陳炳榛,郭 倩,徐嬌嬌
(同方電子科技有限公司 江西 九江 332002)
所謂的電磁兼容,主要就是人員在進(jìn)行光通信模式設(shè)計(jì)時(shí),為了保證相關(guān)電子設(shè)備處于穩(wěn)定運(yùn)行狀態(tài),那么面對復(fù)雜電磁環(huán)境,也應(yīng)該要求設(shè)備性能得以有效發(fā)揮,盡可能減少運(yùn)行故障問題的出現(xiàn)。最為關(guān)鍵的是,為了能夠準(zhǔn)確找出電磁干擾的問題,就必須對干擾因素進(jìn)行詳細(xì)分析。本文將針對光通信模塊中電磁兼容結(jié)構(gòu)方面進(jìn)行詳細(xì)分析,希望能夠給相關(guān)人士提供參考價(jià)值。
通過實(shí)際調(diào)查可以看出,目前我國光通信模塊當(dāng)中,其中站在光口與光模塊外殼結(jié)構(gòu)上,主要應(yīng)用的就是上下蓋扣合手段,就是希望能夠確保器件與殼體處于緊固狀態(tài)。在實(shí)踐中發(fā)現(xiàn),完成扣合以后,其中光口部分會出現(xiàn)不同程度的裂縫。尤其是當(dāng)前廣泛使用了10 G&28 G頻率以后,縫隙的尺寸已經(jīng)大于的1/10λ電波長,此時(shí)更會加大泄漏問題的出現(xiàn)。這樣的光模塊無法滿足EMI電磁輻射要求,會存在EMI電磁波的泄漏,無法滿足光模塊EMC&EMI電磁兼容的要求。
面對以上扣合手段存在的弊端,出于處理好EMI電磁輻射隱患的現(xiàn)象下,相關(guān)工作人員可以結(jié)合以下幾點(diǎn)進(jìn)行解決:(1)只能使用銀漿處理,涂抹在光口部分和外殼部分的上下蓋結(jié)合處,實(shí)現(xiàn)縫隙的緊密結(jié)合;(2)基于模塊外殼內(nèi)部視角下,工作人員可以準(zhǔn)備好錫箔類型的材料,將其內(nèi)部全部貼滿,由此能夠?qū)﹄姶挪右杂行?,從而能夠處理好EMI電磁輻射現(xiàn)象。但是從根本上而言,以上幾點(diǎn)措施在現(xiàn)實(shí)操作中存在較大難度,而且也不能滿足EMC&EMI電磁兼容的測試標(biāo)準(zhǔn)。
工作人員在開展電磁屏蔽期間,主要就是將重心放在兩個(gè)空間結(jié)構(gòu)中,實(shí)施有效金屬隔離處理,一方面能夠確保電場以及磁場處于相對狀態(tài)的基礎(chǔ)上,另一方面也能夠避免相鄰區(qū)域內(nèi)出現(xiàn)相互影響以及輻射等問題。詳細(xì)進(jìn)行研究,工作人員在進(jìn)行屏蔽效能設(shè)計(jì)期間,將零部件、組合件以及電纜等多個(gè)部分做出統(tǒng)一性的規(guī)劃,避免威脅電磁場現(xiàn)象的出現(xiàn),將整個(gè)信號控制在規(guī)定范圍中。工作人員通過屏蔽體的作用,全面包裹住系統(tǒng)以及接收電路等多個(gè)部分,經(jīng)過工作人員此種操作,像外部環(huán)境中存在電磁場,能夠有效避免其對電路等構(gòu)成的威脅。從根本上來講,像屏蔽體的存在,主要就是在面對導(dǎo)線以及電纜等部分時(shí),能夠很好保護(hù)電磁波對其部分造成影響,而且也能夠有效吸收能量等??傊?,電磁屏蔽結(jié)構(gòu)當(dāng)中體現(xiàn)出的屏蔽效能,針對屏蔽體的存在,能夠凸顯出控制騷擾范圍的效果。
光通信模塊電磁兼容結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)過程中,為了能夠達(dá)到高質(zhì)量屏蔽效果,最為關(guān)鍵的,就是希望人員能夠合理選擇所使用的屏蔽材料,做到對每一種屏蔽材料性能以及特點(diǎn)等進(jìn)行深入分析。工作人員從屏蔽機(jī)理的角度,對屏蔽進(jìn)行有效劃分,其中主要可以劃分成電場、磁場以及電磁場3種模式。研究其中電場屏蔽作用,就是在能夠保護(hù)好敏感電路耦合電壓的基礎(chǔ)上,降低一切外在騷擾因素對電場的威脅,工作人員借助良好導(dǎo)電性能的金屬屏蔽材料,然后確定出騷擾源與敏感電路,將材料妥善設(shè)置在兩者之間。在此期間,面對過程中使用的金屬屏蔽材料,也應(yīng)該做出接地處理。只有經(jīng)過妥善接地操作,才能夠避免騷擾電場、威脅電路、電壓行為的出現(xiàn)。
分析當(dāng)前電場屏蔽方式,主要圍繞反射為出發(fā)點(diǎn),針對該種現(xiàn)狀下,在工作人員進(jìn)行設(shè)計(jì)時(shí)需要注意,必須加強(qiáng)對屏蔽體厚度的關(guān)注,嚴(yán)格把控好其厚度數(shù)值,適當(dāng)整合薄層屏蔽模式,或者是人員事先準(zhǔn)備好塑料,然后將相對較薄的導(dǎo)電層做出妥善設(shè)置;而磁場屏蔽模式的存在,內(nèi)部涵蓋低頻與高頻兩種方式。如果工作人員開展低頻磁場屏蔽處理,那么就可以借助高導(dǎo)磁率的材料,組建成性能良好的低磁阻通路,在整個(gè)屏蔽體結(jié)構(gòu)當(dāng)中,能夠有效把控大多數(shù)的磁場。為了能夠確保磁場屏蔽作用得以充分發(fā)揮,那么工作人員所借助的屏蔽體,應(yīng)該盡可能選擇極高導(dǎo)磁率的結(jié)構(gòu),在較大屏蔽體厚度的基礎(chǔ)上,自然能夠獲取到較小磁阻,最終就能夠達(dá)到高質(zhì)量屏蔽結(jié)果。但是,如果工作人員選擇一些高導(dǎo)磁材料,在較低導(dǎo)磁率的現(xiàn)狀下[1],更加會加大磁損現(xiàn)象的出現(xiàn)。面對該種問題下,工作人員在實(shí)施屏蔽處理時(shí),為了能夠避免騷擾磁場對電壓等構(gòu)成的威脅,可以通過高導(dǎo)電率材料渦流反向磁場進(jìn)行有效處理。與電場屏蔽模式不同,此種操作不需要做出特別接地處理。
分析行業(yè)人士經(jīng)常使用的電磁場屏蔽,在選擇材料過程中,應(yīng)該將重心放在高導(dǎo)電率的材料,將其當(dāng)作屏蔽結(jié)構(gòu),然后做出合理接地操作。在開展電磁場屏蔽操作中,其間能夠借助高導(dǎo)電率材料產(chǎn)生的渦流的反向磁場,維護(hù)好磁場結(jié)構(gòu),然而伴隨著接地步驟的完成,也能夠有效達(dá)到電場屏蔽的效果。在接下來系統(tǒng)運(yùn)行當(dāng)中,因?yàn)椴粩嗌仙念l率值,像其中出現(xiàn)的波長,也會整合屏蔽體上縫隙大小,將兩者控制在適應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)范圍中,因而電磁場屏蔽的關(guān)鍵除了要采用高導(dǎo)電率材料,還要控制屏蔽體的孔縫泄漏。
工作人員在現(xiàn)實(shí)開展設(shè)計(jì)過程中,要想能夠達(dá)到高質(zhì)量屏蔽效果,那么工作人員可以在選擇高導(dǎo)電屏蔽材料期間,整合鋁、銅,或者鋁鍍銅等類型的材料加以處理。但是像特殊時(shí)期有著極高標(biāo)準(zhǔn)的部分,此時(shí)可以在表面再次添加一些銀材料。除此之外,工作人員所選用的高導(dǎo)磁率材料,一方面可以應(yīng)用不銹鋼或者鐵材料,另一方面也可以圍繞選擇的材料,將其厚度控制在合理范圍當(dāng)中[2]。
通過實(shí)際調(diào)查發(fā)現(xiàn),當(dāng)前屏蔽體應(yīng)用期間,其屏蔽作用的發(fā)揮,主要存在兩個(gè)制約原因:其一是工作人員應(yīng)用的屏蔽體,務(wù)必要達(dá)到完整性的狀態(tài),確保屏蔽體表面具備良好導(dǎo)電性能;其二是嚴(yán)禁破壞屏蔽體導(dǎo)體的現(xiàn)象,避免天線問題的出現(xiàn)。但是工作人員在現(xiàn)實(shí)處理時(shí),經(jīng)常會有散熱孔分布在屏蔽體的上面,或者是綜合多個(gè)零部件構(gòu)成的屏蔽體,內(nèi)部必然會存在一些縫隙。縫隙或孔洞是否會泄漏電磁波,取決于縫隙或孔洞相對于電磁波波長的尺寸。為了能夠降低泄漏現(xiàn)象的出現(xiàn)概率,此時(shí)縫隙的大小,其尺寸最好應(yīng)該小于波長。如果有著較高騷擾頻率,再加上較短波長現(xiàn)狀下,格外需要引起工作人員的關(guān)注。面對裝配屏蔽體,其屏蔽作用的凸顯,工作人員可以結(jié)合以下幾方面進(jìn)行處理:(1)維持接觸面保持良好平整狀態(tài),從根本上降低阻抗問題的出現(xiàn);(2)將接觸面做成單止口或者雙止口的裝配方式,以增加屏蔽體密閉性,見圖1。
圖1 止口結(jié)構(gòu)示意圖
在工作人員實(shí)施通風(fēng)孔操作期間,之前經(jīng)常使用的就是一個(gè)大孔,那么此時(shí)可以借助幾個(gè)小圓孔進(jìn)行處理,然后對相鄰小圓孔之間距離進(jìn)行有效控制,像通風(fēng)孔的距離,最好應(yīng)該超出1/2波長[3],見圖2。
圖2 通風(fēng)口示意圖
我國某地區(qū)企業(yè)工作人員通過以上步驟,開展了光通信模塊中電磁兼容結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)處理,然而面對內(nèi)部存在的產(chǎn)品,開展實(shí)驗(yàn)操作中,主要就是站在XFP模塊管殼結(jié)構(gòu),靈活運(yùn)用各種手段開展設(shè)計(jì)處理,最終完成樣品設(shè)計(jì)以后,也由專業(yè)人員實(shí)施了針對性性能檢查。根據(jù)FCC47CFRPar t15SubpartBsection15.109(a),電磁騷擾場強(qiáng)的峰值限值為74 dBuV/m,平均值限值為54 dBuV/m。改善前的XFP2模塊電磁騷擾場強(qiáng)在水平方向的測試結(jié)果見表1。
表1 改善前水平方向測試數(shù)據(jù)
改善后的XEP模塊電磁騷擾場強(qiáng)在水平方向的測試結(jié)果見表2。
表2 改善后水平方向測試數(shù)據(jù)
改善后的XEP模塊電磁騷擾場強(qiáng)在垂直方向上的測試結(jié)果見表3。
表3 改善后垂直方向測試數(shù)據(jù)
通過以上全部測試數(shù)據(jù)結(jié)果可以發(fā)現(xiàn),經(jīng)過工作人員全方面改善處理舉措以后,站在其電磁騷擾場強(qiáng)最大峰值視角下,其中主要降低了2 dBuV/m,平均降低數(shù)值為6 dBuV/m。
綜上所述,工作人員進(jìn)行光通信模塊設(shè)計(jì)工作,為了能夠獲取到理想設(shè)計(jì)結(jié)果,保證光通信模塊能夠具備接收與發(fā)出指令,那么設(shè)計(jì)人員必須對電磁屏蔽設(shè)計(jì)事項(xiàng)形成高度關(guān)注。在實(shí)際開展設(shè)計(jì)過程中,首先應(yīng)該明確好存在騷擾源的特點(diǎn),然后秉持實(shí)事求是的原則,合理應(yīng)用相應(yīng)的屏蔽材料,在整合現(xiàn)代化設(shè)計(jì)方式下,以最終保證屏蔽作用得以發(fā)揮。經(jīng)過較長時(shí)間觀察可以看出,工作人員在通過一系列設(shè)計(jì)手段后,一方面能夠保證光通信模塊電磁兼容性得以充分實(shí)現(xiàn),另一方面也不會對各項(xiàng)工作構(gòu)成明顯威脅[4]。