光伏材料與技術(shù)國家重點實驗室 英利能源(中國)有限公司 劉 瑩 張 偉 吳萌萌 李英葉 陳志軍
離子注入技術(shù)已經(jīng)成功的從IC(集成電路)制造中延伸到了太陽能池的制造過程中,并且成為N型單晶太陽能池的研究熱點。我們在電阻率為1-3Ω.cm的N型硅片基底上,采用離子注入技術(shù)工業(yè)化生產(chǎn)的太陽能電池的最高效率達到12.2%,平均轉(zhuǎn)化效率為20.9%。我們還進行了離子注入摻雜技術(shù)對方塊電阻的摻雜曲線、均勻性、及電池參數(shù)的影響研究。
高效率低成本是太陽能電池技術(shù)的發(fā)展方向,電池效率的提升將依賴于新材料,新結(jié)構(gòu),新工藝的建立。目前P型硅電池的效率瓶頸已越發(fā)明顯,N型晶體硅電池由于其高少子壽命和無光致衰減等特性,具有更大的效率提升空間和穩(wěn)定性。N-PERT(N-type Passivated Emitter,Rear Totally-diffused cell),鈍化發(fā)射極背面全擴散電池的背場結(jié)構(gòu)以及正背面的鈍化層都可以有效降低電池的表面復(fù)合,提高電池效率,同時,該結(jié)構(gòu)電池具有具有結(jié)構(gòu)簡單,制備成本低,工藝流程短等優(yōu)點。本文研究主要內(nèi)容有:(1)離子注入N-PERT的電池結(jié)構(gòu)及制備過程;(2)將離子注入技術(shù)應(yīng)用于N-PERT電池中,分析其對背場摻雜均勻性和電池參數(shù)的影響。
N-PERT電池是一種典型的雙面電池,其正面為硼摻雜的發(fā)射極,背面為磷摻雜的背場,正背面均有氧化硅鈍化層、氮化硅減反射膜和金屬電極。N-PERT電池的制備過程中硼、磷摻雜過程多采用了高溫?zé)釘U散方式,在不增加其他工序的條件下,其他常規(guī)熱擴散方很難形成雙面均勻的摻雜層,成為N-PERT電池效率提升的技術(shù)難題。
為提高N-PERT電池的背場質(zhì)量,同時簡化制備過程,我們引入了磷離子注入技術(shù),用它代替常規(guī)的POCl3熱擴散,圖1為離子注入N-PERT電池的工藝流程圖。
圖1 離子注入N-PERT電池工藝流程圖
分別采用磷離子注入方式以及常規(guī)管式POCl3擴散方式對硅片的表面進行磷摻雜,并使用四探針測試儀對方塊電阻進行測試。離子注入方式采用4.0E15 ions/cm2的注入劑量,POCl3擴散采用850℃、30min的工藝;后續(xù)進行900℃、15min的退火處理。為查看其均勻性,我們對硅片進行49點方塊電阻進行掃描測試,得出數(shù)據(jù)如圖2所示。同時,我們通過ECV測試對磷離子注入和磷擴散對應(yīng)的磷摻雜濃度進行比對,如圖3所示。
圖2 磷擴散與磷離子注入方塊電阻對比
圖3 不同摻雜方式的磷摻雜濃度分布對比
表1 電池電學(xué)參數(shù)
圖2中可以看出通過磷擴散的方塊電阻在22-32Ω/□范圍內(nèi),標準偏差為2.45%;而磷離子注入的方塊電阻在28-32Ω/□范圍內(nèi),其標準偏差為0.64%,磷注入方式的均勻性明顯好于磷擴散方式。圖3中磷注入方式比磷擴散方式的摻雜濃度整體降低,雜質(zhì)摻雜濃度低同樣可以降低其表面復(fù)合速率。
為進一步驗證離子注入和磷擴散兩種方式引起的電池性能的差異,我們實驗兩組硅片,每組300片,G1為磷擴散電池,G2為磷離子注入電池。表1列出了電池的電學(xué)參數(shù)。磷擴散電池與磷離子注入電池的正面電池平均效率分別為20.40%和20.95%,磷離子注入電池有0.55%的效率增益,主要來自于開路電壓和電流密度的提升。這是因為受高溫下固溶度的影響,磷擴散的背面摻雜濃度很難降低,而磷離子注入技術(shù)能夠使電池背面的摻雜濃度得到有效降低。
結(jié)論:綜上所述,磷離子注入N型電池比磷擴散N型電池的電池性能有有顯著提高。磷離子注入后背場摻雜的均勻性明顯改善。另外,磷離子注入技術(shù)使背場摻雜濃度降低,有效降低電池背面的復(fù)合損失;磷離子注入電池的電池效率明顯高于磷擴散電池的電池效率,電池效率絕對值增益達到0.55%。