從目前第三代半導(dǎo)體材料及器件的研究來(lái)看，較為成熟的第三代半導(dǎo)體材料是SiC和GaN，而ZnO、金剛石、氮化鋁等第三代半導(dǎo)體材料的研究尚屬起步階段。

換言之，碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)是目前最為成熟的，商業(yè)化程度最高的第三代半導(dǎo)體材料，資本市場(chǎng)就是如此，有的時(shí)候很浪漫，比如酒的故事可以說(shuō)上200年，有的時(shí)候的確很現(xiàn)實(shí)，沒(méi)有盈利模式就一無(wú)是處，薄膜光伏電池、第三代半導(dǎo)體都是如此。

GaN是一種III/V直接帶隙半導(dǎo)體，通常用于微波射頻、電力電子和光電子三大領(lǐng)域。受電信基礎(chǔ)設(shè)施和國(guó)防兩個(gè)方向應(yīng)用推動(dòng)，加上衛(wèi)星通信、有線寬帶和射頻功率的需求增長(zhǎng)，根據(jù)中信建投的測(cè)算，GaN射頻市場(chǎng)將從2018年的6．45億美元增長(zhǎng)到2024年的約20億美元。在GaN RF領(lǐng)域內(nèi)，美日廠商遙遙領(lǐng)先，而相關(guān)專利領(lǐng)域的新進(jìn)入者主要是中國(guó)廠商，例如 HiWafer(海威華芯)，三安集成、華進(jìn)創(chuàng)威。

現(xiàn)行汽車的特點(diǎn)和功能是耗電和電子驅(qū)動(dòng)，給傳統(tǒng)的12V配電總線帶來(lái)了額外負(fù)擔(dān)。對(duì)于48V總線系統(tǒng)， GaN 技術(shù)可提高效率、縮小尺寸并降低系統(tǒng)成本。綜合來(lái)看，GaN 在汽車電子方面擁有豐富的應(yīng)用場(chǎng)景。

由于GaN充電器具有體積小、發(fā)熱低、功率高、支持PD協(xié)議的特點(diǎn)，GaN充電器有望在未來(lái)統(tǒng)一筆記本電腦和手機(jī)的充電器市場(chǎng)。隨著中國(guó)OEM廠商OPPO在其65W快速充電器中采用 GaN HEMT，功率 GaN 正在進(jìn)入主流消費(fèi)應(yīng)用。

GaN 是藍(lán)光LED 的基礎(chǔ)材料，在 Micro LED、紫外激光器中也有重要應(yīng)用。Micro LED被認(rèn)為是下一代顯示技術(shù)，而硅襯底GaN 基技術(shù)的特性是制造 Micro LED 芯片的天然選擇。 (網(wǎng)易號(hào))