史世明,李園園,鄭美珠,薄賾文,張 嵩,王大巍
(京東方科技集團股份有限公司,北京 100176)
2007 年互容式電容觸摸屏被應(yīng)用到蘋果手機上,觸摸屏取代了以往繁多的物理按鍵,人們和手機的人機交互體驗有了質(zhì)的提升,電容觸摸屏技術(shù)也得到迅速發(fā)展,成為便攜式智能終端產(chǎn)品的主流觸控技術(shù)[1-2]。尤其近幾年,隨著柔性AMOLED 顯示技術(shù)的發(fā)展,對顯示產(chǎn)品厚度減薄和形態(tài)多變提出了更高要求。
三星、華為、歐珀等各主流手機品牌也先后推出折疊屏手機產(chǎn)品,聯(lián)想、英特爾等電腦品牌也陸續(xù)發(fā)布折疊屏筆記本。為了滿足越來越多樣的柔性AMOLED 顯示產(chǎn)品需求,柔性顯示模組中觸摸屏的減薄、耐彎折和耐卷曲已是相應(yīng)觸控技術(shù)開發(fā)的主流方向。柔性顯示模組的信賴性需求,對柔性電極材料提出更高要求,電極材料的高透過率需求與低方阻需求又互相制約。從早期的玻璃基材的ITO 觸控方案,到后來高分子材料基材和各種耐彎折導(dǎo)電材料的可折疊觸控開發(fā),再到近幾年柔性AMOLED 手機產(chǎn)品使用的集成觸控方案,行業(yè)努力打破思維局限及解決技術(shù)難題,電容觸摸屏的結(jié)構(gòu)和材料均有了多方位發(fā)展,為廣大消費者提供更加實用、形態(tài)更加多樣、性能更加優(yōu)秀的智能交互產(chǎn)品。
根據(jù)檢測原理不同,投射式電容觸摸屏分為自電容和互電容兩種。自電容檢測每個感應(yīng)單元自身電容(對地電容)的變化。當(dāng)手指靠近或觸摸到觸摸屏?xí)r,手指的電容疊加到屏體電容上,屏體電容增加。對于行列電極設(shè)計的自容屏,在觸摸檢測時,只能檢測X行+Y列個電容,當(dāng)兩指觸摸時,X和Y方向分別產(chǎn)生兩個信號,會報鬼點[3]。點陣電極設(shè)計的自容屏,共有X×Y個電極,可以分別檢測X×Y個對地電容,可支持多點觸控。點陣自容電極設(shè)計如圖1(a)所示,是目前小尺寸穿戴式產(chǎn)品常用觸控方案?;ル娙輽z測兩個交叉感應(yīng)塊之間形成的電容,兩個感應(yīng)塊分別構(gòu)成電容的兩極。驅(qū)動電極提供激勵信號,感應(yīng)電極同時接收信號,這樣可以檢測到所有橫向和縱向交匯點的電容大小。當(dāng)手指觸摸時,從驅(qū)動電極到感應(yīng)電極的電場部分轉(zhuǎn)移到手指上,觸摸位置互電容減少。即使屏上有多個觸摸點,也能計算出每個觸摸點的真實坐標(biāo),即可以支持多點觸控[4]?;ト蓦姌O設(shè)計如圖1(b)所示,是目前手機、平板等中小尺寸產(chǎn)品的主要觸控解決方案之一。
圖1 自容和互容觸控電極設(shè)計Fig.1 Touch electrode design of self-capacitive and mutual-capacitive touch sensor
本文主要介紹可用于柔性AMOLED 顯示屏的觸控方案,根據(jù)與柔性AMOLED 顯示屏的相對關(guān)系,可分為外掛式觸摸屏和集成式觸摸屏。兩種結(jié)構(gòu)對比如圖2 所示。其中外掛式觸摸屏通常由觸摸屏廠制作完成,通過光學(xué)膠貼合到顯示屏上,如圖2(a)所示,可貼合于偏光片上方或偏光片下方,其中觸控電極層位于偏光片下方的結(jié)構(gòu)可降低金屬可視風(fēng)險,光學(xué)性能更優(yōu)。制作工藝主要有印刷工藝、激光工藝、黃光工藝、壓印工藝等;常用的透明導(dǎo)電材料有氧化銦錫(Indium Tin Oxide,ITO)、納米銀線(Silver Nano Wire,SNW)、碳納米管(Carbon Nano Tube,CNT)、石墨烯及導(dǎo)電聚合物等[5];不透明金屬材料如銅、銀等通常用于金屬網(wǎng)格(Metal Mesh)觸摸屏電極。集成式觸摸屏則是采用光刻工藝直接制作于薄膜封裝層上的金屬網(wǎng)格觸摸屏,如圖2(b)所示。此結(jié)構(gòu)可省去一張模組貼合的外掛觸摸屏和光學(xué)膠,實現(xiàn)顯示模組的減薄。表1 列舉了外掛觸摸屏不同分類方式[6-7]。
圖2 外掛與集成式觸控模組結(jié)構(gòu)Fig.2 Out-cell and On-cell touch module structure
表1 外掛柔性觸摸屏分類方式Tab.1 Classification of out-cell flexible touch sensor
柔性AMOLED 顯示形態(tài)由平面、固定曲面逐漸向折疊和卷曲等更多樣的顯示形態(tài)發(fā)展,電容觸摸屏的厚度也越來越薄。圖3 列舉了幾種外掛觸摸屏結(jié)構(gòu),其中根據(jù)各廠商工藝能力塑料基材厚度可對應(yīng)10~50 μm。圖3(d)中單面電極架橋結(jié)構(gòu)是目前手機、平板電腦等中小尺寸AMOLED顯示模組的主要外掛式觸控解決方案,其透明面電極材料主要是ITO 材料,架橋電極為銅金屬。筆記本電腦等中大尺寸AMOLED 產(chǎn)品主要采用金屬網(wǎng)格方案,對應(yīng)結(jié)構(gòu)主要為圖3(a)、圖3(c)。Cambrios 和C3Nano 也積極開發(fā)和推廣用于觸摸屏電極的透明SNW 材料,可對應(yīng)觸摸屏結(jié)構(gòu)為圖3(a)、(b)、(c)。
圖3 幾種外掛觸摸屏結(jié)構(gòu)Fig.3 Several structures of out-cell touch sensor
觸摸屏中常用ITO 電極材料,方阻范圍在40~150 Ω/□,透過率90%左右,具有良好的導(dǎo)電性能和透光性能,且工藝成熟,目前仍占據(jù)外掛電容屏的主要市場[8]。ITO 成膜工藝分為低溫工藝和高溫工藝,高溫工藝可以制作致密性高、方阻低的ITO 膜,但是對設(shè)備和工藝能力要求較高。ITO 觸控圖案制作工藝,也由原先低精度的激光工藝改進為高精度的黃光和蝕刻工藝。
由于近幾年柔性顯示屏技術(shù)的發(fā)展,ITO 觸摸屏也被應(yīng)用于固定曲面手機產(chǎn)品上。業(yè)界也對ITO 材料在折疊產(chǎn)品上的應(yīng)用做了系統(tǒng)研究。將高溫工藝成膜的ITO 觸摸屏置于顯示模組的中性層時,在彎折半徑5 mm 時有機會達成10 萬次的彎折信賴性測試。但當(dāng)ITO 電極層距離中性層較遠(yuǎn),或彎折半徑更小時,隨著彎折次數(shù)增加ITO 的方阻會急劇上升,甚至出現(xiàn)斷裂,導(dǎo)致觸控功能失效。
由于銅或銀等金屬材料本身具有非常優(yōu)秀的導(dǎo)電性能,由這些材料制作的金屬網(wǎng)格方阻可以做到5 Ω/□以下,通道阻抗明顯較ITO 電極低很多,從而有更優(yōu)秀的觸控性能,尤其在中大尺寸產(chǎn)品上受到青睞。此外,由于金屬材料的延展性,使其具有更好的耐彎折性能,彎折測試后依舊保持良好的導(dǎo)電性和電阻的整面均勻性,從而可以滿足更小的彎折半徑和更多的彎折次數(shù),成為柔性顯示模組的觸控解決方案之一。由于金屬材料的不透光性,其制作的金屬網(wǎng)格透過率高低與網(wǎng)格線寬和密度成反比。目前也有金屬網(wǎng)格透明電極的研究報道,低方阻的前提下還可以達到與ITO 相當(dāng)?shù)墓鈱W(xué)性能[9]。
光學(xué)摩爾紋目前是金屬網(wǎng)格觸控方案最棘手的問題。在金屬網(wǎng)格設(shè)計時,需根據(jù)OLED 像素設(shè)計匹配金屬網(wǎng)格。金屬網(wǎng)格制作工藝主要有光刻工藝、納米壓印工藝等,參考表2[14],目前可量產(chǎn)線寬3 μm 左右。手機屏幕要求近眼使用也不能看到摩爾紋,要求網(wǎng)格線寬小于2 μm,由于工藝限制,目前還在僅可提供測試樣品階段,無法量產(chǎn)。對于無近眼使用場景需求的中大尺寸產(chǎn)品,低方阻的金屬網(wǎng)格具有明顯優(yōu)勢,被筆記本電腦、車載、工控等多種產(chǎn)品應(yīng)用。另外金屬網(wǎng)格電極的鏤空設(shè)計,使其具有負(fù)載小、信號衰減慢、電極接收到來自顯示的噪聲波動小等優(yōu)勢,對產(chǎn)品支持主動筆的使用有一定優(yōu)勢。
表2 金屬網(wǎng)格成膜技術(shù)Tab.2 Forming technologies of metal mesh sensor
SNW 是采用化學(xué)法生長的直徑為25~300 nm、長度10~200 μm 的銀納米材料。除具有銀優(yōu)良的導(dǎo)電性之外,由于納米級別的尺寸效應(yīng),還具有優(yōu)異的透光性、耐撓曲性,因此被視為最有可能替代傳統(tǒng)ITO 透明電極的材料。被作為柔性、可折疊顯示屏的觸控方案廣泛研究。SNW 觸摸屏的缺點是霧度高,可能導(dǎo)致在室外強光照射的情況下看不清屏幕。隨著Cambrios,C3Nano 等材料廠商的工藝改進,納米銀線的直徑已下降至30 nm 以下,霧度問題已顯著改善,圖4 是C3Nano 專利(專利號:CN105102555B)披露的第6 代不同方阻的SNW/PET 膜材的透過率和霧度光學(xué)數(shù)據(jù),其中納米銀材料的方阻分別為103 Ω/□、90 Ω/□、75 Ω/□、50 Ω/□[15]。數(shù)據(jù)表明,隨著材料方阻的降低,其光學(xué)性能也會變差。
圖4 第6 代納米銀薄膜電學(xué)和光學(xué)參數(shù)Fig.4 Electrical and optical parameters of the Gen-6 nano silver films
隨著近幾年業(yè)界技術(shù)難題的攻克,集成式電容屏在可穿戴、曲面手機、折疊手機等柔性AMOLED 顯示產(chǎn)品上已被越來越多地應(yīng)用[16]。相較于常規(guī)的外掛式觸控方案,集成式觸控方案具有以下優(yōu)勢:
(1)簡化模組結(jié)構(gòu),更適合柔性產(chǎn)品。集成式觸控?zé)o需要外掛式觸控所需的基材和光學(xué)膠,觸控層厚度僅5 μm 左右。在折疊、卷曲甚至可拉伸等新的產(chǎn)品形態(tài)中,更薄、更簡單的堆疊結(jié)構(gòu),對應(yīng)力調(diào)整更容易,為其他模組材料的選擇和調(diào)整預(yù)留更多空間。圖5 為內(nèi)折顯示模組集成觸控和外掛觸控兩種結(jié)構(gòu)對應(yīng)的各膜層材料的應(yīng)變數(shù)據(jù),可以看出在集成式觸控方案模組結(jié)構(gòu)中觸摸屏受到的應(yīng)變明顯降低,且偏光片、顯示封裝層應(yīng)變也普遍更小,更好地保障了材料的可靠性。
圖5 集成觸控結(jié)構(gòu)和外掛觸控結(jié)構(gòu)各膜層材料應(yīng)變對比Fig.5 Comparison of strain of each film layer under the structure of on-cell and out-cell touch sensor
(2)更佳的光學(xué)性能。集成式觸控在顯示功能區(qū)的金屬線位于像素定義層開口中間,精確避讓RGB 像素發(fā)光區(qū)域,如圖6(b)所示,不會出現(xiàn)外掛metal mesh 的摩爾紋問題,也無ITO 及SNW 等面電極材料造成的透過率損失或霧度過高問題。同時,觸控電極位于偏光片下方,可以降低圖案可視風(fēng)險[17]。
圖6 基于RGB 像素的外掛觸控和集成觸控金屬網(wǎng)格設(shè)計Fig.6 Out-cell and On-cell touch metal mesh design on RGB pixels
(3)更窄的邊框。集成式觸控的邊緣走線可以精準(zhǔn)制作在顯示功能區(qū)外,無需預(yù)留貼合公差,且顯示屏制造廠的設(shè)備精度高,可以制作更小的線寬線距,最大限度壓縮觸控的邊框。
誠然,除了以上列舉的幾點優(yōu)勢外,柔性AMOLED 的集成觸控方案同樣面臨諸多挑戰(zhàn):
(1)工藝及材料的挑戰(zhàn)。需要在AMOLED薄膜封裝層上進行觸控制作工藝。由于高溫對AMOLED 發(fā)光材料壽命具有不良影響,因此需要低溫光阻材料、低溫金屬沉積和刻蝕工藝;為了進一步提升折疊及卷曲性能,需開發(fā)低溫平坦化有機層材料;為降低負(fù)載,還要考慮開發(fā)低介電有機封裝材料,實現(xiàn)更厚的金屬制作工藝等。
(2)觸控圖案設(shè)計、IC 的驅(qū)動及算法挑戰(zhàn)。
(a)觸控做在薄膜封裝層上,觸控電極距離AMOLED 顯 示 陰 極 僅10 μm 左 右,常 規(guī) 外 掛 觸控距離陰極一般是幾十甚至上百微米。觸控電極距離陰極越近,與陰極的耦合電容越大。因而與陰極形成的電容負(fù)載是外掛觸控方案的幾倍甚至十幾倍,對觸控IC 的驅(qū)動能力要求更高。屏幕顯示信號透過負(fù)載電容對觸控電極造成信號波動,形成噪聲。由于On-cell 結(jié)構(gòu)的負(fù)載數(shù)倍于外掛結(jié)構(gòu),觸控接收到噪聲的強度也將明顯增強。為了實現(xiàn)更高及更可靠的觸控性能,IC 需要更有效地在驅(qū)動端或接收端降低噪聲[18]。
(b)超薄的柔性蓋板給觸控性能帶來更大挑戰(zhàn)?;ト菔接|控方案在人體與設(shè)備間弱接地情況下(如手機置于桌面上操作),人體到設(shè)備地導(dǎo)引電荷的通路受阻,如圖7(b)所示,手指接收到驅(qū)動信號后回傳給感應(yīng)電極(Retransmission),導(dǎo)致觸控信號量減小,表現(xiàn)為大手指按壓拆點或多指同軸按下消點。圖8(b)所示為大手指按壓拆點現(xiàn)象。從示意圖9 可看出,此現(xiàn)象與Cfrx、Cftx、Cm-C’m(即ΔCm)有關(guān)。在超薄的模組結(jié)構(gòu)下,手指與電極距離減小,Cfrx、Cftx增大導(dǎo)致信號回傳量增大,若ΔCm增加較小,在人體弱接地觸控情況下,ΔCm形成的觸控信號將被回傳信號大幅減弱甚至出現(xiàn)負(fù)值。
圖7 不同接地情況下手指和觸摸屏電場示意圖Fig.7 Electric field diagram of finger and touch sensor under different grounding conditions
圖8 大拇指按壓報點對比Fig.8 Contrast of report point under the press of thumb
圖9 手指觸摸電容屏電路示意圖Fig.9 Circuit schematic of mutual-capacitive touch sensor when finger touching
(c)大尺寸柔性AMOLED 產(chǎn)品,如折疊筆記本電腦,因尺寸變大,信號強度和噪聲環(huán)境將進一步劣化?;ト莘桨赣|控電極電容負(fù)載進一步增大,觸控信號衰減更嚴(yán)重。由于尺寸增加,顯示陰極電阻增大,與TFT 背板信號線耦合電容增加,又由于觸控負(fù)載電容增大,顯示背板信號跳變通過陰極給到觸控電極的噪聲干擾更大。在如此條件下,手指觸控的信噪比很難提升,報點率將很難提升。同樣由于噪聲強度太大,電容式主動筆的信噪比也很難提升,劃線精度及懸浮功能將難以保障。
基于以上的技術(shù)挑戰(zhàn),實際項目中根據(jù)不同的尺寸和堆疊結(jié)構(gòu),可選擇自電容或互電容集成式觸控方案。小尺寸穿戴產(chǎn)品以點陣式自容觸控方案為佳,其信號量較高,足以穿透較厚的玻璃蓋板,且因電極數(shù)量少,引線形成的觸控盲區(qū)小。手機尺寸產(chǎn)品則以互容式觸控方案為宜,引線數(shù)量較少,能夠?qū)崿F(xiàn)窄邊框。隨著觸控IC 的不斷迭代,手機尺寸集成式觸控已能實現(xiàn)240 Hz以上的手指報點率,可滿足用戶游戲場景下的操作需求。但對于更大尺寸的產(chǎn)品,如筆記本電腦、大尺寸車載顯示,為了降低觸控的負(fù)載,降低顯示背板對觸控的噪聲水平,自容式集成觸控方案會是一個開發(fā)方向,此方案由于引線數(shù)量巨大,不利于下端窄邊框設(shè)計,但左右邊框可以做到極窄[19]。集成式觸控結(jié)構(gòu)是否能夠勝任大尺寸AMOLED 顯示產(chǎn)品,目前暫無量產(chǎn)品能夠給出確切結(jié)論。
面對市場對柔性AMOLED 顯示輕薄化、形態(tài)多樣化的需求,要求顯示模組堆疊結(jié)構(gòu)越來越簡單,屏體越來越薄。蓋板膜材減薄、功能膜材集成化是技術(shù)發(fā)展趨勢。隨著OLED 顯示屏廠的觸控制作工藝良率提升,集成式觸控在中小尺寸AMOLED 產(chǎn)品上將成為主流。但隨著模組結(jié)構(gòu)的減薄、顯示尺寸的增大,集成式觸控的負(fù)載會更大、接收噪聲強度更高[20]。當(dāng)圖案設(shè)計、驅(qū)動信號、降噪算法優(yōu)化至一定水平后,觸控端的技術(shù)改善將迎來瓶頸。如果觸控IC 能力提升有限,不足以應(yīng)對以上問題時,為了降低負(fù)載、降低顯示噪聲干擾,外掛式觸控方案可能會是部分中大尺寸AMOLED 產(chǎn)品的選擇方案。其中,金屬網(wǎng)格方案由于電極方阻小,大尺寸下通道阻抗更小,更有優(yōu)勢。如果SNW、石墨烯、導(dǎo)電高分子等透明導(dǎo)電材料未來能夠在保障光學(xué)品質(zhì)的前提下實現(xiàn)更低方阻,將會給中大尺寸柔性產(chǎn)品帶來更多選擇方案。
柔性AMOLED 顯示屏作為更有優(yōu)勢的顯示技術(shù)具有巨大的市場空間。隨著人機交互體驗需求的提升,觸摸屏在柔性AMOLED 顯示模組中的地位舉足輕重。目前集成式觸控技術(shù)面臨的挑戰(zhàn)需要從信號提升和噪聲抑制兩方面著手,需要觸摸屏設(shè)計和驅(qū)動、顯示屏設(shè)計和驅(qū)動共同努力。挑戰(zhàn)即機遇,集成式觸控面臨的挑戰(zhàn)或許會促進外掛觸摸屏用柔性導(dǎo)電材料和柔性基材的發(fā)展。相信技術(shù)的革新會給出解決方案,或開發(fā)出一種全新的觸控技術(shù)。