洪蕾

據(jù)報(bào)道，全球最大半導(dǎo)體代工企業(yè)臺(tái)積電正在與Google等美國(guó)客戶共同測(cè)試、開發(fā)一種先進(jìn)的“整合芯片”封裝技術(shù)，并計(jì)劃于2022年量產(chǎn)。屆時(shí)，Google與AMD將成為其第一批客戶。

臺(tái)積電將此3D封裝技術(shù)命名為SoIC，該方案可以實(shí)現(xiàn)將幾種不同類型的芯片堆疊、連接到一個(gè)封裝實(shí)體之中，因此得到的芯片尺寸更小，性能更強(qiáng)，能耗也更低。多名消息人士稱，此技術(shù)將有助于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)改變當(dāng)前摩爾定律難以延續(xù)的現(xiàn)狀。2018年4月，臺(tái)積電首度對(duì)外界公布了這一技術(shù)方案，它的出現(xiàn)，迎合了“異構(gòu)小芯片集成”的趨勢(shì)，是該領(lǐng)域的關(guān)鍵技術(shù)之一。

根據(jù)臺(tái)積電在會(huì)中的說明，SoIC是一種創(chuàng)新的多芯片堆疊技術(shù)，一種晶圓對(duì)晶圓的鍵合技術(shù)。它是基于臺(tái)積電的晶圓基底芯片（CoWoS）封裝技術(shù)與多晶圓堆疊（WoW）封裝技術(shù)開發(fā)的新一代創(chuàng)新封裝技術(shù)，可以讓臺(tái)積電具備直接為客戶生產(chǎn)3DIC的能力。有別于傳統(tǒng)的封裝技術(shù)，TSMC-SoIC是以關(guān)鍵的銅到銅接合結(jié)構(gòu)，搭配直通硅晶穿孔（TSV）實(shí)現(xiàn)的3D IC技術(shù)。2019年4月，臺(tái)積電宣布完成全球首顆3D IC封裝。

2020年4月，臺(tái)積電宣布封裝技術(shù)再升級(jí)，針對(duì)先進(jìn)封裝打造的晶圓級(jí)系統(tǒng)整合技術(shù)（WLSI）平臺(tái)，通過導(dǎo)線互連間距密度和系統(tǒng)尺寸上持續(xù)升級(jí)，SoIC技術(shù)除了延續(xù)及整合現(xiàn)有整合型扇出（InFO）及CoWoS技術(shù)，在系統(tǒng)單芯片性能上也取得顯著突破。

目前臺(tái)積電已完成TSMC-SoIC制程認(rèn)證，開發(fā)出了微米級(jí)接合間距制程，并獲得較高的電性良率與可靠度數(shù)據(jù)。