吳疆
摘要:介紹大功率IGBT的集中常見的并聯(lián)方式以及各個并聯(lián)方式的主要技術要領,通過對并聯(lián)技術的研究發(fā)現(xiàn),IGBT并聯(lián)技術有著可靠性高、均流效果好等幾方面的優(yōu)點,因此,IGBT直接并聯(lián)應用技術在市場上的應用也將越來越廣泛。這其中對于IGBT技術的研究主要包括對理論進行分析、實際應用和運行考核等幾個方面。
關鍵詞:IGBT;并聯(lián)方式;脈沖整流器
一、變流器中常用的幾種并聯(lián)方式
1.1功率模塊級并聯(lián)
所謂的模塊級并聯(lián)指的就是相同功率間的模塊進行并聯(lián)并且應用。模塊級并聯(lián)既有顯著的優(yōu)點,也有顯著的缺點,模塊級并聯(lián)的優(yōu)點就是它的變流器系統(tǒng)具有良好的魯棒性,它更多的應用于一些高要求的特殊場合,如果在工作中某個模塊出現(xiàn)問題,它可以保證在系統(tǒng)正常運行狀態(tài)下時切除出現(xiàn)問題的模塊。除此之外,它可以選配不同功率等級的產品,因此,它能更親近于客戶并且有較短的開發(fā)時間。從另一方面來講,并聯(lián)器需要有外置的均流電抗器,因為其本身的均流性不好,而且這種方式的保護同步性較差。IGBT器件、復合母排以及散熱器等許多部件都是由功率模塊集成的。
1.2驅動級并聯(lián)
驅動級并聯(lián)是指每一個IGBT器件都擁有屬于它自己的驅動器,而這些驅動器還是同步運行的,這主要是通過脈沖分配電路實現(xiàn)的。驅動級并聯(lián)的缺點就是造價高,因為每個器件都有一個驅動器,而且在出現(xiàn)故障時不能同步的進行保護。相比于模塊級并聯(lián),驅動級并聯(lián)在工作時各個電路互不影響,因此,有較好的均流效果。
1.3器件級并聯(lián)
所謂器件級并聯(lián)指的就是多個器件由一個驅動器進行驅動,這種并聯(lián)方式普遍應用于小功率IGBT器件中,因為很難做到大功率IGBT的并聯(lián)。器件級并聯(lián)的方式在節(jié)約成本的同時提高了質量,因為器件級直接并聯(lián)可以使得驅動信號和故障保護一致。但是器件級并聯(lián)的缺點也很明顯,因為器件差異等多方面因素都對這個技術的效果有影響,所以技術難度相當高。本文主要針對大功率IGBT器件級并聯(lián)技術展開討論和研究。
二、大功率IGBT并聯(lián)應用的要素
2.1 IGBT直接并聯(lián)應用的器件選型
在選用并聯(lián)器件時,盡量選用同一批次生產的、型號相同的器件,因為器件的等效電阻會對均流效果產生很大的影響,此外,為了得到更好的均流效果對器件的電壓一致性的要求也較高。在選用并聯(lián)器件時還要考慮到溫度對電流的影響,盡量選用正溫度特性的器件。
2.2 IGBT直接并聯(lián)驅動器的設計
在并聯(lián)應用中對于保護和驅動信號的同步性要求較高,IGBT直接并聯(lián)的工作方式對于滿足同步性的需求具有很大的優(yōu)勢。但是也有很多弊端,例如,由于電壓差異對均流效果的影響變得越來越大。因此,為了減小弊端,獨立驅動電阻更廣泛的應用于驅動器。
共射環(huán)流問題是直接并聯(lián)方式普遍存在的問題。因此為了限制震蕩,一般會對驅動器的驅動電阻進行限制,這樣做還可以使驅動電阻上產生的電壓對門極電壓起到一個調節(jié)的作用?,F(xiàn)在有很多驅動器采用動態(tài)控制技術、平衡磁芯技術等先進技術,但是這些技術不僅損耗大,而且電路十分復雜。而本文所研究的并聯(lián)驅動器控制電路不僅電路簡單,而且可靠性高。
2.3主電路設計
為了降低分布電感的同時提高電流重合度,一般采用復合低感母排技術。此技術的核心是要保證并聯(lián)主電路對稱,一旦并聯(lián)主電路不對稱就會造成嚴重的不均流現(xiàn)象。
2.4散熱設計
散熱方式有很多種,可以采用風冷散熱,也可以采用水冷散熱。如果使用的是風冷散熱器,就要對風道進行良好的合計,進風口、出風口以及送風量等問題都需要考慮到其中。如果是水冷,要使散熱器和器件位置擺放合理,使得器件散熱均勻。需要特別注意的是,要考慮到水的溫度升高對其造成的影響。
三、IGBT直接并聯(lián)應用研究
3.1直接并聯(lián)電路
運用脈沖控制器、電流傳感器、電壓傳感器、電容以及直流電源和示波器等進行應用。安裝4個IGBT進行兩元件并聯(lián),如果要用三個元件,需要增加一個探頭測量新增加支路的電流。
3.2三元件直接并聯(lián)應用
采用兩元件并聯(lián)的應用方式來進行三元件并聯(lián)應用,用前面提到的兩種并聯(lián)方式作為本次應用進行對比。應用結果顯示,驅動的均流性理想。
3.3四元件并聯(lián)
IGBT實現(xiàn)四元件并聯(lián)主要是通過驅動底座2AB30A17K-OA-4ED來實現(xiàn)的,該型號的適配板是配合著2QD30A17K-I驅動核來驅動IGBT的,它和2QD30A17K-I配合使用可以驅動全系列的IGBT,例如從600V到1200V甚至到1700V都可以用他們配合來進行驅動。除此以外,它配合2QD30A17K-I驅動核可以對雙通道的IGBT進行驅動,而且適用于各種已經封裝的IGBT,它不僅僅局限于此,還可以使用電接口和光纖接口,用戶可以根據(jù)需要選擇合適的控制接口,短路保護、欠壓保護等也都是它所具備的。
該適配板可以為光纖接頭提供一個電源,該電源的電壓為5V,除此以外,它也為2QD30A17K-I提供了一個電源。當驅動器檢測到IGBT發(fā)生短路或者柵極電壓降到保護值以下時,此時IGBT會被安全的斷開,同時傳出故障信息。當檢測到有故障時,IGBT會處于關斷狀態(tài),只有驅動器復位之后才可以重新開始正常的工作。
3.4功率考核試驗
功率考核應用單臺容量為1.2MVA的脈沖整流器模塊,交流器由電容、復合母排和水冷散熱以及驅動控制部分幾部分組成,通過長時間的運行得到應用的結果顯示,即使通過IGBT的電流超過其額定值,交流器功率模塊也能正常運行。
四、結束語
本文通過對IGBT直接并聯(lián)方式進行了種種實驗考核,均流效果讓人滿意。IGBT的直接并聯(lián)技術是一種被廣泛應用于實際生產生活中的一種電路結構,IGBT直接并聯(lián)技術的應用具有多方面的優(yōu)點,例如,它不僅有較高的頻率和較大的容量范圍,它還具有非常高的調節(jié)精度和效率。正因如此,它還應用于地鐵、電車、大功率氧化等用直流驅動的設備中。
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