劉桂源 孫鳳蓮

摘 要：功率電子元件的服役溫度遠(yuǎn)高于常溫，器件產(chǎn)熱與散熱之間不匹配的現(xiàn)象日益突顯。針對(duì)這一問(wèn)題，利用泡沫Cu良好的導(dǎo)熱性，采用PbSnAg合金進(jìn)行填充制成焊材，期望提高現(xiàn)有PbSnAg接頭的導(dǎo)熱性能。測(cè)試復(fù)合釬料/Cu接頭的熱阻，觀察微觀組織的變化，測(cè)試相關(guān)力學(xué)性能，探究復(fù)合釬料接頭的斷裂機(jī)理。研究表明，添加泡沫銅可以提高接頭的熱導(dǎo)率，有效地降低接頭的熱阻。PbSnAg合金的組織分別為高鉛組織和含有化合物的混合組織，添加泡沫Cu之后組織發(fā)生了粗化。界面上生成的化合物是Cu3Sn，并且發(fā)現(xiàn)在Cu和Cu3Sn界面化合物之間的界面處存在Pb。添加泡沫Cu使焊縫的剪切強(qiáng)度稍有降低，在斷口上可以發(fā)現(xiàn)裸露在表面處的化合物。

關(guān)鍵詞：泡沫Cu;PbSnAg釬料;熱阻;顯微組織;剪切強(qiáng)度

DOI：10.15938/j.jhust.2021.03.019

中圖分類(lèi)號(hào)： TG425

文獻(xiàn)標(biāo)志碼： A

文章編號(hào)： 1007-2683（2021）03-0127-07

Effect of Cu Foam on the Thermal Resistance and Strength

of As-soldered Pb5Sn2.5Ag/Cu Joints

LIU Gui-yuan， SUN Feng-lian

（School of Material Science and Engineering， Harbin University of Science and Technology， Harbin 150040，China）

Abstract：The service temperature of power electronic components is much higher than normal temperature， and the mismatch between heat generation and heat dissipation of devices is becoming increasingly prominent.The good thermal conductivity of foamed Cu is used to fill the welding material with PbSnAg alloy. It is expected to improve the thermal conductivity of existing PbSnAg joints.The study focused on thermal resistance ， microstructure and shear strength of the copper foam enhanced Cu/Pb-Sn-Ag/Cu joint.The microstructure of PbSnAg alloy is consists of matrix high lead and the mixed structure of high lead and IMCs （intermetallic compounds）. Experimental result shows that the grain of PbSnAg coarsened after the addition of Cu foam. The component of the IMCs at the copper foam and the Cu substrate are Cu3Sn. A layer with high Pb content was found between Cu and Cu3Sn.The shear strength of the solder joint decreases slightly due to the addition of the copper foam， and the Cu3Sn IMCs can be found on the shear fracture.

Keywords：Cu foam; PbSnAg solder; thermal resistance; microstructure; shear strength

0 引 言

對(duì)于功率電子器件，服役溫度通常遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于環(huán)境溫度，其產(chǎn)熱與散熱能力不匹配的現(xiàn)象逐漸的突顯出來(lái)，這就對(duì)電子封裝中使用的釬料提出了更高的要求?，F(xiàn)有的Sn基無(wú)鉛釬料熔點(diǎn)偏低（183～243℃），抗氧化性，抗熱疲勞性等性能不能滿(mǎn)足功率器件的要求[1-3]。針對(duì)這一問(wèn)題，功率電子器件的連接技術(shù)向著發(fā)高熔點(diǎn)合金釬料、納米級(jí)顆粒燒結(jié)、反應(yīng)釬焊、低溫瞬時(shí)液相擴(kuò)散連接等方向進(jìn)行，這些技術(shù)方法都具有各自的優(yōu)勢(shì)和缺點(diǎn)，使其在電子封裝領(lǐng)域中不能夠大范圍的推廣使用[4-8]。Pb-Sn基合金因其可焊性?xún)?yōu)良、組織性能穩(wěn)定、成本合理等優(yōu)點(diǎn)，廣泛地應(yīng)用在電子封裝領(lǐng)域，但是由于器件廢棄后，其焊接接頭中含有的Pb元素會(huì)污染環(huán)境。現(xiàn)根據(jù)RoHS法規(guī)，禁用了鉛較低質(zhì)量分?jǐn)?shù)（<85%）的電子封裝釬料，高鉛釬料質(zhì)量分?jǐn)?shù)（>85%）具有較高的熔點(diǎn)，穩(wěn)定的組織及物理化學(xué)性能，使其在抗熱機(jī)械疲勞、抗高溫老化等方面表現(xiàn)出色，暫時(shí)還沒(méi)有合適的無(wú)鉛釬料可以替代，因此高鉛釬料獲得了RoHS法規(guī)的豁免。仍然可以應(yīng)用在電子元器件的一級(jí)封裝、功率電子元件等相關(guān)領(lǐng)域[9-12]。

泡沫Cu作為一種新型的結(jié)構(gòu)，因?yàn)槠浔旧矶嗫椎慕Y(jié)構(gòu)特征，可以為復(fù)合的材料提供骨架支撐和振動(dòng)緩沖，又因?yàn)槠淞己玫膶?dǎo)熱導(dǎo)電性能，主要應(yīng)用于電極材料、化學(xué)催化劑、導(dǎo)熱導(dǎo)電材料、消音屏蔽材料、過(guò)濾材料等領(lǐng)域[13-14]。但是在電子封裝領(lǐng)域，將泡沫Cu結(jié)構(gòu)用于復(fù)合釬料卻鮮有研究。

綜上所述，本文在PbSnAg接頭中添加泡沫Cu，制成復(fù)合焊片進(jìn)行釬焊連接。利用Cu良好的導(dǎo)熱性，降低接頭的熱阻[15]，期望焊接接頭的熱傳導(dǎo)性能有所改善。通過(guò)測(cè)試接頭的熱阻，分析其導(dǎo)熱性能發(fā)生變化的原因。進(jìn)行接頭連接可靠性的測(cè)試，判斷焊接接頭的連接強(qiáng)度是否能夠滿(mǎn)足使用。并利用SEM、EDS對(duì)釬焊接頭的顯微組織、元素分布、化合物組織成分進(jìn)行探究分析。

1 試驗(yàn)與方法

1.1 試驗(yàn)材料

本試驗(yàn)采用的母材為純Cu板，有良好的導(dǎo)電、導(dǎo)熱和加工性能，并且所含雜質(zhì)較少。釬料金屬是Pb-5Sn-2.5Ag合金，具有力學(xué)性能好、熱疲勞性能好、潤(rùn)濕性?xún)?yōu)良、可靠性高，高溫性能穩(wěn)定等特征，被廣泛的應(yīng)用在電子元器件的一級(jí)封裝及電子功率器件的連接[16]。其主要的物理性能如表1所示。

本實(shí)驗(yàn)采用的泡沫Cu，是通過(guò)電沉積法制成，擁有高孔隙率、均勻分布的三維網(wǎng)狀孔結(jié)構(gòu)[17]。形貌如圖1所示。具有良好的導(dǎo)熱導(dǎo)電性能，和一定的拉伸強(qiáng)度。實(shí)驗(yàn)所用的泡沫Cu相關(guān)參數(shù)如表2所示。

1.2 試驗(yàn)方法

將Pb-Sn-Ag釬料加熱到400℃，得到熔融的液態(tài)合金，通過(guò)無(wú)壓滲浸的方式將液態(tài)釬料填充到不同孔隙密度的泡沫Cu中，制成復(fù)合焊片。將厚度為0.5mm的純Cu板分別切割成20×20mm和2×2mm。以上材料均用無(wú)水乙醇在超聲波清洗10min，在真空烘箱中烘干備用。

通過(guò)稱(chēng)量計(jì)算泡沫Cu無(wú)壓滲浸前后的質(zhì)量，得出復(fù)合焊片中Cu的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為15%。按照尺寸2×2mm2的標(biāo)準(zhǔn)切割復(fù)合焊片，在Cu基板上涂刷UV光固化阻焊漆，制成預(yù)留有2×2mm2焊盤(pán)的下基板。焊接結(jié)構(gòu)由上至下依次為上基板，復(fù)合焊片，下基板。在330℃，無(wú)壓大氣環(huán)境下使用回流焊機(jī)進(jìn)行焊接，焊接時(shí)間為5min，焊接過(guò)程結(jié)束后隨空氣冷卻至室溫。

熱阻實(shí)驗(yàn)的試樣如圖2所示，按照J(rèn)EDEC標(biāo)準(zhǔn)的封裝熱阻測(cè)試法進(jìn)行測(cè)試。主體公式為

R=TJ-TRPH=ΔTPH（1）

式中：TJ為芯片的結(jié)溫;TR為被結(jié)到節(jié)點(diǎn)的溫度;PH為穩(wěn)態(tài)下的功率。

其中TJ、PH是通過(guò)計(jì)算得來(lái)，TR利用熱電偶測(cè)量得到。因?yàn)閷?shí)驗(yàn)驗(yàn)中的唯一變量為焊縫，為了研究焊縫的熱阻，所以本文采用結(jié)算到引腳上的溫度作為考察點(diǎn)。這樣既可以比較直觀的放映焊縫的傳熱能力，又可以減少其他因素導(dǎo)致的實(shí)驗(yàn)誤差。

用E51酚醛環(huán)氧和4，4二氨基二苯甲烷鑲嵌釬焊試樣，用碳化硅砂紙逐級(jí)打磨并用規(guī)格為W0.25的金剛石微粉進(jìn)行拋光，并用檸檬酸-鉬酸銨-硝酸水溶液進(jìn)行腐蝕[18]。通過(guò)掃描電子顯微鏡（SEM）來(lái)表征釬焊接頭的顯微組織結(jié)構(gòu)和斷口特征，并利用能譜分析儀（EDS）檢測(cè)釬焊接頭中各種元素的分布情況及焊縫中的物相組成。

將得到的試樣裝夾在剪切試驗(yàn)機(jī)上，在室溫下進(jìn)行剪切試驗(yàn)，示意結(jié)構(gòu)如圖3所示。將下基板用夾具固定，以0.1mm/s的恒定速度剪切焊接接頭直至斷裂，剪切強(qiáng)度τ由下列公式求出：

τ=FQA（1）

式中：FQ為斷裂時(shí)的最大加載力，N;A為試樣的受力面積，mm2。每組實(shí)驗(yàn)的樣本容量為27，篩除異常數(shù)據(jù)后，取其平均值作為最終有效結(jié)果。

2 結(jié)果與討論

2.1 接頭的熱傳導(dǎo)性能

為測(cè)試出復(fù)合釬料/Cu接頭在服役過(guò)程中的熱阻，本節(jié)中模擬芯片的工作環(huán)境，在150℃下對(duì)原始合金釬料/Cu接頭、15%泡沫Cu復(fù)合釬料/Cu接頭進(jìn)行熱阻測(cè)試。根據(jù)公式（1）進(jìn)行計(jì)算分別測(cè)量計(jì)算得出其中的TJ、TR、PH。

1）為了計(jì)算測(cè)試器件中芯片的結(jié)溫，首先計(jì)算得到芯片在測(cè)試電流（IM=50mA）下，電壓隨溫度變化的曲線(xiàn)。通過(guò)外界熱源，將測(cè)試件逐級(jí)加溫，從80℃開(kāi)始每隔10℃進(jìn)行一次測(cè)試。具體做法是，在每次加溫后等待溫度穩(wěn)定，然后給試件通測(cè)試電流IM（IM=50mA），測(cè)試此時(shí)測(cè)試件兩端的電壓VF。由此得到相同電流下，電壓隨溫度的變化關(guān)系如圖4所示。

在Origin中對(duì)圖中的曲線(xiàn)進(jìn)行擬合，可以分別得到每種釬料接頭的電壓-溫度關(guān)系。如關(guān)系式（3）、（4）所示。

原始釬料/Cu接頭：VF=-0.0016T+0.285（3）

泡沫Cu復(fù)合釬料/Cu接頭：VF=-0.0016T+0.266（4）

2）將兩組試樣通以固定電流，使其溫度上升至150℃左右，并使其達(dá)到動(dòng)態(tài)平衡，經(jīng)過(guò)調(diào)整，確定加溫電流IT分別為I原始=12A，I泡沫=10.3A，測(cè)出此時(shí)試樣件兩端的電壓VFT分別為V原始=0.28V，V泡沫=0.26V，由此可以得到兩個(gè)實(shí)驗(yàn)組的功率PH，如表3所示。

3）計(jì)算芯片的結(jié)溫。當(dāng)器件的產(chǎn)熱與散熱到達(dá)一個(gè)動(dòng)態(tài)平衡時(shí)，切換至測(cè)試電流IM（IM=50mA），此時(shí)測(cè)得器件兩端的電壓，利用式（3）、（4），即可計(jì)算出芯片的結(jié)溫TJ，如表4所示。

4）使用熱電偶測(cè)試器件兩端引腳的溫度TR，結(jié)合上述計(jì)算得到的數(shù)據(jù)，代入式（1）中，可得到各實(shí)驗(yàn)組的熱阻數(shù)據(jù)。

通過(guò)測(cè)試和計(jì)算，試驗(yàn)結(jié)果如表5所示，

得到原始釬料的熱阻R原始=4.78℃/W，含有泡沫銅的接頭熱阻為R泡沫=3.56℃/W。其中含有15%泡沫Cu的接頭降低了25.52%，說(shuō)明添加泡沫Cu后提高了連接材料的導(dǎo)熱性能，有利于及時(shí)傳導(dǎo)芯片上的產(chǎn)熱。

熱量在傳導(dǎo)過(guò)程中，傾向于優(yōu)先沿著熱阻較小的區(qū)域進(jìn)行傳導(dǎo)。芯片產(chǎn)生的熱量在含有泡沫Cu的焊接接頭傳導(dǎo)時(shí)，因?yàn)镃u良好的導(dǎo)熱性，泡沫結(jié)構(gòu)在三維空間連通的特性，形成優(yōu)于基體的高效導(dǎo)熱通道，建立區(qū)域內(nèi)的導(dǎo)熱優(yōu)勢(shì)，這些區(qū)域組合在一起使整個(gè)接頭的導(dǎo)熱性能得到改善，能夠高效率地傳導(dǎo)芯片在服役過(guò)程中產(chǎn)生的熱量[19]。

2.2 接頭的微觀形貌及界面化合物

如圖5（a）所示，可以觀察到泡沫Cu分布在焊縫中，在泡沫Cu與釬料的界面上生長(zhǎng)有一層化合物，且化合物的形貌并不是均勻平整的。通過(guò)掃描電子顯微鏡觀察了焊縫顯微組織中的元素分布，發(fā)現(xiàn)釬料中含有較高含量的Pb元素;Cu元素集中分布在泡沫Cu中和界面處;Sn元素分布于在釬料中，并且在界面上聚集;Ag元素集中于少量的塊狀組織中。由各元素的分布情況可說(shuō)明釬料中的塊狀組織的主要成分是Ag、Sn，界面處的化合物由Cu、Sn組成。

如圖6所示，為腐蝕后的PbSnAg合金的顯微組織，由形貌和EDS結(jié)果可知，可以將顯微組織分成兩種組織。其一是形貌均一的高鉛區(qū)，Pb含量高達(dá)95%，且只含有Pb和Sn兩種元素。這是因?yàn)樵谙鄨D上此成分點(diǎn)在共晶成分之外，液態(tài)釬料在冷卻過(guò)程中并不會(huì)反生共晶反應(yīng)，而是會(huì)形成Sn在Pb晶格中的置換固溶體。另一種是由兩相組成的混合組織，從EDS結(jié)果上來(lái)看，含有Ag、Sn、Pb三種元素，結(jié)合相圖和形貌上判斷這種混合組織由Ag3Sn和PbSn固溶體兩相的混合組織。通過(guò)比較添加泡沫Cu前后的顯微組織，含有泡沫Cu的顯微組織更加粗大。這是因?yàn)橐簯B(tài)釬料在冷卻過(guò)程中可以依附泡沫Cu結(jié)構(gòu)生長(zhǎng)，減少了因?yàn)檫^(guò)冷在液態(tài)中的形核。在這種環(huán)境下有利于晶粒的生長(zhǎng)，因此在添加泡沫銅后存在粗大晶粒。

如圖7所示，為了確定焊縫中各相的成分，選取焊縫中兩個(gè)區(qū)域借助EDS對(duì)各相元素原子百分比進(jìn)行測(cè)量。可以看出界面處的層狀化合物為Cu3Sn，而不是CuSn之間容易反應(yīng)生成的Cu6Sn5。分析其原因?yàn)镻bSnAg釬料中Sn元素只含有5wt%，在界面處Cu的化學(xué)濃度是遠(yuǎn)大于Sn，近界面處Cu相較于Sn是過(guò)量的。又由于焊接時(shí)液態(tài)停留溫度相對(duì)中低溫?zé)o鉛釬料的焊接溫度較高，能為反應(yīng)提供更多的能量，這都促使形成的界面化合物為Cu3Sn。另外由圖6（a）、圖6（b）、圖7可知，存在于體釬料中塊狀的化合物Ag、Sn原子比為3∶1，且該化合物從外觀上均一，判斷其為金屬原子之間存在固定原子比的金屬間化合物，又根據(jù)其Ag、Sn原子比值為3，確定其為Ag3Sn金屬間化合物。

界面化合物如圖8所示。發(fā)現(xiàn)界面IMC的生長(zhǎng)不依附于Cu的結(jié)構(gòu)，Cu和Cu3Sn之間的Pb相分布。原因是焊料中的Sn濃度低，并且Cu和Sn之間形成Cu3Sn的反應(yīng)受到限制。貧錫層出現(xiàn)在近界面處，從而抑制了Cu3Sn的繼續(xù)形成。由于Cu、Sn濃度比不同，Sn原子的擴(kuò)散速率遠(yuǎn)小于Cu的擴(kuò)散速率。銅原子通過(guò)擴(kuò)散進(jìn)入焊料，但是原始位置沒(méi)有錫原子補(bǔ)充。此外，Cu和Cu3Sn之間沒(méi)有強(qiáng)烈的反應(yīng)，兩者在界面處失去化學(xué)粘附力[20-21]，這導(dǎo)致IMC脫落，Pb相在濃度梯度的作用下擴(kuò)散到Cu和Cu3Sn中。

2.3 焊點(diǎn)的剪切強(qiáng)度和斷裂形態(tài)

位移與剪切強(qiáng)度之間的關(guān)系如圖9所示，復(fù)合釬料的剪切強(qiáng)度略低于PbSnAg合金。含有泡沫銅的接頭在剪切試驗(yàn)中有較小的塑性滑動(dòng)位移。如圖10所示，通過(guò)比較兩種釬料的剪切斷裂，可以看出在PbSnAg釬料的剪切斷裂中，塑性變形位移更長(zhǎng)。復(fù)合釬料的斷口中有明顯的斷裂平臺(tái)，發(fā)現(xiàn)有Cu3Sn分布在該平面上，如圖10（c）所示。斷裂平臺(tái)上的顆粒狀化合物是在泡沫Cu的表面上生長(zhǎng)的Cu3Sn，并且發(fā)現(xiàn)含鉛的殘留焊料在顆粒狀I(lǐng)MC之間。

根據(jù)強(qiáng)度變化和斷口形貌，含有泡沫Cu的接頭斷裂位置集中在泡沫Cu上的化合物與基體釬料之間。分析其原因是界面上的Cu3Sn與體釬料的彈性模量不同，在受到載荷時(shí)，微區(qū)內(nèi)發(fā)生的形變不同，由此在界面處出現(xiàn)應(yīng)力集中，隨著載荷的繼續(xù)施加，界面上的應(yīng)力集中促使在Cu3Sn化合物與體釬料出現(xiàn)裂紋源，進(jìn)而失穩(wěn)擴(kuò)展。此外，添加泡沫Cu促進(jìn)了冷卻過(guò)程中液態(tài)合金的形核和長(zhǎng)大，使體釬料的顯微組織粗化，含有Ag3Sn的混合組織聚集粗大，降低了合金的塑性。在這兩種因素的作用下，含有泡沫Cu的接頭剪切強(qiáng)度稍有降低，塑性變形位移縮短。

3 結(jié) 論

1）添加泡沫Cu后改善了連接材料的導(dǎo)熱性能，且含有15%泡沫Cu的接頭熱阻降低了25.52%。熱量借助泡沫Cu三維連通的結(jié)構(gòu)和Cu良好的導(dǎo)熱性，可以在接頭中更有效地傳導(dǎo)。

2）PbSnAg合金的顯微組織可以分為高鉛區(qū)和低鉛區(qū)，其中高鉛區(qū)為單一的PbSn固溶體相，低鉛區(qū)為Pb相和Ag3Sn的混合組織。添加泡沫Cu結(jié)構(gòu)后，PbSnAg釬料的顯微組織出現(xiàn)了粗化。PbSnAg釬料與Cu之間形成的界面化合物為Cu3Sn，而不是常見(jiàn)的Cu6Sn5。其中Cu3Sn并不是依附著Cu生長(zhǎng)，發(fā)現(xiàn)鉛滲入Cu與Cu3Sn之間。

3）復(fù)合釬料焊接而成的焊縫強(qiáng)度稍低于PbSnAg釬料，其塑性變形區(qū)也小于PbSnAg合金，但仍能滿(mǎn)足使用。在復(fù)合釬料的斷口中可以發(fā)現(xiàn)Cu3Sn裸露在表面，說(shuō)明裂紋沿著體釬料與泡沫Cu上化合物的界面處擴(kuò)展。

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（編輯：王 萍）