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MoS2復(fù)合g-C3N4半導(dǎo)體材料的制備與其海岸帶水環(huán)境凈化的研究

2021-07-25 10:26孫遠(yuǎn)博馮威
當(dāng)代化工研究 2021年13期
關(guān)鍵詞:投加量光催化半導(dǎo)體

*孫遠(yuǎn)博 馮威

(1.吉林大學(xué) 地球科學(xué)學(xué)院 吉林 130061 2.吉林大學(xué) 新能源與環(huán)境學(xué)院 吉林 130021)

1.前言

海洋是生命之源,自21世紀(jì)以來,人類社會的高速發(fā)展離不開貿(mào)易與制造業(yè),而海洋則是這個過程的重要載體。隨著全球工業(yè)化高速發(fā)展帶來的環(huán)境污染日益嚴(yán)峻。最近,抗生素已用于獸醫(yī),畜牧業(yè),水產(chǎn)養(yǎng)殖和農(nóng)業(yè)領(lǐng)域的動物身上[1]。大量的抗生素及其殘留物已被釋放到河流,湖泊,地表水和地下水等水體種,并通過降水、河流等匯入海洋,對近海岸帶生態(tài)環(huán)境造成嚴(yán)重破壞,影響海洋資源的可持續(xù)利用,最終危害人類自身。比如四環(huán)素類抗生素本身就是一種難降解、對環(huán)境有害的有機(jī)污染物,其對土壤、水體和生物的危害非常嚴(yán)重。

然而傳統(tǒng)光催化劑,例如TiO2和ZnO[2],其能隙較大,因此其僅適用于紫外光波段。Bi2O3和Bi2WO6雖然可以吸收可見光波段光能,但也存在光生電子-空穴的有效分離和光化學(xué)穩(wěn)定性問題[3],光催化降解有機(jī)污染物的活性較低。本文主要針對這些傳統(tǒng)半導(dǎo)體系光催化劑的缺點(diǎn),對石墨相g-C3N4進(jìn)行摻雜改性。

2.試驗部分

三聚氰胺、鉬酸鈉、正鉬酸銨、無水乙醇、鹽酸四環(huán)素、氨水、硝酸等試劑均為分析純,購自國藥集團(tuán)化學(xué)試劑有限公司。

取一定量的粗海鹽溶解于超純水中,過0.22μm的濾膜2次去除不溶性雜質(zhì),再將過濾后的鹽水加熱至沸騰殺菌,冷卻后儲存作為用于實(shí)驗后續(xù)模擬海洋環(huán)境的海水。

將三聚氰胺分析純粉末放入管式爐中燒制得g-C3N4樣品[4],研磨備用。按摩爾比1:5、1:4、1:3、1:2稱取相應(yīng)的鉬酸銨,半胱氨酸,g-C3N4粉末溶于超純水中。攪拌溶解后移入反應(yīng)釜中,水熱200℃,36h制得g-C3N4-MoS2半導(dǎo)體復(fù)合材料。將其分別命名為CNM1、CNM2、CNM3、CNM4。隨后使用上述樣品對25mg/L的四環(huán)素水溶液進(jìn)行降解實(shí)驗,并對材料進(jìn)行相應(yīng)的光譜表征分析。

模擬四環(huán)素廢水降解實(shí)驗。300W可見光燈(400~800nm)作為光源,10mg/L及25mg/L含有四環(huán)素的海水作為目標(biāo)污染物。光催化反應(yīng)過程如下:稱取一定量的催化劑(CNC、CNM、g-C3N4等)置于250ml燒杯中,隨后加入250ml配置好的溶有四環(huán)素的海水,并使用HCl和NaOH溶液調(diào)節(jié)溶液的pH值,啟動磁力攪拌器(轉(zhuǎn)速700r·min-1)黑暗狀態(tài)下吸附10-30min達(dá)到吸附平衡后打開氙燈光源,開始計時。每隔10min取樣一次,并用0.45μm濾膜過濾后與357nm波長處用紫外-可見分光光度計測量樣品吸光度值。計算四環(huán)素溶液降解率。

DR=[(C0-Ct)/C0]×100%

式中:DR—四環(huán)素降解率,%;

C0—四環(huán)素初始濃度,mg/L;

Ct—t時刻四環(huán)素濃度,mg/L。

3.結(jié)果與討論

(1)材料的結(jié)構(gòu)與晶體學(xué)分析

圖1為g-C3N4光催化基光催化材料的紅外傅里葉光譜的表征結(jié)果,圖中波數(shù)在592cm-1,810cm-1,956cm-1,1615cm-1以及3169cm-1附近的吸收峰,分別對應(yīng)CNM光催化基材料樣品中的MoS2處Mo-S的伸縮振動峰,s-三嗪環(huán)的伸縮振動,C-S鍵位的伸縮振動峰以及1615cm-1對應(yīng)g-C3N4雜環(huán)的伸縮振動峰。而波數(shù)在3169cm-1附近的吸收峰則對應(yīng)于氮化碳中的C-N鍵的伸縮振動,并且隨著MoS2量子點(diǎn)的摻雜,該處吸收峰的強(qiáng)度明顯減小,歸因于C-S鍵的介入減少了C-N鍵的密度而引起的伸縮振動峰的變化。

圖1 g-C3N4與CNM系列樣品的紅外譜圖

圖2所示為g-C3N4基光催化材料的X射線粉末晶體衍射(X-Ray Diffration)表征結(jié)果,表征結(jié)果顯示,純g-C3N4材料的衍射峰與ICSD晶體數(shù)據(jù)庫的四方晶系標(biāo)準(zhǔn)卡(5.2769?×5.2769?×11.5792?)相對應(yīng),歸屬于四方晶系白鎢礦,其衍射峰在2θ角為28.39°,32.80°,46.84°,51.98°分別對應(yīng)晶面(110)(200)(111)(220)。

圖2 g-C3N4與CNM系列樣品的XRD譜圖

以不同MoS2QDs比例摻雜的g-C3N4基材料出現(xiàn)了歸屬于ICSD晶體數(shù)據(jù)庫的六方晶系標(biāo)準(zhǔn)卡PDF#17-0744(3.16?×3.16?×18.33?)的MoS2衍射峰,衍射峰分別對應(yīng)MoS2的2θ角分別為14.53°,29.38°,33.06°對應(yīng)MoS2的晶面(003)(006)(101)。

(2)半導(dǎo)體材料的光催化性能

從降解效率圖3a中顯示的不同MoS2比例摻雜的g-C3N4光催化基材料對25mg/L四環(huán)素溶液的降解情況,g-C3N4光催化基材料在暗態(tài)下發(fā)生兩一定的吸附反應(yīng),30min達(dá)到吸附平衡,其中CNM3吸附降解率最高,達(dá)到50%而純g-C3N4僅35%左右,這是由于摻雜改性后的CNM系列半導(dǎo)體光催化材料增大了其比表面積,增加了更多的反應(yīng)位點(diǎn)所致。對于純g-C3N4光催化材料,光催化條件下海水中TCH在120min降解率為61.2%,而CNM1光催化條件下對海水中TCH的120min降解率為77%。隨著MoS2QDs的摻雜比例的提升,g-C3N4光催化基材料對海水中TCH的降解性能逐步變強(qiáng),CNM2光催化對海水中TCH的80min降解率為99%,CNM3光催化材料對海水中TCH的降解性能達(dá)到峰值,50min降解率為100%。而后隨著MoS2QDs的摻雜比例的再一步提升,CNM4對TCH的降解性能開始下降,其對海水中TCH的50min降解率僅為90%,而直到80min降解率才達(dá)到100%。

圖3 g-C3N4與CNM系列樣品的降解時間a,循環(huán)次數(shù)b,不同pH條件下降解時間c,不同催化劑投加量d

圖3b為CNM光催化材料的光催化循環(huán)降解實(shí)驗圖,重復(fù)光催化降解實(shí)驗5次后,g-C3N4-MoS2光催化材料的光催化降解效率由99%下降至97%,由于g-C3N4-MoS2光催化材料具備良好的機(jī)械穩(wěn)定性,在此過程中光催化材料基本無損耗。

同時,從圖3c中pH為3時的120min降解率59%,并且隨著pH值的增大降解率也在逐漸增大,在pH=6時達(dá)到最大降解率,隨后開始下降。說明最適合CNM3的光催化反應(yīng)溶液pH值為6。對不同材料投加量的g-C3N4-MoS2光催化投加量的光催化性能進(jìn)行探究,降解同樣濃度為25mg/L的鹽酸四環(huán)素。

圖3d為材料投加量的變化對g-C3N4-MoS2光催化性能的影響探究,由圖可知,當(dāng)CNM3投加量為0.2g時,CNM3的光催化性能較低,對鹽酸四環(huán)素的最終降解率僅為86%,而當(dāng)材料負(fù)載量逐步提升時,CNM3的光催化性能也開始逐步提升。材料投加量為0.3g時,100min最終降解率提升到95%;材料投加量為0.4g時,80min最終降解率提升到99%;當(dāng)材料投加量為0.5g時,降解率80min接近100%;由此可見,當(dāng)投加量從0.4提升至0.5時的提升并不明顯,出于經(jīng)濟(jì)角度考慮,確定CNM3材料實(shí)驗最佳材料投加量為0.4g。

(3)材料的形貌學(xué)表征

用氮吸附-脫附法對所制備的復(fù)合催化劑材料的介孔結(jié)構(gòu)、分布和粒徑進(jìn)行分析。五個樣品的氮吸附-解吸等溫線如圖4所示。摻雜前后樣品的bet曲線屬于H3型后滯環(huán),這表明了其增大的比表面積主要是由塊狀以及片層狀堆積的g-C3N4基物質(zhì)之間的縫隙構(gòu)成[5]。

圖4 氨吸附-解吸等溫線

對比五條等溫線,明顯的觀察到摻雜了CQDs后的g-C3N4樣品的閉環(huán)面積明顯增大,尤其是CNM4,這表明了最佳的量子點(diǎn)摻雜比例增大了催化劑材料的比表面積,從而增強(qiáng)了對污染物的吸附能力以及增加了反應(yīng)的活性位點(diǎn)。這與降解試驗部分結(jié)果相佐證。

選取實(shí)驗效果最好的g-C3N4與CNM3樣品進(jìn)行形貌學(xué)測試,由圖可知,純相g-C3N4的掃描電鏡下形貌與CNM3樣品并無差別,這說明了MoS2的摻雜并不改變基地材料的形貌特征,g-C3N4依舊是該半導(dǎo)體材料的分子骨架。g-C3N4基材料的形貌以無定型的泡沫狀的聚集體不規(guī)則分布為主。

圖5c的透射電鏡結(jié)果顯示,g-C3N4基材料以片層狀堆積為主,未觀察到明細(xì)的晶格條紋,說明樣品是無定型的石墨相材料。

圖5 a.g-C3N4的SEM,b.CNM3的SEM,c.TEM

4.結(jié)論

(1)開發(fā)了一種改性半導(dǎo)體催化劑的新方法,通過對g-C3N4摻雜MoS2的改性,有效的提高了材料的光催化降解性能,通過紅外光譜及X射線粉末晶體衍射的光譜表征可知,MoS2成功的摻雜進(jìn)入g-C3N4中,且并無雜峰,證明制備的樣品純度較高。

(2)本研究所得復(fù)合催化劑,在重復(fù)利用率上有著優(yōu)異的性能,且其最適反應(yīng)環(huán)境pH值為6,而g-C3N4-MoS2光催化劑的最佳投加量為0.4g。

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