肖霞
Rambus近日宣布推出Rambus HBM2E內(nèi)存接口子系統(tǒng),該子系統(tǒng)包括一個完全集成的PHY和控制器,在三星先進的14/11nm FinFET工藝上經(jīng)過硅驗證。通過利用30多年的信號完整性專業(yè)知識,Rambus解決方案的運行速度高達3.2Gbps,可提供410GB/s的帶寬。這種性能滿足了TB級帶寬加速器的需求,此類加速器針對性能要求最為嚴苛的AI/ML訓(xùn)練和高性能計算(HPC)應(yīng)用。
三星電子設(shè)計平臺開發(fā)副總裁Jongshin Shin說:“我們與Raanbus的合作將業(yè)界領(lǐng)先的內(nèi)存接口設(shè)計專業(yè)知識與三星最尖端的工藝和封裝技術(shù)結(jié)合在一起。AI和HPC系統(tǒng)的設(shè)計人員可以使用HBM2E內(nèi)存實現(xiàn)平臺設(shè)計,利用三星先進的14/11nm工藝,以達到無與倫比的性能水平?!?/p>