西安航空計(jì)算技術(shù)研究所 王志強(qiáng) 劉 陶 左清清
江西洪都航空工業(yè)集團(tuán)有限責(zé)任公司 黃子露
在航空機(jī)載領(lǐng)域,飛行任務(wù)系統(tǒng)中存在大量的關(guān)鍵性數(shù)據(jù),這些數(shù)據(jù)一旦被敵方截獲,會(huì)對(duì)戰(zhàn)場(chǎng)態(tài)勢(shì)產(chǎn)生重大影響。針對(duì)復(fù)雜戰(zhàn)場(chǎng)態(tài)勢(shì)下機(jī)載數(shù)據(jù)安全的需求,本文以電子對(duì)抗告警分機(jī)為例,通過(guò)對(duì)毀鑰電路采用硬件損毀的方式對(duì)FLASH芯片進(jìn)行毀傷,并對(duì)毀傷結(jié)果進(jìn)行分析,評(píng)估毀鑰技術(shù)的效果,從根本上消除數(shù)據(jù)恢復(fù)條件,防止數(shù)據(jù)被截獲。
在航空機(jī)載領(lǐng)域,飛行任務(wù)系統(tǒng)中存在各種關(guān)鍵數(shù)據(jù)。為保證數(shù)據(jù)的安全性,在某一些特殊情況下,需要將保密信息、涉密工作參數(shù)等關(guān)鍵信息進(jìn)行擦除和破壞,以免關(guān)鍵數(shù)據(jù)信被敵方截獲。
本文針對(duì)某型電子對(duì)抗告警分機(jī)關(guān)鍵數(shù)據(jù)安全需求,采用硬件損毀方式對(duì)存儲(chǔ)載體進(jìn)行物理銷毀,通過(guò)對(duì)毀傷結(jié)果的分析,驗(yàn)證毀鑰電路可以從根本上消除數(shù)據(jù)恢復(fù)條件,防止數(shù)據(jù)泄露。
告警計(jì)算機(jī)內(nèi)存在關(guān)鍵的涉密信息,在特殊情況下,需要對(duì)存儲(chǔ)體中的保密信息進(jìn)行毀鑰,存儲(chǔ)體采用FLASH進(jìn)行關(guān)鍵信息的存儲(chǔ),因此毀鑰對(duì)象為L(zhǎng)ASH及其存儲(chǔ)信息。毀鑰電路做法是將28V接入FLASH的供電管腳,進(jìn)行物理銷毀。系統(tǒng)毀鑰的具體實(shí)現(xiàn)電路見(jiàn)圖1。
圖1 毀鑰電路圖
當(dāng)系統(tǒng)毀鑰信號(hào)“浮空”時(shí),繼電器管腳2連接4,6連接8,正向輸出3.3V電源給FLASH_VCC并提供GND地回路,F(xiàn)LASH正常工作;當(dāng)系統(tǒng)毀鑰信號(hào)“有效”時(shí),系統(tǒng)毀鑰信號(hào)同時(shí)進(jìn)入告警計(jì)算機(jī)處理器模塊內(nèi)部和延時(shí)繼電器。其中模塊識(shí)別毀鑰信號(hào)后觸發(fā)最高級(jí)中斷,中斷程序完成對(duì)FLASH芯片的“寫(xiě)0”覆蓋;毀鑰信號(hào)進(jìn)入延時(shí)進(jìn)電器后,延遲特定時(shí)間(“寫(xiě)0”覆蓋時(shí)間+時(shí)間余量),待FLASH完成數(shù)據(jù)覆蓋后,管腳2連接8,7連接1,繼電器管腳2連接5,6連接1,輸出+28V及28VGND信號(hào),燒毀FLASH。
圖2 Flash存儲(chǔ)器代碼
圖3 芯片43端口金相形貌
毀鑰試驗(yàn)完成后,在常溫條件下,告警計(jì)算機(jī)加電后通過(guò)超終端窗口未觀察到任何打印信息,告警計(jì)算機(jī)沒(méi)有啟動(dòng)工作。正常情況下,告警計(jì)算機(jī)啟動(dòng)后運(yùn)行自檢測(cè)試(PUBIT),并通過(guò)串口輸出測(cè)試結(jié)果。自檢測(cè)試等程序代碼(應(yīng)用程序、密鑰等)位于Flash存儲(chǔ)器中。通過(guò)仿真器連接CPU模塊,觀察Flash存儲(chǔ)器中的代碼。圖2為引導(dǎo)Flash存儲(chǔ)器代碼區(qū)域的截圖。通過(guò)圖2可以看到,F(xiàn)lash存儲(chǔ)器中代碼均為0,說(shuō)明Flash存儲(chǔ)器區(qū)域無(wú)法讀取有效的代碼。
為了更進(jìn)一步分析Flash存儲(chǔ)器內(nèi)部的毀傷情況,將存儲(chǔ)芯片進(jìn)行失效分析。分析過(guò)程包括外觀檢查、I-V特性測(cè)試、X光檢查、開(kāi)封檢查等項(xiàng)目。Flash存儲(chǔ)器芯片表面標(biāo)識(shí)清晰無(wú)異常。I-V特性測(cè)試發(fā)現(xiàn)電源地之間存在短路或異常漏電。X光檢查發(fā)現(xiàn)43端口(43端口對(duì)應(yīng)信號(hào)為VCC)鍵合絲均存在過(guò)流燒毀現(xiàn)象。在金相顯微鏡下對(duì)芯片表面進(jìn)行觀察,發(fā)現(xiàn)Flash存儲(chǔ)器芯片43端口及鍵合絲(43端口對(duì)應(yīng)信號(hào)為VCC)均存在過(guò)電流燒毀痕跡,其余部位無(wú)電損傷痕跡。43端口電路燒毀典型金相形貌如圖3所示。
當(dāng)告警分機(jī)進(jìn)行毀鑰操作后,F(xiàn)LASH存儲(chǔ)器已無(wú)法訪問(wèn),F(xiàn)LASH內(nèi)部端口及鍵合絲過(guò)流燒毀,存儲(chǔ)器失效。因此,實(shí)施毀鑰后的Flash存儲(chǔ)器芯片,存儲(chǔ)功能失效,不能讀取數(shù)據(jù)。根據(jù)硬件設(shè)計(jì),毀鑰電壓僅與Flash存儲(chǔ)器芯片電壓輸入端相連,因此僅對(duì)Flash存儲(chǔ)器芯片有毀傷功能,對(duì)其它功能電路無(wú)毀傷效果,不影響其它硬件電路功能。
結(jié)束語(yǔ):該分機(jī)通過(guò)毀鑰電路采用硬件損毀的方式對(duì)FLASH芯片進(jìn)行毀傷,通過(guò)對(duì)毀傷結(jié)果進(jìn)行分析,評(píng)估了毀鑰技術(shù)的效果,可以從根本上消除數(shù)據(jù)恢復(fù)條件,防止數(shù)據(jù)被截獲,并滿足復(fù)雜戰(zhàn)場(chǎng)態(tài)勢(shì)下機(jī)載數(shù)據(jù)安全的需求。