安森美半導體發(fā)布一系列新的碳化硅（SiC）MOSFET器件，適用于功率密度、能效和可靠性攸關的高要求應用。設計人員用新的SiC器件取代現(xiàn)有的硅開關技術，將在電動汽車（EV）車載充電器（OBC）、太陽能逆變器、服務器電源（PSU）、電信和不間斷電源（UPS）等應用中實現(xiàn)顯著更好的性能。

安森美半導體新的車規(guī)AECQ101和工業(yè)級合格的650 V SiC MOSFET基于一種新的寬禁帶材料，提供比硅更勝一籌的開關性能和更好的熱性能，因而提高系統(tǒng)級能效、功率密度，及減小電磁干擾（EMI）、系統(tǒng)尺寸和重量。

新一代SiC MOSFET采用新穎的有源單元設計，結合先進的薄晶圓技術，可在650 V擊穿電壓實現(xiàn)高品質因數(shù)Rsp（Rdson * area）。NVBG015N065SC1、NTBG015N065SC1、NVH4L015N065SC1和NTH4L015N065SC1采用D2PAK7L和To247封裝，具有市場極低的Rdson（12 mOhm）。此技術還優(yōu)化能量損失品質因數(shù)，從而優(yōu)化了汽車和工業(yè)應用中的性能。內置門極電阻（Rg）為設計人員提供更大的靈活性，而無需使用外部門極電阻人為地降低器件的速度。更高的浪涌、雪崩能力和短路魯棒性都有助于增強耐用性，從而提供更高的可靠性和更長的器件使用壽命。

在現(xiàn)代電源應用中，如電動汽車（EV）車載充電器（OBC）和可再生能源、企業(yè)計算及電信等其他應用， 高能效、可靠性和功率密度是設計人員一直面臨的挑戰(zhàn)。這些新的SiC MOSFET比同等的硅開關技術顯著提高性能，使工程師能夠滿足這些具有挑戰(zhàn)性的設計目標。增強的性能降低損耗，從而提高能效，減少熱管理需求，并降低電磁干擾（EMI）。使用這些新的SiC MOSFET的最終結果是更小、更輕、更高效和更可靠的電源方案。

新器件均為表面貼裝，并提供行業(yè)標準封裝類型，包括TO247和D2PAK。