趙 碩,周治國
(上海師范大學化學與材料科學學院,上海 200234)
磁共振成像(MRI)因具有無電離輻射、多參數(shù)成像、高對比度成像等優(yōu)點,已成為臨床醫(yī)學最常見的影像學檢測手段之一.受制于當前的技術,部分條件下無法有效區(qū)分病變組織和正常組織之間的信號差異.為實現(xiàn)更精確的診斷,人們開始研究磁共振造影劑(MRI CAs).MRI CAs可以顯著降低體內(nèi)局部組織中水質(zhì)子的弛豫時間,提高正常組織與患病組織的成像對比度.目前,臨床上使用的縱向弛豫(T1)造影劑(即T1CAs)多為釓離子(Gd3+)螯合物.Gd3+螯合物在體內(nèi)的循環(huán)時間較短且無特異性,長時間監(jiān)測具有一定的局限性.此外,Gd3+螯合物的另一個缺點是其弛豫率相對較低,為更好滿足MRI對比度的要求,需要高劑量注射造影劑.但高劑量注射會導致Gd3+部分游離,游離的Gd3+因與鈣離子(Ca2+)半徑接近從而進入細胞,對人體造成巨大危害.在各種類型的MRI CAs中,基于釓基無機納米粒子(Gd IONPs)的MRI CAs有它們獨特的電子、磁性和光學特性,易于細胞內(nèi)的吸收和積累,并且具備出色的體內(nèi)穩(wěn)定性.Gd IONPs的高表面積也大大提高了它們的化學反應性,利于表面修飾,以上特點使Gd IONPs成為MRI CAs未來的設計方向之一.
T1CAs能夠顯著縮短水分子的T1時間,從而產(chǎn)生造影效果[1-2].通常,T1CAs用于增加信號強度,所以T1加權MRI中的正對比度增強(產(chǎn)生的圖像更亮).縱向弛豫率(r1)是造影劑縮短水分子T1時間的能力的評價方式,其定義為r1與CAs物質(zhì)的量濃度的曲線的斜率[3]:
其中,r10表示沒有造影劑的弛豫率,CCAs是造影劑的物質(zhì)的量濃度(mmol·L-1).r1的值通常用于評估納米粒子CAs的MRI弛豫率.
根據(jù)所羅門-布羅伯根-摩根理論[4-6](簡稱SBM理論),基于水質(zhì)子與磁性金屬中心之間的結(jié)合關系,可將r1分為3個部分,如圖1所示:1)內(nèi)界水rIS(Inner sphere),直接與金屬離子結(jié)合的水分子;2)第二層水rSS(Second sphere),通過氫鍵與配體相互作用的水分子;3)外界水rOS(Outer sphere),擴散在造影劑周圍的水分子.
圖1 水質(zhì)子與磁性金屬中心之間的結(jié)合關系示意圖
r1可以用式(1)表示:
因為第二層水分子的壽命非常短,且它們到金屬中心的距離很長,rSS通??梢院雎圆挥?因此,r1可表示為:
其中,q是內(nèi)界水的數(shù)目;CH2O表示水的物質(zhì)的量濃度;T1m是水質(zhì)子在內(nèi)界的T1弛豫時間;τm是水分子在內(nèi)界的結(jié)合時間;μ0是玻爾磁子常數(shù);γI是質(zhì)子的旋磁比;g是電子g系數(shù);S是相應順磁物種的自旋量子數(shù);rGdH是內(nèi)界水分子中的氫質(zhì)子到金屬離子之間的距離;τc是描述波動磁偶極子的相關時間;τR是造影劑的分子旋轉(zhuǎn)相關時間;ωs是電子的拉莫爾角頻率;μB是玻爾磁子,μB=9.274×10-24J·T-1.
根據(jù)式(3)~(5)可知,有3個主要因素影響造影劑弛豫率:1)q值;2)τR值;3)τm值(內(nèi)球體中水交換率的倒數(shù)kex=1/τm).
納米技術的進步促進了納米粒子CAs的快速發(fā)展.隨著研究的深入,人們對如何設計高弛豫率的Gd IONPs有了更多了解.通常有3種方式會對Gd IONPs的弛豫率產(chǎn)生影響:形貌、尺寸以及表面修飾.此外,通過引入氧空位也可以有效提升弛豫率.
不同的形貌對納米粒子會產(chǎn)生較大的影響,形貌的改變影響了納米粒子表面積與體積的比值(S/V),從而改變納米粒子的弛豫率,如圖2所示.
圖2 不同形貌Gd2O3∶Eu3+的合成及其磁共振性質(zhì).(a)Gd2O3∶Eu3+在不同反應時間和pH值下的形貌形成過程示意圖;(b)Gd2O3∶Eu3+@SiO2和商業(yè)造影劑(Dotarem)的T1加權成像;(c)不同pH值下Gd2O3∶Eu3+的Gd3+的弛豫率
PARK等[7]制備了具有球形、方形棱柱、六角棒形狀的立方結(jié)構氧化釓:銪@二氧化硅(Gd2O3:Eu3+@SiO2)樣品.其中球形結(jié)構弛豫率明顯高于其他形貌.這種現(xiàn)象可以通過粒徑、表面積和r1的關系來理解.在相同的Gd3+物質(zhì)的量濃度下,大表面積的樣品比小表面積的Gd3+多,暴露在表面加快了水質(zhì)子的自旋弛豫過程.
ZHENG等[8]合成了具有菱形形狀的均勻氟化釓納米粒子(GdF3NPs).為解釋形貌帶來的影響,構建了2個幾何模型(2D板和球體)分別代表GdF3NPs和傳統(tǒng)的球體納米粒子.將板模型的3個維度的尺寸與GdF3NPs成比例設置,并且將2個模型的體積歸一化.將S定義為表面積,將a定義為流體動力學半徑.根據(jù)計算,在原子數(shù)量保持不變的情況下,2D板結(jié)構的S/V值比球結(jié)構相對更高.同時,2D板結(jié)構也具有比第一個球體更長的τR.
無機納米粒子具備獨特的尺寸依賴效應,通過控制成核和生長從而調(diào)控納米粒子的尺寸,并對納米材料尺寸與弛豫率的相關性進行研究,以此合理設計高r1值的Gd IONPs CAs.研究表明:NPs的S/V值是r1主要的影響因素,大部分情況下會隨著NPs尺寸的減小而增加,從而提高r1,如表1所示.
表1 部分Gd IONPs尺寸對弛豫率的影響
ZHOU等[9]通過改變反應體系中甘油的劑量調(diào)控納米粒子的尺寸,并測量了不同尺寸Gd2O3納米粒子的弛豫率.隨著納米粒子尺寸的增加,弛豫率也在不斷下降.較大尺寸粒子中弛豫率的降低是因為納米粒子的表面積減小,CHATURVEDI等[10-12]也證實了Gd2O3納米粒子尺寸越小,弛豫率越高.
在氟釓酸鈉(NaGdF4)納米粒子中也觀察到相同規(guī)律,JOHNSON等[15]通過調(diào)節(jié)反應條件合成了不同尺寸的NaGdF4納米粒子,其r1也隨尺寸下降而提高,并發(fā)現(xiàn)S/V值并非影響弛豫率的唯一因素.LIU等[13-14]也證實了弛豫率隨NaGdF4納米粒子尺寸下降而升高.HOU等[16]首次合成了超過10 nm的NaGdF4,但發(fā)現(xiàn)對應尺寸的納米粒子弛豫率并非完全隨尺寸減小而增大,雖然15.1 nm減小到5.4 nm時,弛豫率減小,但增加到19.8 nm時弛豫率卻提升了,此時弛豫率因受τR影響而提升.
除尺寸影響之外,基于SBM理論的3種水分子(內(nèi)界水、第二層水、外界水)可以通過表面修飾改變3種水分子對r1的貢獻.對于Gd IONPs表面修飾,可以調(diào)整水質(zhì)子到Gd IONPs表面的距離來增強水與中心順磁離子的距離,從而產(chǎn)生比單獨使用小分子造影劑更高的弛豫率.提高程度取決于有機配體的種類、尺寸、鏈長和官能團、碳材料的修飾以及二氧化硅(SiO2)殼的厚度,如表2所示.
表2 部分有機配體修飾對Gd IONPs弛豫率的影響
2.3.1 有機配體修飾
FANG等[17]合成了油酸(OA)和十六烷基三甲基溴化銨(CTAB)共包覆的Gd2O3、親水涂層的聚乙烯吡咯烷酮(PVP)包覆的Gd2O3.后者r1遠高于前者,前者的低r1值是由于雙層長疏水鏈阻止了水質(zhì)子接近納米顆粒核心中的Gd.對于后者,長PVP鏈向上滾動并將Gd2O3核心包裹在里面.PVP的每個單體中的極性C=O基團允許水分子穿過涂層,并與Gd2O3相互作用,從而提高了r1.
ZHENG等[8]利用檸檬酸與聚(丙烯酸)(PAA)2種有機配體改善GdF3水溶性,研究表明:PAA改性弛豫率遠高于檸檬酸改性.檸檬酸分子鏈相對較短,改性后的納米粒子具有較小的流體動力學半徑.因此,它們的τR相對較小,不利于弛豫增強.
ZHENG等[18]選擇帶有羧基的陰離子PAA、帶有氨基的陽離子聚乙烯亞胺(PEI)和帶有醚基的中性聚乙二醇(PEG)改善NaGdF4的水溶性,PAA包裹的納米粒子弛豫率明顯高于其他2種聚合物.結(jié)合能(BE)計算表明,PAA對水分子的結(jié)合能力遠強于PEG和PEI,有機配體的官能團對弛豫率也有顯著影響.此外,還發(fā)現(xiàn)弛豫率與有機配體分子量并無正相關聯(lián)系.
MIAO等[19]合成了2.0 nm Gd2O3,并用不同分子量的親水性生物相容性聚丙烯酸改善水溶性.改善后的水溶性納米粒子粒徑隨分子量的增加而增加,r1隨著粒子半徑增大而減小.造成這一現(xiàn)象的原因是表面Gd(Ⅲ)和水質(zhì)子之間的磁偶極相互作用,隨著流體動力學直徑的增加而減弱.
GULERIA等[20]合成了表面包覆有二甘醇、三甘醇、四甘醇和PEG的Gd2O3納米粒子.合成納米顆粒的尺寸與多元醇的鏈長呈線性相關,并隨鏈長增加而增大,弛豫率也隨之增長.同時也證實了弛豫率依賴于涂層表面的親水性,對于親水性更高的PEG涂層,觀察到最高的MRI對比度增強.
KIM等[21]選擇d-葡萄糖醛酸、PEGD-250和PEGD-600 3種配體探究了超小Gd2O3納米粒子的配體大小依賴性,發(fā)現(xiàn)配體尺寸越小弛豫率越高.
2.3.2 碳修飾
KUANG等[22]將Gd2O3納米顆粒裝載到介孔碳納米球(OMCN)中制備了Gd2O3@OMCN,Gd2O3@OMCN的弛豫率遠高于Gd-DTPA,OMCN的孔徑(2.8 nm)適合限制超小Gd2O3納米粒子(2.6 nm)的旋轉(zhuǎn)和水分子的擴散,因此Gd2O3@OMCN弛豫率提升明顯,如圖3所示.
圖3 Gd-DTPA,Gd2O3,Gd2O3@OMCN,Gd2O3@OMCN-PEG和Gd2O3@OMCN-PEG-RGD在0.5 T下的(a)弛豫率及(b)不同濃度下的黑白信號圖像
YUE等[23]在水溶液中合成了碳層包覆(使用葡萄糖對碳層進行修飾)的超小氧化釓(Gd2O3@C)核殼納米粒子(Gd2O3@C NPs),其具有優(yōu)異的膠體穩(wěn)定性、非常高的r1值(16.26 mmol-1·L·s-1).由于碳表面含有來自葡萄糖的羥基,可以與其周圍水分子相互作用,從而提高弛豫率.
2.3.3 SiO2修飾
CHEN等[24]研究了致密二氧化硅殼(d-SiO2)和中孔二氧化硅殼(m-SiO2)及其厚度對基于Gd3+的上轉(zhuǎn)換納米粒子(UCNP)的MRI弛豫的影響,如圖4所示.研究結(jié)果表明:對于m-SiO2其殼厚并不影響弛豫率;對于d-SiO2其殼厚影響弛豫率的變化.造成該現(xiàn)象的原因是SiO2修飾的UCNP主要受外界水擴散的影響,水分子在介孔通道中的擴散不受m-SiO2殼層厚度增加的影響;不存在大孔道的d-SiO2殼層中水分子的擴散會受到殼厚的限制,導致其更長的擴散時間,從而影響弛豫率的變化.
圖4 不同厚度的m-SiO2和d-SiO2修飾的上轉(zhuǎn)換納米粒子(UCNP)對弛豫率的影響.(a)用m-SiO2和d-SiO2修飾UCNP-1的示意圖;(b)不同厚度的UCNP-1@m-SiO2的透射電子顯微鏡(TEM)圖;(c)不同厚度的UCNP-1@d-SiO2的TEM圖;(d)r1和橫向弛豫率(r2)與m-SiO2殼層厚度的關系圖;(e)r1和r2與d-SiO2殼層厚度的關系圖
YIN等[25]設計并制備了均勻且單分散的核殼SiO2Gd2O3納米顆粒(CSSGNPs),其具有90 nm的核和1.5~20 nm的可控殼厚度,其T1值比T1造影劑:馬根維顯(Gd-DTPA)大1.8~7.3倍.研究表明:核殼納米粒子的弛豫性與殼層厚度成反比關系.核殼納米顆粒的S/V值較大,對其弛豫增強起著主導作用;Gd3+與水質(zhì)子之間的距離也有助于弛豫率的變化.
最近,有研究表明可以通過氧空位實現(xiàn)弛豫率的提升,其原理為表面氧空位通過將水分子的氧原子與Gd3+結(jié)合使材料與更多的水分子接觸從而提高弛豫率,如圖5所示.
圖5 0.5 T下紫外線照射對GdTi-SC NPs弛豫率的影響.(a)GdTi-SC NPs溶液在3個紫外光處理/暗處理(UV/Dark)循環(huán)期間的T1變化;(b)不同條件下T1加權的MRI;(c)0.5 T不同條件下的r1;(d)GdTi-SC NPs表面的光誘導超親水輔助(PISA)效應示意圖
LIU等[26]通過順序生長方法,并涂有檸檬酸鈉,合成了親水性Gd摻雜二氧化鈦(TiO2)橢圓形納米粒子(GdTi-SC NPs)(如圖5所示).這些NPs在紫外線照射后r1顯著增加(35%).在紫外線照射下,GdTi-SC NPs表面會形成局部超親水區(qū)域(PISA效應).這種變化增加了水分子在內(nèi)球和第二球中的有效配位數(shù)和駐留時間,以及水分子在外球中的擴散時間,提高順磁弛豫(PRE)效率,并導致r1升高.
NI等[27]合成了摻雜Gd3+的鈉鎢青銅(NaxWO3)后經(jīng)過PEG水溶性改善的PEG-NaxGdWO3納米棒,PEG-NaxGdWO3納米棒的高r1歸因于氧空位與Gd3+結(jié)合的水分子中的氧原子結(jié)合,從而導致內(nèi)界水(q)分布增加.在低氧空位濃度下,上述相互作用減弱,導致弛豫性降低.
SHAO等[28]開發(fā)了Gd摻雜二氧化鈰(CeO2∶Gd)納米粒子作為CAs,CeO2∶Gd納米粒子表面的晶格氧空位,可以結(jié)合大量水分子以提高r1值,從而實現(xiàn)出色的動態(tài)對比度增強灌注加權成像性能,用于測量微血管通透性.
臨床上使用的T1造影劑Gd-DTPA在體內(nèi)的循環(huán)時間較短、弛豫率較低且Gd3+容易游離,易對人體造成巨大危害,而Gd IONPs合成方法簡單且可控,并具備良好的生物相容性,可以更好地解決以上問題.本文作者總結(jié)了影響Gd IONPs CAs弛豫率的因素,在設計Gd IONPs時應選擇適當?shù)男蚊?、合理的尺寸、合理的修飾方式(選擇不同的修飾方式時使用更佳的修飾條件),以及引入氧空位等,通過調(diào)整相關設計方法,未來Gd IONPs CAs在生物醫(yī)學領域?qū)⒂瓉砀鼜V闊的發(fā)展空間.