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PPy‐TB‐GO復(fù)合材料的電化學(xué)性能研究

2021-10-26 07:42:50王仁文
電工材料 2021年5期
關(guān)鍵詞:吡咯充放電電化學(xué)

王仁文

(湖北省電力裝備有限公司,武漢 430000)

引言

氧化石墨烯(GO)化學(xué)結(jié)構(gòu)特別,因?yàn)镚O片材的表面含環(huán)氧基、羥基和羧基,所以GO具有較高的水溶分散度[1]。不僅如此,使用表面活性劑時(shí),這些基團(tuán)還可作為位點(diǎn)使GO片材與聚合物之間擁有較強(qiáng)的相互作用力[2]。摻雜制成的導(dǎo)電聚合物不僅具備良好的導(dǎo)電性能和較高的比電容,而且經(jīng)濟(jì)效益好,是非常合適的超級電容器材料[3]。但導(dǎo)電聚合物在充電和放電過程中,體積變化不可忽略,而體積變化又會進(jìn)一步影響聚合物的電化學(xué)性能[4]。本研究采用表面活性劑改良聚合物在充放電過程中的循環(huán)穩(wěn)定性,將聚吡咯與氧化石墨烯復(fù)合的同時(shí)摻雜多官能團(tuán)臺盼藍(lán)(TB)染料分子,3種不同的材料配合使用,既保證復(fù)合材料具有較高的比電容,又提高了復(fù)合材料的循環(huán)穩(wěn)定性。

1 PPy‐TB‐GO復(fù)合材料及電極制備

1.1 吡咯的提純

采用減壓蒸餾工藝提純吡咯(Py)[5]。取適量的吡咯置入圓底燒瓶中,并放入一定量的沸石;向冷凝系統(tǒng)中加入冷凝水之前,檢查裝置的氣密性,之后再將系統(tǒng)連接循環(huán)多用真空泵;提純過程中,控制溫度緩緩上升,切不可升溫過快,整套儀器的溫度控制在60℃上下。

1.2 純PPy的制備

采用化學(xué)氧化法制備PPy[6]。在50 mL異丙醇中加入1 g吡咯;取30 mL去離子水,用于溶解3 g過硫酸銨;在4℃下,劇烈攪拌吡咯單體溶液,將準(zhǔn)備的過硫酸銨水溶液慢慢地滴入溶液中,繼續(xù)攪拌約30 min;將攪拌后的溶液靜置24 h;洗滌抽濾,將樣品放入真空干燥箱中,箱中溫度維持在60℃左右,干燥12 h得到黑色產(chǎn)物。

1.3 PPy‐TB‐GO的制備

取100 mL的去離子水;將密度為4 mg/mL的GO溶液25 mL倒入水中;連續(xù)攪拌30 min;用超聲波處理1 h;向充分混合的溶液中加入1 mg臺盼藍(lán)(TB),再次攪拌2 h后用超聲波進(jìn)行1 h處理;此時(shí),在形成的混合物溶液中加入質(zhì)量為0.8 g的吡咯單體溶液;取30 mL去離子水,將3 g過硫酸銨溶解于水中;在4℃左右的溫度下,充分?jǐn)嚢柽量﹩误w水溶液;將準(zhǔn)備的過硫酸銨水溶液緩慢地滴入吡咯單體水溶液中,后又?jǐn)嚢?0 min;最后,將攪拌后的溶液靜置24 h;洗滌抽濾,將樣品放入真空干燥箱中,箱中溫度維持在60℃左右,干燥12 h得到黑色產(chǎn)物。

2 電化學(xué)性能分析

采用三電極系統(tǒng),分別使用循環(huán)伏安法(CV)、電化學(xué)阻抗譜(EⅠS)以及恒電流充放電(GCD)測試和評估材料的電化學(xué)性能。在1 M硫酸電解質(zhì)進(jìn)行所有的電化學(xué)表征。

2.1 循環(huán)伏安分析

圖1和圖2為當(dāng)速率分別為5 mV/s、10 mV/s、30 mV/s、50 mV/s、70 mV/s和 100 mV/s時(shí),復(fù)合材料PPy‐TB‐Goh和純PPy電極材料在一定電位范圍內(nèi)(-2.2 V~0.6 V)的C‐V變化曲線。從圖中可以看出,近似矩形的變化曲線說明材料擁有良好的電化學(xué)性能,相比于純PPy材料,復(fù)合材料PPy‐TB‐GO循環(huán)過程中的C‐V曲線積分面積明顯大了許多,由此說明復(fù)合材料PPy‐TB‐GO的比電容值高于純PPy,是更合適的超級電容材料。在掃描速率逐漸增大的過程中,C‐V變化曲線構(gòu)成的積分面積同樣呈現(xiàn)增大的趨勢,但是在此過程中材料的比電容值緩慢降低。造成這種現(xiàn)象的原因可能是在高速率掃描時(shí),電極材料中質(zhì)子的擴(kuò)散能力降低,影響比電容大小。而當(dāng)掃描速率較低時(shí),材料內(nèi)部的活性點(diǎn)位能夠完整地進(jìn)行化學(xué)反應(yīng),氧化還原過程使其比電容增大。

圖1 PPy‐TB‐GO的C‐V曲線

圖2 PPy的C‐V曲線

圖3為在5 mV/s的掃描速率下,復(fù)合材料PPy‐TB‐GO與純PPy的C‐V變化曲線的對比。從圖3中可以看出,復(fù)合材料PPy‐TB‐GO中摻雜含有GO和TB,相比于純PPy材料而言,比電容更高。GO片材的比表面積大,導(dǎo)電性能優(yōu)越,與TB材料一同結(jié)合產(chǎn)生良好的相互作用,在一定程度上增加了復(fù)合材料的比電容。

圖3 PPy‐TB‐GO和PPy的C‐V曲線

圖4為復(fù)合材料PPy‐TB‐GO的循環(huán)壽命。圖中的數(shù)據(jù)表明,保持掃描速率為100 mV/s不變,復(fù)合材料PPy‐TB‐GO在進(jìn)行1 000次充放電過程后依然表現(xiàn)出良好的穩(wěn)定性。

圖4 在100 mV/s的掃描速率下的循環(huán)壽命

2.2 恒電流充放電分析

圖5是在不同電流密度下,復(fù)合材料PPy‐TB‐GO的恒電流充放電情況,即GCD曲線。從圖5中不難發(fā)現(xiàn),各電流密度下,GCD曲線幾乎呈現(xiàn)等邊三角形,這種規(guī)律說明復(fù)合材料PPy‐TB‐GO充放電電位隨時(shí)間的變化呈線性關(guān)系。從復(fù)合材料PPy‐TB‐GO的GCD曲線的變化規(guī)律可以發(fā)現(xiàn),材料的放電時(shí)間與電流密度呈負(fù)相關(guān),放電時(shí)間越長電流密度越小,對應(yīng)在相對場的放電時(shí)間有較大的比電容。造成這種現(xiàn)象的原因可能是電流密度比較高時(shí),電極內(nèi)部空間和電解質(zhì)離子均不足以進(jìn)行能量的儲存。

圖5 PPy‐TB‐GO的恒電流充放電曲線

3 結(jié)論

在PPy材料中摻雜TB和GO片材形成復(fù)合材料PPy‐TB‐GO,其具有片層狀的物理結(jié)構(gòu),有效提高了原材料本身的比電容值。通過試驗(yàn)仿真,在3電極系統(tǒng)中驗(yàn)證PPy‐TB‐GO的比電容(590 F/g)明顯高于純PPy(227 F/g)。隨后又在100 mV/s的掃描速率下,經(jīng)過1 000次充放電循環(huán)過程后證明復(fù)合材料具有較高穩(wěn)定性和電容保持率(81%)。相較于純PPy材料,復(fù)合材料PPy‐TB‐GO的電化學(xué)性質(zhì)更加優(yōu)越,尤其在儲能表現(xiàn)上,由此說明復(fù)合材料PPy‐TB‐GO是極具潛力的超級電容器材料,具備極高的應(yīng)用價(jià)值。

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