石 芬

（西安航空職業(yè)技術(shù)學院，陜西西安710089）

隨著半導體工藝節(jié)點的不斷推進，F(xiàn)lash遇到了越來越多的瓶頸問題，如浮柵厚度不能隨器件尺寸的減小而無限制減薄[1]。此外，F(xiàn)lash的其他缺點如寫入速度慢、操作電壓高等也限制了其應用，這就迫使人們尋找性能更為優(yōu)越的下一代非揮發(fā)存儲器。互聯(lián)網(wǎng)和電子產(chǎn)品的高速發(fā)展，對現(xiàn)有信息存儲產(chǎn)品的性能提出了高速度、高密度、長壽命、低成本和低功耗等更高要求，迫切需要在存儲器材料和技術(shù)方面取得突破[2]。

最有可能替代Flash存儲器的新型非揮發(fā)存儲器主要有：相變存儲器、電阻存儲器、磁存儲器和鐵電存儲器。與其他非揮發(fā)存儲器相比，電阻存儲器具有操作電壓低、低功耗、高寫入速度、非破壞性讀取、保持時間長、結(jié)構(gòu)簡單、與傳統(tǒng)CMOS（互補金屬氧化物半導體）工藝相兼容等優(yōu)點。電阻存儲器所用的阻變材料有二元金屬氧化物、鈣鈦礦結(jié)構(gòu)三元化合物等，其中二元金屬氧化物因它的組成結(jié)構(gòu)簡單，與傳統(tǒng)CMOS工藝兼容性而成為電阻存儲器主流研究領(lǐng)域，具備存儲特性的二元金屬氧化物種類有很多，如A12O3、TiO2[3]等。

本文通過溶膠-凝膠法在硅基板上采用浸漬提拉法制備出表面質(zhì)量良好的氧化鈦薄膜。對氧化鈦薄膜進行電學性能測試，研究氧化鈦薄膜的電阻反轉(zhuǎn)特性和表面形貌。

1 實驗

將一定量的鈦酸丁酯在磁力攪拌器作用下充分溶解在乙二醇甲醚中，隨后加入苯酰丙酮繼續(xù)攪拌直到澄清，靜置24h待用。在硅基板上采用浸漬提拉法制備氧化鈦凝膠膜。

薄膜的電學性能通過半導體表征系統(tǒng)測試，圖1是薄膜的結(jié)構(gòu)測試示意圖。在硅基板上通過超聲噴霧法制備底電極，而通過離子濺射法制備頂電極，構(gòu)成典型的類似電容的三明治結(jié)構(gòu)的存儲單元。測試樣品的I-Ⅴ特性曲線，方法為：將待測樣品置于探針臺，探針臺的一個探針與待測樣品底電極接觸，另一探針則與其頂電極接觸，在保證兩個探針與底頂電極接觸良好的條件下，對樣品施加偏置電壓，儀器記錄樣品的I-Ⅴ特性曲線。采用AFM測定薄膜的表面形貌。

圖1 薄膜結(jié)構(gòu)測試示意圖Fig.1 Schematic structure of Pt/TiO2/SnO2 RRAM cell

2 結(jié)果與分析

2.1 氧化鈦薄膜的電學性能

圖2 是氧化鈦薄膜施加電壓15Ⅴ的I-Ⅴ特性曲線圖。當施加電壓到11.7Ⅴ時，通過薄膜的電流變大，此時器件處于低阻狀態(tài)，由圖得出此時的電阻為7.8×105歐姆；當電壓到12Ⅴ時，電流突然急劇下降接近于零，器件處于高阻態(tài)，此時電阻值幾乎為無窮大。

圖2 氧化鈦薄膜施加電壓15V的I-V特性曲線圖Fig. 2 Typical I-V curve of thin films of TiO2

圖3 是氧化鈦薄膜施加電壓20Ⅴ的I-Ⅴ特性曲線圖。當施加電壓到16Ⅴ時，通過薄膜的電流變大，器件處于低阻狀態(tài)，由圖得出此時的電阻為2.5×105歐姆；當電壓到17.5Ⅴ時電流突然急劇下降接近于零，器件到達高阻態(tài)，此時電阻值幾乎為無窮大。

圖3 氧化鈦薄膜施加電壓20V的I-V特性曲線圖Fig.3 Typical I-V curve of thin films of TiO2

圖4 是氧化鈦薄膜施加電壓30Ⅴ的I-Ⅴ特性曲線圖。當施加電壓到8Ⅴ時，通過薄膜的電流變大，器件處于低阻狀態(tài)，由圖得出此時電阻為2×105歐姆；當電壓達到20Ⅴ時，電流突然急劇下降接近于零，器件處于高阻態(tài)，此時電阻值幾乎為無窮大。

圖4 氧化鈦薄膜施加電壓30V的I-V特性曲線圖Fig.4 Typical I-V curve of thin films of TiO2

圖5 是氧化鈦薄膜施加電壓-30Ⅴ的I-Ⅴ特性曲線圖。當施加電壓-2Ⅴ時，通過薄膜的電流變大，器件處于低阻狀態(tài)；由圖得出此時的電阻為6875歐姆；當電壓達-5.5Ⅴ時，電流突然急劇下降接近于零，器件處于高阻態(tài)，此時電阻值幾乎為無窮大。當電壓加到-25Ⅴ以后，電流多次增大、變化。

圖5 氧化鈦薄膜施加電壓-30V的I-V特性曲線圖Fig.5 Typical I-V curve of thin films of TiO2

2.2 氧化鈦薄膜形貌分析

本文利用原子力顯微鏡對氧化鈦薄膜進行微觀表面形貌觀察，圖6是氧化鈦薄膜施加電壓為0、15、20、30、-30 Ⅴ的表面形貌。前三者的薄膜掃描范圍為10000nm×10000nm。后兩者的掃描范圍為100000nm×100000nm。

圖6 氧化鈦薄膜施加不同電壓時的表面形貌Fig.6 AFM images of TiO2 films at different voltage

由圖6看出，未施加電壓（0Ⅴ）時晶粒清晰可見，有少許析出物。隨著電壓的不斷增加，晶粒變模糊，析出物越來越多。施加電壓到20Ⅴ時，很難分辨出晶粒。此現(xiàn)象可能會影響I-Ⅴ特性曲線的測試。未施加電壓時，薄膜色標為170.33nm，施加電壓15Ⅴ時，薄膜色標為144.43nm，施加電壓20Ⅴ時，薄膜色標為84.41nm，施加電壓30Ⅴ時，薄膜色標為864.62nm，施加電壓-30Ⅴ時，薄膜色標為750.46nm。由此得出，在施加20Ⅴ電壓之前，薄膜的色標不大，表面比較平整。但當施加電壓到達30Ⅴ時，薄膜的表面由于析出物過多而不再平整。在施加-30Ⅴ電壓的AFM平面圖和三維結(jié)構(gòu)圖中，都可以看到探針所留下的正方形痕跡，此時薄膜表面已有損壞。結(jié)合-30Ⅴ的I-Ⅴ特性曲線測試可知，再次證明此時的薄膜已經(jīng)接近于擊穿。

3 結(jié)論

采用溶膠凝膠法制備氧化鈦薄膜，并測試其電學性能，測試結(jié)果表明，氧化鈦薄膜具有電阻反轉(zhuǎn)特性，但重復性不穩(wěn)定。使用原子力顯微鏡在微觀狀態(tài)下觀察可知，隨著施加電壓的增大，表面析出物的量會增加，其影響薄膜的電學性能測試，會導致薄膜測試處的頂電極破壞使整個樣品擊穿；但表面析出物為何種物質(zhì)，有待進一步研究。