郭文利,任曉龍,陳江義
(1.鄭州大學(xué) 機(jī)械與動(dòng)力工程學(xué)院,河南 鄭州 450000;2.廣東順德創(chuàng)新設(shè)計(jì)研究院,廣東 佛山 528000)
納米纖維由于其表現(xiàn)出的高比表面積、高孔隙率、優(yōu)異的力學(xué)性能及柔性等多種普通尺寸材料不具備的特殊性能[1],材料的應(yīng)用也廣泛涉及到組織工程[2-4],環(huán)保過濾[5-6],能源領(lǐng)域[7-9],傳感器技術(shù)[10]等重要前沿領(lǐng)域。靜電紡絲法具有簡(jiǎn)單、工藝可控、可連續(xù)生產(chǎn)的優(yōu)點(diǎn),是目前用于直接制備納米纖維最便捷有效的方法[11]。
為實(shí)現(xiàn)納米纖維膜的高質(zhì)量和大批量生產(chǎn),多針靜電紡絲和無針靜電紡絲成為高效制備納米纖維膜的熱門技術(shù)[12-13]。其中無針靜電紡絲技術(shù)中具有代表性的是蜘蛛納米纖維靜電紡絲[14]和氣泡靜電紡絲技術(shù)[15],但無針靜電紡絲技術(shù)往往存在直徑尺寸,射流可控性和工藝的穩(wěn)定控制方面的不足[16-19]。相比之下,多針靜電紡絲技術(shù)在納米纖維的均勻性、材料的適應(yīng)性、微結(jié)構(gòu)的復(fù)雜性、膜功能的多樣性等方面具有更大的優(yōu)勢(shì)。但是經(jīng)研究發(fā)現(xiàn),多噴頭射流間由于相鄰針頭間的電場(chǎng)會(huì)產(chǎn)生相互排斥的現(xiàn)象,導(dǎo)致紡絲過程的不穩(wěn)定和納米纖維的不均勻沉積[20-21],所以對(duì)于多針頭靜電紡絲技術(shù),電場(chǎng)分布的優(yōu)化是一個(gè)關(guān)鍵問題。Zhou等在早前的研究中就發(fā)現(xiàn),當(dāng)噴頭的間距比較小時(shí),針頭與針頭之間彼此受到的電場(chǎng)干擾較大,噴出的射流之間會(huì)相互影響,甚至很難形成射流,纖維直徑也變得不穩(wěn)定[22];劉延波等研究了附加金屬套管的結(jié)構(gòu)參數(shù)對(duì)靜電紡絲過程工作電場(chǎng)的影響[23];吳元強(qiáng)等對(duì)線性排列的多針頭靜電紡絲電場(chǎng)強(qiáng)度分布進(jìn)行了仿真研究,分析了針頭數(shù)量、針外徑、針長(zhǎng)、接收距離、電壓以及針間距等因素對(duì)電場(chǎng)強(qiáng)度的影響[24];卓麗云等分析了3種線性排列方式的多針頭分別以2種針間距放置時(shí)的電場(chǎng)強(qiáng)度分布,認(rèn)為其中梯形錯(cuò)列噴頭在保證一定的射流密度下,可獲得相對(duì)較高的電場(chǎng)強(qiáng)度[25];余薇等基于庫(kù)侖定律提出一種呈線性凸弧形排列方式的多針噴頭并進(jìn)行了有限元模擬分析,認(rèn)為線性凸弧形排布方式能夠降低邊緣針頭的場(chǎng)強(qiáng)且有利于改善針頭處電場(chǎng)分布均勻性[26]。
文中對(duì)不同針數(shù)的正六邊形多針系統(tǒng)進(jìn)行模型簡(jiǎn)化和模擬仿真,結(jié)合其電場(chǎng)分布特征,提出改善多針噴頭場(chǎng)強(qiáng)分布均勻性的可行措施:通過對(duì)不同針間距下場(chǎng)強(qiáng)分布趨勢(shì)的仿真分析,選擇合適的針間距;通過設(shè)置不等長(zhǎng)度的針頭均衡各針尖處的場(chǎng)強(qiáng)大小,進(jìn)一步提高場(chǎng)強(qiáng)分布的均勻性;通過對(duì)加載不同直徑屏蔽圓環(huán)下電場(chǎng)分布的仿真分析,選擇合適大小的屏蔽圓環(huán),得到場(chǎng)強(qiáng)分布均勻且集中的工作電場(chǎng)。
靜電紡絲裝置在穩(wěn)定工作狀態(tài)下保持源場(chǎng)電壓不變,所以該研究所建模型所處的物理場(chǎng)為一個(gè)穩(wěn)態(tài)靜電場(chǎng)。穩(wěn)態(tài)靜電場(chǎng)的泊松方程表示為
-2εrε0φ=ρ
(1)
式中εr為介質(zhì)的相對(duì)介電常數(shù);ε0為真空下的相對(duì)介電常數(shù);φ為電勢(shì),ρ為空間電荷密度。對(duì)于場(chǎng)中無電荷分布,即ρ=0時(shí),有
2φ=0
(2)
即靜電場(chǎng)的拉普拉斯方程。
靜電場(chǎng)中,電場(chǎng)強(qiáng)度E和電位移D可以由下式得到
E=-φ
(3)
D=εrε0E
(4)
該模型建立分析中,空氣域范圍為所建模型的4~5倍,為達(dá)到將外部環(huán)境影響降低到最小的目的,建立空氣域邊界條件為零電荷。邊界條件見式(5)
(5)
(6)
靜電紡絲裝置一般可以分為以下部分:高壓電源發(fā)生器、供液裝置、紡絲噴管、收集器。裝置原理示意圖如圖1所示。
圖1 靜電紡絲裝置Fig.1 Electrostatic spinning device
接通電源后,在噴頭和收集器間便形成工作電場(chǎng)。靜電紡絲裝置以7針為例,多針噴頭結(jié)構(gòu)如圖2所示。
圖2 靜電紡絲7針噴頭結(jié)構(gòu)Fig.2 7 needle nozzle structure
正六邊形多針噴頭針數(shù)由少到多可有7針、19針、37針等多針系統(tǒng),以19針為例,針頭分布平面示意如圖3所示,黑色實(shí)點(diǎn)表示針頭,虛線表示連接的針頭處于相同的位置,相鄰針間距為l,按位置標(biāo)記,如7針系統(tǒng)由1位針和2位針組成,19針系統(tǒng)由1位針、2位針、3位針組成,以此類推。
圖3 19針噴頭針頭分布結(jié)構(gòu)Fig.3 Distribution structure of 19 needle nozzle
使用有限元軟件對(duì)靜電紡絲過程進(jìn)行仿真,簡(jiǎn)化模型如圖4所示,主要由多針噴頭,矩形接收薄板和空間域組成,加載有高壓靜電的多針噴頭和接地的金屬收集薄板是形成電場(chǎng)的主要因素。
圖4 靜電紡絲裝置仿真簡(jiǎn)化模型Fig.4 Simplified simulation model of electrostatic spinning device
為了使模擬結(jié)果能夠有效的反映實(shí)際狀況,需要對(duì)模型中涉及的關(guān)鍵參數(shù)進(jìn)行設(shè)置,空氣的相對(duì)介電常數(shù)ε0為1.0,針頭和收集板的相對(duì)介電常數(shù)εr值為2.0,針頭型號(hào)為20 G,考慮到針頭數(shù)量增加和溶劑揮發(fā)空間的需要,7針系統(tǒng)接收距離為150 mm,將19針和37針系統(tǒng)接收距離設(shè)為200 mm。球狀空氣域半徑為1 000 mm,矩形收集薄板尺寸為400 mm×400 mm×4 mm,其他模型參數(shù)見表1。
表1 模型參數(shù)設(shè)置
為了進(jìn)一步衡量多針頭電場(chǎng)分布的均勻性,對(duì)模擬得到的各針尖場(chǎng)強(qiáng)數(shù)據(jù)進(jìn)行分析,采用標(biāo)準(zhǔn)差系數(shù)Vσ作為參考評(píng)價(jià),見式(7)
(7)
式中σ為標(biāo)準(zhǔn)差;μ為平均值。
對(duì)不同針間距的正六邊形多針噴頭進(jìn)行仿真,分析針間距對(duì)場(chǎng)強(qiáng)分布的影響,選擇合適的針間距,兼顧場(chǎng)強(qiáng)分布均勻性與射流密度以適應(yīng)規(guī)?;纳a(chǎn)過程。以7針系統(tǒng)為例詳細(xì)介紹:接收間距為150 mm,設(shè)置針間距l(xiāng)取值10~40 mm,步長(zhǎng)為5 mm。選擇針尖下方1 mm電場(chǎng)強(qiáng)度值作為觀測(cè)值。當(dāng)針間距為10 mm和20 mm時(shí)針尖下方1 mm處場(chǎng)強(qiáng)分布如圖5所示。
圖5 不同針間距下場(chǎng)強(qiáng)分布Fig.5 Field intensity distribution at different needle spacing
通過仿真可以分析7針噴頭的電場(chǎng)分布特征:1位針電場(chǎng)強(qiáng)度小于2位針電場(chǎng)強(qiáng)度,2位針各針在電場(chǎng)中處于相同位置,針尖場(chǎng)強(qiáng)值接近一致,2位針對(duì)1位針產(chǎn)生類似屏蔽效果。記1位針電場(chǎng)強(qiáng)度為E1,2位針中電場(chǎng)強(qiáng)度最大值為E2,場(chǎng)強(qiáng)差值為ΔE12=E2-E1。將不同針間距下所得的場(chǎng)強(qiáng)數(shù)據(jù)整理分析得到針間距對(duì)場(chǎng)強(qiáng)分布的影響如圖6所示,左軸表示場(chǎng)強(qiáng)值,右軸表示標(biāo)準(zhǔn)差系數(shù)。隨著針間距的增大,各針尖場(chǎng)強(qiáng)和整體平均場(chǎng)強(qiáng)隨之增大。值得注意的是,當(dāng)針間距不大于30 mm時(shí),標(biāo)準(zhǔn)差系數(shù)Vσ和ΔE12維持同一水平小范圍浮動(dòng)。當(dāng)針間距大于30 mm時(shí),兩者都隨針間距增大而明顯減小。這是因?yàn)樵谙嗤墓ぷ麟妷合拢橀g距越小、針上電荷間的相互排斥和干擾越強(qiáng),場(chǎng)強(qiáng)被削弱也越明顯。隨著間距增大,針間相互作用減弱,整體場(chǎng)強(qiáng)提高,當(dāng)針距增大到一定程度時(shí),各針接近單針電場(chǎng)分布,各針場(chǎng)強(qiáng)趨近一致。
圖6 7針噴頭針距對(duì)場(chǎng)強(qiáng)的分布影響Fig.6 Effects of needle spacing on field intensity distribution of 7 needle nozzle
同時(shí)從19針噴頭仿真中也可以看到相似的電場(chǎng)分布特征,如圖7所示:針間距增大,各針電場(chǎng)強(qiáng)度增大,與7針噴頭相比標(biāo)準(zhǔn)差系數(shù)減小更明顯,說明針頭數(shù)量更多時(shí),場(chǎng)強(qiáng)分布對(duì)針間距變化更敏感;3位針對(duì)1位針和2位針產(chǎn)生屏蔽作用??梢哉J(rèn)為:較小的針間距可以獲得較大的射流密度,有利于批量化生產(chǎn),但工作電場(chǎng)質(zhì)量較差;較大的針間距有利于獲得較大且分布均勻的工作電場(chǎng)但生產(chǎn)效率不高,因此綜合考慮認(rèn)為對(duì)于正六邊形排列式多針噴頭,針間距應(yīng)為20~30 mm較好,當(dāng)針數(shù)增加時(shí),考慮到紡絲液溶劑揮發(fā)等需求,可適當(dāng)選擇稍大的針間距。文中為7針噴頭選擇針間距為20 mm,Vσ=0.07;19針噴頭針間距為25 mm,Vσ=0.11。
圖7 19針噴頭針距對(duì)場(chǎng)強(qiáng)分布的影響Fig.7 Effects of needle spacing on field intensity distribution of 19 needle nozzle
由靜電場(chǎng)理論可知,改變兩點(diǎn)電荷之間的距離,電場(chǎng)力會(huì)隨之改變,可以通過改變針長(zhǎng)來提高場(chǎng)強(qiáng)分布的均勻性。為了盡量對(duì)少數(shù)的針長(zhǎng)做出調(diào)整,文中選擇收集薄板位置不變的情況下加長(zhǎng)低位針。多針噴頭標(biāo)號(hào)按同位針(由低到高)針長(zhǎng)標(biāo)記,如:19針等長(zhǎng)噴頭記作25-25-25。圖8分別展示了7針和19針系統(tǒng)不等針長(zhǎng)情況下的場(chǎng)強(qiáng)分布云圖,對(duì)比圖8(a)和(b)中可以看到,1位針加長(zhǎng)為25.12 mm后,電場(chǎng)強(qiáng)度變大,紅色區(qū)域變大,顏色變深,由圖8(c)和(d)中同樣可以看到1位針和2位針分別加長(zhǎng)至25.18 mm和25.14 mm后電場(chǎng)強(qiáng)度得到有效增強(qiáng)。
圖8 不等針長(zhǎng)對(duì)場(chǎng)強(qiáng)分布的影響Fig.8 Effects of unequal needle length on field intensity distribution
表2中列出了幾種不同針長(zhǎng)標(biāo)號(hào)的7針噴頭的場(chǎng)強(qiáng)分布數(shù)據(jù)。結(jié)果表明:隨著1位針加長(zhǎng),場(chǎng)強(qiáng)差值ΔE12隨之減?。划?dāng)1位針長(zhǎng)度為25.14 mm和25.16 mm時(shí),都有ΔE12為負(fù)數(shù),即E2 表2 不等針長(zhǎng)7針噴頭場(chǎng)強(qiáng)分布對(duì)比 同樣地對(duì)于19針噴頭,當(dāng)1位針加長(zhǎng)為25.18 mm,2位針加長(zhǎng)為25.14 mm時(shí)場(chǎng)強(qiáng)分布也得到明顯優(yōu)化,總體平均場(chǎng)強(qiáng)由1 417.35 V/mm提高為1 510.48 V/mm,Vσ由0.17降低到0.05。 由之前的模擬仿真,可以認(rèn)識(shí)到在正六邊形多針噴頭的電場(chǎng)中,高位針會(huì)對(duì)內(nèi)部針間電場(chǎng)起到屏蔽效果,例如:當(dāng)19針噴頭設(shè)置和7針噴頭相同的針間距20 mm和接收距離15 mm時(shí),由于3位針的存在,不僅使1、2位置針頭總體平均場(chǎng)強(qiáng)由1 818.91 V/mm降到1 128.04 V/mm,還使得ΔE12從190.78 V/mm減小為112.80 V/mm,Vσ由0.07降低到0.05,說明3位針對(duì)內(nèi)部針間電場(chǎng)產(chǎn)生屏蔽作用的同時(shí)也使電場(chǎng)分布的均勻性得到了優(yōu)化。因此可以通過設(shè)置屏蔽環(huán)來提高電場(chǎng)分布的均勻性,屏蔽環(huán)選擇0.6 mm直徑的鐵絲,和針頭接同一電源,與噴頭同軸放置在針尖高度如圖9(a)所示。選擇xy(z=0)截面,帶屏蔽環(huán)的7針噴頭電場(chǎng)分布如圖9(b)示,箭頭方向?yàn)殡妶?chǎng)方向,箭頭長(zhǎng)度與以10為基數(shù)的電場(chǎng)強(qiáng)度的對(duì)數(shù)成正比。 圖9 帶屏蔽環(huán)7針噴頭電場(chǎng)仿真Fig.9 Electric field simulation of 7 needle nozzle with shielding ring 設(shè)置不同直徑大小的屏蔽環(huán)分析其對(duì)電場(chǎng)分布的影響并選擇合適大小的屏蔽環(huán),選擇針下5 mm處進(jìn)行觀測(cè),沿y軸正方形順時(shí)針夾角為正,為了更好的表達(dá)電場(chǎng)方向,對(duì)箭頭長(zhǎng)度做出歸一化處理,即箭頭長(zhǎng)度不表示場(chǎng)強(qiáng)值大小,如圖10所示。 圖10 屏蔽環(huán)對(duì)7針噴頭電場(chǎng)范圍的影響Fig.10 Influence of shielding ring on electric field distribution range of 7 needle nozzle 結(jié)合表3中數(shù)據(jù)來看,對(duì)于7針噴頭,屏蔽環(huán)合適的直徑為8 cm,相對(duì)于無屏蔽環(huán)7針噴頭,Vσ由0.07減小為0.03,場(chǎng)強(qiáng)分布均勻性最好,2位針處電場(chǎng)線夾角也由21.20°減小為5.70°,電場(chǎng)分布的范圍得到明顯集中。 表3 不同屏蔽環(huán)下7針噴頭電場(chǎng)分布 同樣的對(duì)于19針噴頭,可選擇12 cm直徑的屏蔽環(huán)可得到分布均勻且集中的電場(chǎng),模擬結(jié)果見表4。 表4 直徑12 cm屏蔽環(huán)對(duì)19針噴頭電場(chǎng)分布的影響 綜上結(jié)果表明:屏蔽環(huán)會(huì)削弱針尖處電場(chǎng)強(qiáng)度,但對(duì)高位針的效果更明顯,一定程度上使場(chǎng)強(qiáng)分布得到均衡;屏蔽環(huán)會(huì)使電場(chǎng)分布的范圍縮小,有利于獲得分布集中的工作電場(chǎng)。 1)正六邊形多針噴頭的電場(chǎng)分布中,同位針針尖場(chǎng)強(qiáng)相近且高位針針尖場(chǎng)強(qiáng)大于低位針針尖場(chǎng)強(qiáng),高位針對(duì)內(nèi)部電場(chǎng)有屏蔽作用。 2)針間距增大,針間電場(chǎng)相互作用減小,各針尖場(chǎng)強(qiáng)隨之增大,針間距增大到一定程度,各針場(chǎng)強(qiáng)分布接近單針分布。較大的針間距有利于獲得場(chǎng)強(qiáng)較大且分布均勻的工作電場(chǎng),但射流密度較低,不利于提高生產(chǎn)效率,所以應(yīng)選擇合適的針間距,20~30 mm為宜。 3)紡針長(zhǎng)度增加,電場(chǎng)強(qiáng)度隨之增大,對(duì)正六邊形多針噴頭,適當(dāng)加長(zhǎng)低位針,有利于提高低位針電場(chǎng)強(qiáng)度,均衡整體場(chǎng)強(qiáng)分布。 4)屏蔽環(huán)對(duì)高位針的屏蔽效果更明顯,選擇合適直徑大小的屏蔽環(huán)有利于在針尖附近形成分布均勻且集中的電場(chǎng)。 5)為今后正六邊形多針噴頭的電場(chǎng)分布優(yōu)化和多針靜電紡絲規(guī)?;a(chǎn)設(shè)備的進(jìn)一步研發(fā)提供了理論和研究基礎(chǔ)。3.3 帶屏蔽環(huán)的多針電場(chǎng)仿真
4 結(jié) 論