張夢(mèng)然
通過鐵電柵極絕緣體和原子層沉積氧化物半導(dǎo)體通道,日本科學(xué)家制造了三維垂直場(chǎng)效應(yīng)晶體管,可用來生產(chǎn)高密度數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器件。此外,通過使用反鐵電體代替鐵電體,他們發(fā)現(xiàn)擦除數(shù)據(jù)只需要很小的凈電荷,從而提高了寫入的效率。發(fā)表在2022年IEEE硅納米電子研討會(huì)上的該項(xiàng)成果,將催生新的更小、更環(huán)保的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。