楊程響,石 斌,王 振,王慶杰
(貴州梅嶺電源有限公司,特種化學(xué)電源國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,貴州遵義 563003)
傳統(tǒng)鋰離子電池的電解液易揮發(fā)、易泄漏、在極端溫度環(huán)境下易分解/失活,隔膜容易被負(fù)極表面產(chǎn)生的枝晶或受壓變形而刺穿短路,存在安全與壽命問題[1-2]。為解決安全問題,快離子導(dǎo)體型無機(jī)固體電解質(zhì)已應(yīng)用于固態(tài)鋰離子電池中。與其他無機(jī)固體電解質(zhì)相比,NASICON型LiM2(PO4)3(M=Ti、Ge、Zr和Hf)具有高室溫離子電導(dǎo)率和良好的環(huán)境穩(wěn)定性,有望得到實(shí)用[3]。斜方六面體LiTi2(PO4)3是綜合性能良好、原材料來源廣泛和制備成本低廉的優(yōu)選材料之一,但傳統(tǒng)固態(tài)反應(yīng)法制備的LiTi2(PO4)3陶瓷電解質(zhì)孔隙率較大,降低了離子電導(dǎo)率[4]。
可移動離子的濃度與晶胞中缺陷位的密度、晶界特性有關(guān)。調(diào)控晶界離子電導(dǎo)率的常用方法有:用異價(jià)元素替代摻雜,調(diào)控空位濃度;摻雜相同電荷、不同離子半徑的元素,調(diào)控離子擴(kuò)散通道的大小;通過界面修飾或界面元素富集,調(diào)控界面處空間電荷層的性質(zhì)[5]。摻雜Al3+、Ga3+等3價(jià)陽離子,部分取代LiTi2(PO4)3中的Ti4+,可提高離子電導(dǎo)率[6]。
本文作者采用改進(jìn)型溶膠-凝膠法制備 Li1.3Al0.3Ti1.7(PO4)3(LATP)粉體材料,研究摻雜鋰鹽(硝酸鋰,LiNO3)、正硅酸乙酯和氧化鍺(GeO2)對LATP燒結(jié)性能、晶體結(jié)構(gòu)及離子導(dǎo)電性能的影響,分析摻雜提升離子電導(dǎo)率的機(jī)理。
LATP粉體的合成:配制0.4 mol/L檸檬酸(國藥集團(tuán),AR)溶液,按 LATP的化學(xué)計(jì)量比稱取鈦酸四丁酯[Ti(OC3H7)4,國藥集團(tuán),AR],用足量氨水(重慶產(chǎn),AR)抽濾洗滌數(shù)次,再緩慢加入盛有檸檬酸溶液的反應(yīng)容器中,在90℃下磁力攪拌6 h,形成類澄清液體;隨后依次稱取LiNO3(國藥集團(tuán),AR)、磷酸二氫銨(NH4H2PO4,成都產(chǎn),AR)、硝酸鋁[Al(NO3)3,成都產(chǎn),AR]和摻雜物[LiNO3、正硅酸乙酯(國藥集團(tuán),AR)和GeO2(國藥集團(tuán),AR),摻雜量(摻雜物物質(zhì)的量與LATP中nLi+的比例)均為10%],并稱取檸檬酸、稱量乙二醇加到反應(yīng)容器中,檸檬酸、金屬陽離子(Li+、Al3+和Ti4+)和乙二醇物質(zhì)的量比2∶1∶2,在125℃下磁力攪拌8 h,形成均一穩(wěn)定的白色凝膠。將白色凝膠在180℃下烘干4 h,形成深色塊狀物;再在馬弗爐內(nèi)以3℃/min的速率升溫至700℃并預(yù)燒8 h;自然冷卻后,用XQM2-2L變頻行星式球磨機(jī)(南京產(chǎn)),以公自轉(zhuǎn)各200 Hz的轉(zhuǎn)速球磨(球料比2∶1)8 h,得到預(yù)燒粉體。
LATP燒結(jié)體的制備:以200 MPa壓力將預(yù)燒粉體壓片成型(φ=18mm,厚度為2 mm),以3℃/min的速率升溫至950℃并煅燒8 h,自然冷卻,得到快離子導(dǎo)體LATP。燒結(jié)體兩面磨砂,涂覆導(dǎo)電鉑漿,再在300℃下燒結(jié)0.5 h。
用DSC/TG聯(lián)用熱分析儀(美國產(chǎn))分析前驅(qū)體的熱分解過程;用D/max-γB型X射線衍射儀(荷蘭產(chǎn))分析LATP的相組成,Cu靶、Ni片過濾,石墨單色器,管壓30 kV、管流10mA,掃描速度為5(°)/min,步長為0.02°;用EVO 18掃描電子顯微鏡(德國產(chǎn))觀察LATP的微觀形貌。用CHI660E1電化學(xué)工作站(上海產(chǎn))測試電化學(xué)阻抗譜(EIS),頻率為1~1×106Hz,交流振幅為10 mV。
為了得到LATP前驅(qū)體的熱處理?xiàng)l件,進(jìn)行熱失重測試,測試結(jié)果如圖1所示。
圖1 LATP的熱失重曲線Fig.1 Thermal gravimetric curves of LATP
從圖1可知,0~100℃的失重是樣品中殘余水分的蒸發(fā);100~160℃的失重趨于平緩;160~600℃的失重主要是結(jié)晶水在熱作用下脫離硝酸鹽所致。當(dāng)溫度高于600℃時(shí),樣品的質(zhì)量幾乎不變,剩余含量穩(wěn)定在36.5%。
摻雜前后制備的LATP的XRD圖見圖2,相應(yīng)的XRD物相數(shù)據(jù)見表1。
圖2 摻雜前后制備的LATP的XRD圖Fig.2 XRD patterns of LATP prepared before and after doping
表1 摻雜前后制備的LATP的XRD數(shù)據(jù)Table 1 XRD data of LATP prepared before and after doping
摻雜制備的LATP均有明顯的NASICON型R3c結(jié)構(gòu)的LiTi2(PO4)3衍射峰,與標(biāo)準(zhǔn)相LiTi2(PO4)3(PDF:35-0754)一致。摻雜LiNO3制備的LATP,衍射峰強(qiáng)明顯增大,與標(biāo)準(zhǔn)相LiTi2(PO4)3相比,a、b軸尺寸、晶胞體積減小,c軸尺寸和理論密度增大;摻雜正硅酸乙酯制備的LATP,衍射峰強(qiáng)略微減小,在26.8°形成一個較弱的峰,可確定為SiO2相(PDF:65-0466),與標(biāo)準(zhǔn)相LiTi2(PO4)3相比,a、b軸尺寸、晶胞體積均減小,c軸尺寸和理論密度增大。摻雜 GeO2制備的LATP,衍射峰強(qiáng)無明顯變化;與標(biāo)準(zhǔn)相LiTi2(PO4)3相比,a、b、c軸尺寸、晶胞體積均減小,理論密度增大。
摻雜前后制備的LATP的EIS測試結(jié)果如圖3所示,相應(yīng)的EIS數(shù)據(jù)見表2。
圖3 摻雜前后制備的LATP的EISFig.3 EISof LATP prepared before and after doping
表2 摻雜前后制備的LATP的EIS數(shù)據(jù)Table 2 EIS data of LATP prepared before and after doping
摻雜制備的LATP,EIS呈大圓弧+直線的狀態(tài),總離子電導(dǎo)率主要受晶界效應(yīng)控制。與未摻雜制備的LATP相比,摻雜LiNO3制備的LATP的晶粒阻抗和晶界阻抗均減小,室溫總離子電導(dǎo)率達(dá)到相對最佳值8.49×10-4S/cm;摻雜GeO2制備的LATP的晶粒阻抗減小,晶界阻抗也相應(yīng)減小,室溫總離子電導(dǎo)率達(dá)到相對最佳值,晶粒離子電導(dǎo)率達(dá)到3.00×10-3S/cm,總離子電導(dǎo)率最高達(dá)到7.96×10-4S/cm;摻雜正硅酸乙酯制備的LATP的晶粒阻抗減小,晶界阻抗也減小,室溫總離子電導(dǎo)率達(dá)到相對最佳值9.44×10-4S/cm。
LATP的SEM圖見圖4。
圖4 摻雜前后制備的LATP的SEM圖Fig.4 SEM photographs of LATP before and after doping
綜合來看,快離子導(dǎo)體的總離子電導(dǎo)率主要受晶界效應(yīng)控制;摻雜有利于改善LATP的離子傳輸通道。摻雜LiNO3,大幅提高離子電導(dǎo)率的主要原因可能是,未摻雜時(shí)鋰源在高溫下以Li2O形式揮發(fā),降低了Li+的可遷移率、減小離子電導(dǎo)率;摻雜正硅酸乙酯,改善離子電導(dǎo)率的可能原因是,硅進(jìn)入LATP的晶胞結(jié)構(gòu)、改善了離子遷移通道。
測試未摻雜時(shí)LATP在不同溫度下的離子電導(dǎo)率,并以ln(σT)-1 000/T作圖,曲線見圖5。
圖5 未摻雜時(shí)不同測試溫度下LATP的離子電導(dǎo)率Fig.5 Ionic conductivity of LATP at different temperatures without doping
經(jīng)過擬合計(jì)算,擬合曲線方程為:
依據(jù)式(2),可推導(dǎo)出式(3)。
式(2)、(3)中:A為活化能系數(shù);e為自然常數(shù);Ea為活化能。綜合可知:Ea為0.33eV,ln(A)為11.963。
采用改進(jìn)型溶膠-凝膠法制備Li1.3Al0.3Ti1.7(PO4)3粉體材料,探究不同種類摻雜前后對Li1.3Al0.3Ti1.7(PO4)3材料的燒結(jié)性能、晶體結(jié)構(gòu)和離子導(dǎo)電性能的影響。分別研究未摻雜、摻雜LiNO3、正硅酸乙酯及GeO2對LATP電化學(xué)性能的影響,總的來看,摻雜有助于提高LATP的總離子電導(dǎo)率,降低晶界阻抗,且摻雜正硅酸乙酯的效果好于摻雜LiNO3。在摻雜正硅酸乙酯條件下,晶粒離子電導(dǎo)率達(dá)7.28×10-3S/cm,室溫總離子電導(dǎo)率達(dá)到相對最佳值9.44×10-4S/cm。