2021年7月20日，韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局網(wǎng)站發(fā)布半導(dǎo)體芯片制程技術(shù)專(zhuān)利趨勢(shì)分析結(jié)果，研究發(fā)現(xiàn)，引領(lǐng)半導(dǎo)體芯片制程技術(shù)的鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管技術(shù)（Fin Field-Effect Transistor，F(xiàn)inFET）正在失勢(shì)，全環(huán)柵晶體管技術(shù)（Gate all around Field Effect Transistor，GAAFET）正在興起。

未來(lái)人工智能等技術(shù)領(lǐng)域需要處理的數(shù)據(jù)量將劇增，為了處理大量的數(shù)據(jù)，需要比目前的5nm制程工藝更精密的3nm制程工藝。因此，相對(duì)于FinFET更先進(jìn)的下一代半導(dǎo)體微型化技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)也將更加激烈。主要分析結(jié)論如下：

（1）此前一直作為半導(dǎo)體芯片制程技術(shù)支柱的FinFET技術(shù)專(zhuān)利申請(qǐng)數(shù)量從2017年開(kāi)始轉(zhuǎn)為下降，而新出現(xiàn)的GAA技術(shù)專(zhuān)利申請(qǐng)數(shù)量增長(zhǎng)顯著。

（2）FinFET技術(shù)已呈現(xiàn)出中國(guó)、韓國(guó)、美國(guó)企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)的態(tài)勢(shì)；GAA技術(shù)呈現(xiàn)以臺(tái)韓企業(yè)引領(lǐng)、美國(guó)企業(yè)在追趕的態(tài)勢(shì)。

（3）臺(tái)積電和三星電子將在GAAFET技術(shù)展開(kāi)更加激烈的競(jìng)爭(zhēng)。據(jù)悉，三星電子計(jì)劃在2022年的3nm制程工藝開(kāi)始應(yīng)用GAA技術(shù)，或成為全球首個(gè)對(duì)該技術(shù)的產(chǎn)業(yè)應(yīng)用。臺(tái)積電已宣布在2023年的2nm制程工藝開(kāi)始引進(jìn)GAA技術(shù)。FinFET技術(shù)領(lǐng)域位居第二的中芯國(guó)際目前并未進(jìn)入GAAFET技術(shù)排名。分析認(rèn)為，尖端半導(dǎo)體領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)主要是在美國(guó)、韓國(guó)、中國(guó)臺(tái)灣之間。

（4）目前世界上能用5nm以下制程工藝技術(shù)制造半導(dǎo)體芯片的企業(yè)只有臺(tái)積電和三星電子，但近期美國(guó)英特爾公司進(jìn)軍芯片制造行業(yè)，拜登政府也集中投資半導(dǎo)體技術(shù)，預(yù)計(jì)尖端半導(dǎo)體技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)將變得更加激烈。因此，率先革新技術(shù)是防止后來(lái)者進(jìn)入該行業(yè)的最佳捷徑。

羅毅（上海外國(guó)語(yǔ)大學(xué)）編譯自

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