馬宇川

光威弈PRO系列DDR4臺(tái)式機(jī)內(nèi)存解析

我們此次收到的是光威弈PRO系列DDR430008GB臺(tái)式機(jī)內(nèi)存，與光威的國(guó)產(chǎn)SSD類似，其產(chǎn)品包裝采用了中國(guó)紅的配色、霸氣的龍頭LOGO，無(wú)一不彰顯出它的中國(guó)元素。不過(guò)在內(nèi)存方面，盡管頻率已經(jīng)達(dá)到DDR43000，但內(nèi)存的外觀設(shè)計(jì)比較簡(jiǎn)單，沒(méi)有裝配散熱片，內(nèi)存顆粒全部裸露出現(xiàn)，也就是俗稱的“裸條”，這也讓我們能仔細(xì)看看它的顆粒。相對(duì)SSD，內(nèi)存的結(jié)構(gòu)更簡(jiǎn)單，主要由PCB與內(nèi)存顆粒、SPD芯片，以及一些輔助供電元件構(gòu)成。因此內(nèi)存顆粒就是內(nèi)存中最為重要的部分，而光威弈PRO系列內(nèi)存采用的顆粒全部由我國(guó)長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司生產(chǎn)、制造。長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)公司位于“創(chuàng)新之都”—安徽合肥。作為一體化存儲(chǔ)器制造商，公司專業(yè)從事動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)芯片即內(nèi)存顆粒的設(shè)計(jì)、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。

光威弈PRO系列DDR430008GB內(nèi)存采用了單面8顆粒設(shè)計(jì)，單顆8Gb組成8GB的容量。顆粒表面有“CXMT”的標(biāo)識(shí)，這就是合肥長(zhǎng)鑫的LOGO，顆粒上的“2016”則應(yīng)該是2020年第16周生產(chǎn)的意思。這款內(nèi)存顆粒是長(zhǎng)鑫通過(guò)收購(gòu)奇夢(mèng)達(dá)的專利技術(shù)，并在奇夢(mèng)達(dá)的46nm工藝上進(jìn)行改進(jìn)，研發(fā)出具有自主產(chǎn)權(quán)的10nm級(jí)（實(shí)際生產(chǎn)工藝為19nm）內(nèi)存顆粒，其生產(chǎn)工藝水平已接近同樣在使用10nm級(jí)生產(chǎn)工藝的國(guó)外內(nèi)存顆粒廠商三星、美光。在延遲設(shè)定上，這款內(nèi)存在DDR43000下的工作延遲為16-18-18-38@2T，延遲設(shè)定并不高，達(dá)到了同類產(chǎn)品的較好水平。當(dāng)然要工作在DDR43000這一頻率下，需要主板支持英特爾XMP或AMDD.O.C.P一鍵超頻技術(shù)。

其他方面，這款內(nèi)存還采用了8層PCB設(shè)計(jì)，采用多層PCB可以讓設(shè)計(jì)人員更從容地控制線長(zhǎng)、線路分布更加合理，線間的干擾與發(fā)熱也能得到減小，為內(nèi)存帶來(lái)更好的電氣性能。接下來(lái)我們特別搭建基于第十代酷睿處理器、Z490主板、GeForceRTX2060Super顯卡的第十代酷睿平臺(tái)對(duì)內(nèi)存的性能進(jìn)行了測(cè)試，測(cè)試中我們采用了兩根光威弈PRO系列DDR430008GB內(nèi)存，組成雙通道系統(tǒng)。

性能表現(xiàn)較好可穩(wěn)定超頻到DDR4 3400

首先從默認(rèn)狀態(tài)下的性能表現(xiàn)來(lái)看，這款內(nèi)存發(fā)揮出了DDR43000內(nèi)存的正常水準(zhǔn)—在雙通道配置下，AIDA64的內(nèi)存讀寫帶寬均突破了43000MB/s，同時(shí)得益于較低的延遲設(shè)置，內(nèi)存的總體訪問(wèn)延遲不到50ns，內(nèi)存延遲控制得比較好。同時(shí)在專業(yè)的SiSoftwareSandra內(nèi)存測(cè)試中，其內(nèi)存帶寬也達(dá)到了29GB/s，內(nèi)存訪問(wèn)延遲只有27.2ns。而在普通用戶常用的《魯大師》5.20的內(nèi)存性能測(cè)試中，這款內(nèi)存的得分也突破了11000分，擊敗全國(guó)99%的用戶。同時(shí)，內(nèi)存也發(fā)揮出了酷睿i7-10700K處理器的性能，其CINEBENCHR20處理器渲染性能達(dá)到4964pts，WinRAR壓縮性能突破28000KB/s，可在1080p分辨率下流暢運(yùn)行游戲大作。

接下來(lái)我們還測(cè)試了光威弈PRO系列DDR430008GB內(nèi)存的超頻能力。經(jīng)多次嘗試，我們發(fā)現(xiàn)在保持延遲設(shè)置為16-18-18-38@2T，內(nèi)存電壓仍維持在1.35V的設(shè)置下，這款內(nèi)存的最高可工作頻率為DDR43400。超頻后，其內(nèi)存性能有了進(jìn)一步提升，如AIDA64內(nèi)存讀寫帶寬均突破48000MB/s，內(nèi)存復(fù)制帶寬從39158MB/s提升到43959MB/s，提升幅度達(dá)12.2%，延遲則降低到46.8ns。同時(shí)在SiSoftwareSandra內(nèi)存帶寬測(cè)試中，成績(jī)也提升到了32GB/s，內(nèi)存整體性能提升幅度也在10%以上，內(nèi)存延遲則從27.2ns降低到25.9ns。

內(nèi)存性能的提升也小幅帶動(dòng)了處理器性能的提升，如WinRAR壓縮性能從28188KB/秒提升到29059KB/秒，CINEBENCHR20處理器渲染性能也從4964pts小幅提升到4969pts。此外在游戲《僵尸世界大戰(zhàn)：部落模式》的1080p分辨率、最高畫質(zhì)設(shè)定下，其平均運(yùn)行幀速也增加了2fps。

最后我們還測(cè)試了光威弈PRO系列DDR430008GB內(nèi)存超頻到DDR43400下的穩(wěn)定性。測(cè)試中運(yùn)行了AIDA64內(nèi)存烤機(jī)測(cè)試，當(dāng)運(yùn)行時(shí)間達(dá)到半小時(shí)后，內(nèi)存沒(méi)有出現(xiàn)任何不穩(wěn)定或藍(lán)屏的現(xiàn)象。從FLIR紅外熱像儀偵測(cè)來(lái)看，雖然內(nèi)存沒(méi)有配備散熱片但得益于先進(jìn)的生產(chǎn)工藝，內(nèi)存的發(fā)熱量并不高，即便在DDR43400下滿載運(yùn)行，內(nèi)存顆粒的表面最高溫度只有53.5℃，內(nèi)存表面平均溫度在43.8℃左右。

國(guó)產(chǎn)自主內(nèi)存進(jìn)步神速

綜合以上體驗(yàn)來(lái)看，光威弈PRO系列DDR430008GB內(nèi)存已經(jīng)達(dá)到了國(guó)外同類產(chǎn)品的水平，它不僅可在默認(rèn)頻率下，提供能夠滿足大部分用戶的性能，更具備可“免費(fèi)”提升400MHz穩(wěn)定超頻到DDR43400的能力，為用戶帶來(lái)明顯的性能提升，而且內(nèi)存在超頻后的發(fā)熱量也不大。當(dāng)然，我們也希望光威能為這款內(nèi)存加上散熱片，一方面可以降低內(nèi)存的工作溫度，提高內(nèi)存的散熱效率，一方面也可以提升內(nèi)存的外觀形象，給用戶更好的觀感。

值得稱贊的是，采用19nm顆粒的光威弈PRO系列DDR4內(nèi)存只是國(guó)產(chǎn)內(nèi)存的第一步，根據(jù)長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的產(chǎn)品規(guī)劃圖顯示，預(yù)計(jì)在今年底長(zhǎng)鑫還會(huì)量產(chǎn)更加先進(jìn)的17nm顆粒，在未來(lái)2～3年還將完成低功耗、高速率LPDDR5內(nèi)存、GDDR6顯存的研發(fā)、生產(chǎn)，以及14nm、15nm生產(chǎn)工藝的研發(fā)，進(jìn)一步追上國(guó)外廠商的技術(shù)水平。顯然與國(guó)產(chǎn)SSD一樣，國(guó)產(chǎn)內(nèi)存的問(wèn)世時(shí)間盡管不早，但其發(fā)展速度卻疾如雷電，更多的驚喜還將接踵而至。