)產(chǎn)品保證技術(shù)核心實(shí)驗(yàn)室， 并與業(yè)界單位、 大學(xué)等合作成立微系統(tǒng)技術(shù)聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室， 專門研究微系統(tǒng)產(chǎn)品宇航應(yīng)用保證技術(shù)。

2 微系統(tǒng)產(chǎn)品宇航應(yīng)用需求

衛(wèi)星空間應(yīng)用對電子設(shè)備的微小型化提出了明確的需求。 隨著衛(wèi)星空間應(yīng)用領(lǐng)域的不斷擴(kuò)大， 激光通信、 星間鏈路和深空探測等新的應(yīng)用需求日益迫切， 要求衛(wèi)星電子設(shè)備具有更高的靈敏度和功能密度。 智能、 自適應(yīng)和可重構(gòu)是新一代空間電子系統(tǒng)功能中一個重要的發(fā)展方向， 是實(shí)現(xiàn)更多新功能應(yīng)用空間系統(tǒng)必須掌握和采用的技術(shù)。 火星任務(wù)需要完成復(fù)雜的軌道轉(zhuǎn)移、 巡視和著陸， 對探測器的重量、 體積和功耗提出了苛刻的要求。 下一代航天器對自主功能要求越來越高， 如對遙感圖像的快速自主識別和判斷、 自我管理和維護(hù)等功能要求， 催生了對人工智能的功能需求。 人工智能芯片的基礎(chǔ)是深度學(xué)習(xí)， 深度學(xué)習(xí)本質(zhì)上是多層次的人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)算法， 即模仿人腦的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)， 從最基本的單元上模擬人腦的運(yùn)行機(jī)制。 人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的算法實(shí)際上是通過大量的樣本數(shù)據(jù)來建立輸入和輸出數(shù)據(jù)之間的映射關(guān)系， 最直接的應(yīng)用是分類識別。 人工智能器件的應(yīng)用是航天器發(fā)展的趨勢之一， 是未來衛(wèi)星的制高點(diǎn)之所在。

宇航用微系統(tǒng)產(chǎn)品的特點(diǎn)包括： 1） 品種多、 數(shù)量相對少， 目前型號用微系統(tǒng)僅瞄準(zhǔn)本單位型號平臺和分系統(tǒng)的應(yīng)用需求， 需求較分散， 容易造成研制和應(yīng)用過程的多品種、 小批量； 2） 復(fù)雜度不斷上升， 隨著型號功能和性能需求的不斷提升， 微系統(tǒng)產(chǎn)品的復(fù)雜度不斷增加； 3） 質(zhì)量保證的需求不斷增加， 型號微系統(tǒng)需求數(shù)量和難度不斷增加， 對質(zhì)量保證的時間進(jìn)度和成本也提出了新的挑戰(zhàn)。

3 微系統(tǒng)產(chǎn)品保證的關(guān)鍵技術(shù)

微系統(tǒng)產(chǎn)品涉及多方面新技術(shù)， 集成封裝涉及的新技術(shù)、 新材料和新工藝引入了新的失效機(jī)理和失效模式； 采用納米技術(shù)的關(guān)鍵新器件的可靠性保證技術(shù)尚未突破； 系統(tǒng)設(shè)計和芯片設(shè)計密切相關(guān)， 軟件、 硬件設(shè)計并行開展的特點(diǎn)更給微系統(tǒng)產(chǎn)品的保證帶來了技術(shù)壁壘。 根據(jù)DARPA提出的從材料、 架構(gòu)和設(shè)計3 個方面發(fā)展的思想， 基于微系統(tǒng)產(chǎn)品研制的關(guān)鍵技術(shù)， 微系統(tǒng)產(chǎn)品可靠性保證的關(guān)鍵內(nèi)容主要包括系統(tǒng)設(shè)計評價、 特性表征、 研制過程保證、抗輻射保證和測試驗(yàn)證等5 個方面。

3.1 系統(tǒng)設(shè)計評價

微系統(tǒng)產(chǎn)品的特點(diǎn)是異類器件的綜合集成， 實(shí)現(xiàn)多功能的電子系統(tǒng)， 其設(shè)計是復(fù)雜系統(tǒng)的芯片-封裝-系統(tǒng)協(xié)同設(shè)計， 軟件和硬件并行設(shè)計。 系統(tǒng)設(shè)計評價對微系統(tǒng)產(chǎn)品設(shè)計涉及的系統(tǒng)設(shè)計、 可靠性設(shè)計和軟件等進(jìn)行評價。 人工智能先進(jìn)技術(shù)的應(yīng)用， 給系統(tǒng)設(shè)計評價帶來了嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)。 需要結(jié)合微系統(tǒng)產(chǎn)品的技術(shù)特點(diǎn)和宇航應(yīng)用需求， 建立微系統(tǒng)產(chǎn)品的系統(tǒng)設(shè)計評價方法， 形成相應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范。

3.2 微系統(tǒng)產(chǎn)品的特性表征

宇航用微系統(tǒng)一般針對需求進(jìn)行設(shè)計和制造， 與一般通用器件相比有較大的差異。 如何全面、 準(zhǔn)確地對微系統(tǒng)產(chǎn)品進(jìn)行表征是一個難題。 元器件特性表征不準(zhǔn)確、 不全面， 將給可靠性帶來極大的隱患。 一方面， 產(chǎn)品的參數(shù)、功能和力/熱特性等指標(biāo)體系需要綜合考慮需求、 設(shè)計和工藝建立； 另一方面， 各項指標(biāo)的取值和驗(yàn)證也是必須要解決的問題。 需要研究建立元器件特性表征技術(shù)， 基于設(shè)計仿真、 不同工藝參數(shù)試驗(yàn)數(shù)據(jù)的統(tǒng)計分析和評價試驗(yàn)結(jié)果對特性進(jìn)行全面描述。 微系統(tǒng)產(chǎn)品采用大量新技術(shù)、 新材料和新工藝， 失效機(jī)理不清， 數(shù)據(jù)缺乏， 需要開發(fā)步進(jìn)應(yīng)力試驗(yàn)應(yīng)力剖面設(shè)計技術(shù)， 開展必要的熱、 力和電步進(jìn)應(yīng)力試驗(yàn)， 結(jié)合分析和試驗(yàn)的結(jié)果， 合理地確定產(chǎn)品的力、熱特性。 通過微系統(tǒng)產(chǎn)品特性表征的開展， 力求建立全面、準(zhǔn)確的指標(biāo)體系， 建立包括準(zhǔn)確指標(biāo)、 合理的篩選和鑒定（質(zhì)量一致性） 的產(chǎn)品規(guī)范， 指導(dǎo)產(chǎn)品的生產(chǎn)、 試驗(yàn)和供貨。

3.3 研制過程保證

微系統(tǒng)產(chǎn)品系統(tǒng)龐大、 架構(gòu)復(fù)雜， 功能的集成化和封裝的小型化取決于其采用的許多先進(jìn)的封裝結(jié)構(gòu)與實(shí)現(xiàn)工藝。 按照傳統(tǒng)的保證模式， 僅針對最終成品開展相關(guān)的考核驗(yàn)證試驗(yàn)存在考核不到位的薄弱項和一些盲區(qū)， 需要通過仿真、 封裝工藝鑒定等方式在研制過程中開展微系統(tǒng)產(chǎn)品保證。 世界各國均在爭先制定電、 力和熱的仿真評價標(biāo)準(zhǔn)[6]， 涉及的技術(shù)內(nèi)容包括電、 熱、 力特性仿真技術(shù)、 工藝能力認(rèn)可技術(shù)和材料評價技術(shù)等。

力和熱仿真包括內(nèi)部元器件與基板熱學(xué)與力學(xué)特性模擬仿真， 倒裝焊點(diǎn)、 硅通孔和堆疊模塊復(fù)合金屬鍍層匹配特性仿真， 原位監(jiān)測和異質(zhì)精細(xì)結(jié)構(gòu)剖面分析等關(guān)鍵技術(shù)，復(fù)雜封裝倒裝焊點(diǎn)力熱耦合效應(yīng)、 硅通孔多層介質(zhì)熱匹配性和非氣密三維多芯片堆疊模塊外部復(fù)合金屬鍍層連接匹配等SiP 器件的新型工藝結(jié)構(gòu)的可靠性評價。 SiP 技術(shù)帶來了電設(shè)計和仿真的技術(shù)挑戰(zhàn)， 復(fù)雜3D 器件在硅基芯片間進(jìn)行高速傳輸， 其信號完整性需要在設(shè)計階段得到驗(yàn)證， 為了解決三維封裝多側(cè)之間的電磁輻射、 干擾和高速帶寬限制， 需要建立TSV 結(jié)板工藝與電學(xué)參數(shù)庫， 并協(xié)同EDA 公司共同開發(fā)電磁場仿真的軟件， 開展部分通道直至整個系統(tǒng)級的三維全波電磁場仿真。 對仿真結(jié)果的驗(yàn)證可以通過必要的評價試驗(yàn)， 包括步進(jìn)應(yīng)力試驗(yàn)、 高溫反偏試驗(yàn)、 加速電應(yīng)力耐久性試驗(yàn)和針對具體裝聯(lián)工藝的評價等。

由于微系統(tǒng)產(chǎn)品的高性能、 小型化、 異質(zhì)集成、 結(jié)構(gòu)多樣化和成本需求， 可靠性試驗(yàn)存在樣本數(shù)少、 試驗(yàn)有效性難以保證等諸多難點(diǎn)， 覆蓋生產(chǎn)廠評估、 能力域定義、能力域評估和能力域接收的工藝能力認(rèn)可技術(shù)， 基于能力域評估試驗(yàn)載體的技術(shù)手段， 在可靠性保證重心前移的基礎(chǔ)上， 從基于生產(chǎn)工藝和型號的不同應(yīng)用等級2 個維度減少樣品數(shù)。

材料評價技術(shù)包括材料力、 熱、 電學(xué)的表征技術(shù)， 多應(yīng)力環(huán)境下的性能原位表征技術(shù)， 面向空間服役環(huán)境的微系統(tǒng)產(chǎn)品材料可靠性分析評價技術(shù)和微系統(tǒng)產(chǎn)品材料特定服役條件下的壽命評測技術(shù)。

3.4 微系統(tǒng)產(chǎn)品抗輻射保證

對微系統(tǒng)器件， 現(xiàn)有單一的地面輻照試驗(yàn)評估手段存在射程、 輻射范圍和成本等方面的局限性， 已無法全面、有效地評價器件內(nèi)部功能模塊或芯片發(fā)生輻射效應(yīng)對器件整體功能和性能的影響模式和風(fēng)險。 抗輻射保證涉及的技術(shù)內(nèi)容包括： 輻射效應(yīng)機(jī)理研究、 地面輻照試驗(yàn)、 “粒子輸運(yùn)級-單元級-器件電路級” 多級輻射效應(yīng)仿真預(yù)計和抗輻射單元庫的成熟度評價等， 需要研究并形成有針對性的、系統(tǒng)性的抗輻射能力及其應(yīng)用加固效果的評價和保證方法。

3.5 微系統(tǒng)產(chǎn)品測試

SoC 與SiP 技術(shù)本身的不斷發(fā)展， 大大地增加了測試的復(fù)雜程度， 給測試技術(shù)帶來了嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)。 SoC 與SiP 雖然理論上很相似， 但兩者的測試解決方案有很大的不同。

SoC 技術(shù)以嵌入式系統(tǒng)為核心， 以IP 核復(fù)用技術(shù)為基礎(chǔ)， 采用先進(jìn)的超深亞微米CMOS 工藝， 將處理機(jī)制、 模型算法、 嵌入式軟件和各個層次電路設(shè)計緊密地結(jié)合在單個芯片上， 完成整個系統(tǒng)的功能。 超深亞微米工藝和基于IP 核設(shè)計給SoC 測試帶來了新的挑戰(zhàn)。 通常IP 核供應(yīng)商與SoC 集成商是不同的企業(yè)， 對SoC 集成商來說， IP 核測試是黑盒測試， 很難對測試進(jìn)行優(yōu)化。 IP 核的多樣性帶來了測試的復(fù)雜性； SoC 集成商必須考慮對多樣化IP 核的支持。另外， 測試資源是有限的， 外部測試設(shè)備所能提供的測試通道數(shù)、 ATE 的測試通道深度和測試時間都是稀少資源。SoC 測試應(yīng)考慮所有與此有關(guān)的細(xì)節(jié)， 因而測試已成為SoC設(shè)計流程的重要環(huán)節(jié)。

SiP 的發(fā)展趨勢之一是3D， 3D 器件實(shí)現(xiàn)了芯片層在垂直方向的堆疊， 并且通過TSV 實(shí)現(xiàn)上下層芯片的垂直互連，降低了總線長度和互連線功耗， 減少了信號的傳播延遲。但3D 器件的測試技術(shù)是一項嚴(yán)峻的技術(shù)挑戰(zhàn)。 隨著以TSV為基礎(chǔ)的芯片堆疊復(fù)雜程度的提高， 測試的實(shí)施也將變得更加困難， 需要采用新的可測試性設(shè)計（DFT： Design for Testing） 方法來解決測試資源和測試時間等問題。

4 結(jié)束語

歐美各個知名宇航機(jī)構(gòu)都非常重視并大力推動宇航用微系統(tǒng)產(chǎn)品的技術(shù)發(fā)展和產(chǎn)品應(yīng)用， 宇航用微系統(tǒng)產(chǎn)品的選用呈不斷上升的趨勢； 歐美宇航強(qiáng)國都將宇航用微系統(tǒng)產(chǎn)品的研發(fā)與應(yīng)用作為重點(diǎn)的發(fā)展方向， 明確了微系統(tǒng)產(chǎn)品在下一代國防系統(tǒng)中的應(yīng)用。 隨著國內(nèi)微電子技術(shù)水平的提高， 以及微系統(tǒng)產(chǎn)品在推動宇航型號微小型化、 高功能集成度上的優(yōu)勢日益顯現(xiàn)， 預(yù)計國內(nèi)宇航型號微系統(tǒng)產(chǎn)品需求將顯著地增加。 在需求的牽引和技術(shù)的推動下， 我國開展了各種航空航天微系統(tǒng)技術(shù)的研究， 取得了一定的成果和進(jìn)展， 如星載ASIC 器件、 星載SoC 等已實(shí)現(xiàn)空間應(yīng)用， 但與國際先進(jìn)水平相比， 在整體規(guī)劃、 基礎(chǔ)理論研究、加工制造和應(yīng)用水平上均有不同程度的差距。 微系統(tǒng)技術(shù)領(lǐng)域還有許多尚未解決的難題。 我國應(yīng)在國家層面建立權(quán)責(zé)明確的組織機(jī)構(gòu)， 開展微系統(tǒng)產(chǎn)品發(fā)展戰(zhàn)略研究， 加大對核心關(guān)鍵元器件的支持力度， 建立獨(dú)立自主、 能穩(wěn)定持續(xù)地研發(fā)、 生產(chǎn)和供應(yīng)的航天元器件產(chǎn)品平臺， 提升自主研發(fā)和制造能力， 占領(lǐng)微系統(tǒng)技術(shù)和發(fā)展的制高點(diǎn)。