一家專(zhuān)門(mén)從事合成、實(shí)驗(yàn)室培育的電子級(jí)金剛石材料的制造和應(yīng)用的科技公司AKHAN Semiconductor 上個(gè)月宣布，公司面向半導(dǎo)體、電信、消費(fèi)行業(yè)和全球市場(chǎng)展示了能夠制造 300 毫米互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體 (CMOS) 金剛石晶圓。

近日，AKHAN半導(dǎo)體公司董事長(zhǎng)亞當(dāng)·汗(Adam Khan)在接受采訪(fǎng)時(shí)表示，將推動(dòng)金剛石半導(dǎo)體器件在汽車(chē)領(lǐng)域的應(yīng)用。

在碳化硅和氮化鎵市場(chǎng)看到的一切都很容易成為金剛石半導(dǎo)體的一部分，Khan在采訪(fǎng)中說(shuō)，金剛石是碳化硅的直接競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。他指出，與碳化硅的200℃(392°F)上限不同，金剛石可以在500℃以上工作。

自2014年以來(lái)，該公司一直在為洛克希德·馬丁公司和霍尼韋爾公司等客戶(hù)生產(chǎn)200毫米金剛石晶圓。AKHAN向300毫米金剛石晶圓的轉(zhuǎn)變是為了滿(mǎn)足更廣泛的設(shè)備需求。

在軍事航空應(yīng)用中面臨的許多類(lèi)似挑戰(zhàn)(如高溫)也適用于汽車(chē)行業(yè)，在汽車(chē)行業(yè)，必須降低發(fā)動(dòng)機(jī)的總體熱損耗。據(jù)Khan稱(chēng)，AKHAN押注其向300毫米的轉(zhuǎn)變將使金剛石與現(xiàn)有工藝和生產(chǎn)線(xiàn)兼容，同時(shí)2024年將生產(chǎn)成本降低到與硅具有競(jìng)爭(zhēng)力的水平。

“因?yàn)槲覀冎谱鞯氖且粚臃浅１〉慕饎偸?，所以比我們以前使用的每單位面積或每磅氮化鎵便宜。它現(xiàn)在也比碳化硅便宜。”

不過(guò)，Khan承認(rèn)，金剛石半導(dǎo)體并非行業(yè)顛覆。阻礙金剛石應(yīng)用的一個(gè)主要因素是半導(dǎo)體摻雜工藝。金剛石的P型或硼摻雜會(huì)產(chǎn)生一些額外的導(dǎo)電性。使用砷或磷對(duì)金剛石進(jìn)行N型摻雜是自20世紀(jì)60年代以來(lái)的研究重點(diǎn)，一直是AKHAN商業(yè)化的目標(biāo)。他預(yù)測(cè)，“金剛石半導(dǎo)體器件將很快用于汽車(chē)功率逆變器。”