李子倫，褚皓宇，張瑞雪，高 強，沈 斌，奚學程，趙萬生

（1.上海交通大學機械與動力工程學院，機械系統(tǒng)與振動國家重點實驗室，上海 200240；2.平湖市領(lǐng)智高端制造技術(shù)研究院，浙江嘉興314206 ）

電火花線切割加工是重要的非傳統(tǒng)材料去除加工方法，是電火花加工工藝的一種獨特應用[1]。電火花線切割加工過程中無機械切削力存在，同時可實現(xiàn)很小的加工工件拐角半徑，非常適合精密加工，在模具制造、航空航天零部件和汽車零部件等行業(yè)[2-3]中發(fā)揮著關(guān)鍵作用。

通常，電火花線切割加工分為單向走絲線切割加工和往復走絲線切割加工兩種。單向走絲線切割加工的電極絲移動速度通常為0.01～0.25 m/s，而往復走絲線切割加工的通常為8～10 m/s[4]。相對而言，往復走絲線切割加工的電極絲移動速度快、排屑能力更強，因而可加工大厚度和大錐度工件。然而目前有關(guān)往復走絲線切割加工的材料去除物理過程研究尚不深入，人們對其微觀過程仍缺乏直觀地了解和深入認知。由于往復走絲線切割的放電間隙狹小、放電脈沖持續(xù)時間極短，并且脈沖放電是在電極絲高速移動的情況下完成，人們難以通過常規(guī)手段觀察其直接材料去除過程。然而，對往復走絲線切割物理過程的清晰認知，是優(yōu)化工藝流程、提升控制性能的基礎(chǔ)，對理解放電通道等離子體加工本質(zhì)以及提升其加工性能有重要意義。

隨著高速攝像機的應用，拍攝幀頻不斷提高，學者們對電火花加工放電過程有了更多認識。針對電火花成形加工中放電通道等離子體的發(fā)展過程，Kojima 等[5]和Natsu 等[6-7]使用高速攝像機對放電通道等離子體的擴張規(guī)律進行了研究，認為放電通道在空氣介質(zhì)被擊穿后的2 μs 內(nèi)完成擴張，之后一直保持不變。岳曉明和楊曉冬等[8]使用高速攝像技術(shù)發(fā)現(xiàn)等離子體對熔池施加了運動壓力和運動剪切力，進而對熔融材料的去除和蝕坑形貌產(chǎn)生影響，并觀測了不同介質(zhì)中單脈沖放電電弧放電通道等離子體直徑及其運動行為[9]，發(fā)現(xiàn)電弧放電通道等離子體迅速完成擴張，并在做周期性徙動。除了電火花成形加工外，很多學者專門針對電火花線切割加工及其放電通道等離子體移動情況下的物理現(xiàn)象進行了研究。Kunieda 等[10]對相對高速移動電極之間的材料去除過程進行了觀測研究，結(jié)果表明等離子弧柱在陽極表面發(fā)生了明顯的滑移。何賜文等[11]設(shè)計了專用的往復走絲線切割加工極間觀測夾具，通過高速攝像技術(shù)觀察了切縫中電介質(zhì)和放電產(chǎn)物的動態(tài)分布及其從切縫排出的過程，探索了電介質(zhì)影響線切割加工穩(wěn)定性和加工效率的機理。

目前針對往復走絲線切割加工過程中放電通道等離子體的觀測與研究尚不深入。而上述觀測研究成果對本文進行的脈沖放電過程物理現(xiàn)象觀測具有重要的參考價值，可對其做法加以利用，借鑒到本文實驗中。

1 實驗裝置與條件

往復走絲線切割加工過程復雜，其顯著特點是電極絲與工件之間的移動速度相對較大。因此，本實驗主要是在電極相對工件高速移動的情況下，考察放電通道等離子體形態(tài)及其發(fā)展的過程。放電通道等離子體及電蝕產(chǎn)物在放電脈沖持續(xù)期間會產(chǎn)生寬頻的弧光，其波段范圍為380～780 nm[12]。本文以較高幀率的拍攝速度拍攝了脈沖放電過程中放電通道等離子體以及電蝕產(chǎn)物產(chǎn)生的弧光，進而獲得放電通道等離子體發(fā)展以及電蝕產(chǎn)物運動的動態(tài)圖像。

放電通道等離子體對材料蝕除微觀過程的觀測存在以下幾個難點：①放電過程極其短暫，通常在1～100 μs 之間完成，需極高的觀測幀率；②放電間隙狹小且被電極絲遮擋；③迸射出來的高溫加工屑和電介質(zhì)會對昂貴的儀器造成損害；④電極長度遠大于放電通道等離子體的直徑，并且每次放電位置隨機，造成放電通道無法準確落在高速攝像機視窗內(nèi)且難以精準對焦。

考慮到上述因素，本文結(jié)合前人研究經(jīng)驗設(shè)計了相應的實驗裝置，對放電通道等離子體高速滑移時的放電過程進行觀測和研究。首先，采用圖1 所示觀測方法，使電極絲中心與工件邊緣對齊，進而使放電間隙暴露在視野內(nèi)。此方法未使用玻璃片模擬間隙側(cè)壁，導致連續(xù)放電時電極絲前、后兩側(cè)的受力不均。在單脈沖放電或脈間較大的情況下，基本可忽略受力不均的因素，此時能更直觀地觀測到電蝕產(chǎn)物的運動以及放電通道等離子體的弧光。

圖1 觀測位姿示意圖

為盡量使單脈沖放電發(fā)生在觀測視野內(nèi)，并減少放電位置的隨機變化，同時保證脈沖放電過程中的等離子體能充分移動，本文選擇厚度為1 mm 的工件，使電極絲保持水平方向不運動，并調(diào)節(jié)工作臺位置來設(shè)定初始放電間隙。工作臺的進給分辨率為1 μm，使用專用控制器平臺調(diào)節(jié)至合適的放電間隙后進行單脈沖放電。電極和工件分別接脈沖電源的負極和正極，進行少量沖液，以模擬極間狀態(tài)。

實驗選用PhantomV2012 型高速攝像機，這是一臺可感知可見光和部分紅外波段的黑白高速攝像機；在攝像機鏡頭前加入石英玻璃片，防止迸射的加工屑和電介質(zhì)對攝像機鏡頭產(chǎn)生傷害。

實驗在某公司生產(chǎn)的往復走絲電火花線切割機床上進行；使用蘇州邁科全機電有限公司開發(fā)的嵌入式RT-WEDM 智能控制系統(tǒng)進行運動控制；采用南京理工大學開發(fā)的節(jié)能型脈沖電源提供放電能量，該電源可選擇單脈沖或連續(xù)脈沖放電模式；使用Cr12 冷作模具鋼作為工件材料，電極絲為直徑0.18 mm 的鉬絲。觀測裝置示意圖見圖2。

圖2 觀測實驗裝置示意圖

為保證觀測對常規(guī)加工參數(shù)具有指導意義，同時盡可能多地獲取觀測信息，本實驗選擇適當脈寬的參數(shù)進行觀測，經(jīng)綜合考慮設(shè)置脈寬為40 μs、峰值電流為25 A、電極絲移動速度為10 m/s。高速攝像機參數(shù)見表1。

表1 放電通道等離子體觀測實驗高速攝像機參數(shù)

2 放電通道等離子體發(fā)展過程觀測

放電通道等離子體的發(fā)生在時間和空間上具有一定隨機性。本文通過觀察大量單脈沖放電通道等離子體的發(fā)展過程，對其中具有代表性的現(xiàn)象進行了分析。為了更加直觀地表明各時刻放電通道等離子體的發(fā)展情況，以5 μs 為一個周期對觀測到的系列圖像進行分析。

2.1 電極絲向下運動時極間現(xiàn)象觀測與分析

圖3 直觀地顯示了在電極與工件有較大相對移動速度時的放電通道等離子體發(fā)展過程。為更加清晰地觀察放電通道等離子體發(fā)展過程和電蝕產(chǎn)物的拋出情況，后處理時在每幀照片上標記了工件邊緣的位置，以此作為參考位置。

在t=0 μs 時，電介質(zhì)被擊穿，放電通道等離子體形成。圖3a 是放電脈沖開始時刻的放電通道等離子體形態(tài)，此時電極絲向下運動；照片左側(cè)為電極絲及放電間隙，右側(cè)為工件基體，在擊穿時刻放電通道等離子體直徑較小，弧光也較微弱。

圖3 電極絲向下運動時放電通道等離子體發(fā)展與電蝕產(chǎn)物拋出過程

在t=5、10、15、20 μs 時，放電通道等離子體的直徑相較于與初始時刻明顯增大，同時伴隨電極絲與工件的相對移動，放電通道等離子體也在工件表面不斷滑移，滑移方向與電極絲移動方向相同。此外，伴隨電極絲的高速移動，放電通道等離子體被明顯拉長，其直徑發(fā)展到一定程度后變化較小。

在t=25、30、35 μs 時，放電通道等離子體直徑發(fā)展到一定程度之后便保持不變。此階段放電通道等離子體繼續(xù)隨著電極絲的移動而滑移。

在t=40 μs 時，高亮區(qū)域的形貌是放電通道等離子體的最終形態(tài)。放電通道等離子體相對于初始位置發(fā)生了較大范圍的滑移，在其初始位置已看不到弧光，此時被等離子體掃掠過的區(qū)域逐漸降溫。通過比例尺可見，放電通道等離子體的滑移長度約400 μm，而蝕坑尺寸大約為100～500 μm，與電極絲在放電持續(xù)時間內(nèi)的滑移距離相當。

2.2 電極絲向上運動時極間現(xiàn)象觀測與分析

在往復走絲電火花線切割加工中，電極絲做往復運動。電極向下運動時，其運動方向與重力方向一致，而向上運動時，其運動方向與重力方向相反。

為研究電極絲運動方向和重力作用對放電通道等離子體發(fā)展的影響，本文還觀測了電極絲向上運動時的放電通道等離子體的發(fā)展情況，觀測結(jié)果見圖4。可見，隨著電極絲向上移動，放電通道等離子體改為向上發(fā)展，放電通道等離子體發(fā)展方向與電極絲運動方向相同。該觀測結(jié)果表明，在電極絲與工件具有相對運動時，放電通道等離子體發(fā)展方向受重力影響較小，主要受電極絲運動方向影響。

圖4 電極絲向上運動時放電通道等離子體發(fā)展過程

3 電蝕產(chǎn)物運動觀測與分析

3.1 電蝕產(chǎn)物拋出規(guī)律

圖3 中偏離放電通道等離子體中心區(qū)域的亮點為發(fā)光的熔融金屬材料形成的加工屑被拋出熔池，而拍攝出的大片較為模糊的霧狀區(qū)域為放電通道等離子體中迸發(fā)出的金屬蒸氣[13]。

由圖3 可知，在t=10、15、20、25、30、35 μs 的階段，即脈沖放電持續(xù)期間，有大量的金屬蒸氣和少量的加工屑被拋出熔池。而在t=40、45、50、55 μs 的階段，即脈沖結(jié)束前后的短時間內(nèi)，有大量金屬蒸氣與加工屑噴爆而出。隨著時間的推移，加工屑數(shù)量以及加工屑光強逐漸減弱。該現(xiàn)象說明：在脈沖持續(xù)時間內(nèi)，雖然工件材料受到熱物理場的影響發(fā)生相變，但是熔融材料的拋出動力較?。辉诿}沖結(jié)束階段，熔池受到流體動力以及熱爆炸力影響，大量熔融材料被拋出。

3.2 放電通道等離子體與電蝕產(chǎn)物運動規(guī)律

金屬蒸氣與電蝕產(chǎn)物的拋出方向也具有一定的規(guī)律關(guān)系。以圖3 所示t=30 μs 時刻的觀測結(jié)果為例進行說明，其運動規(guī)律見圖5。

圖5 放電通道等離子體與電蝕產(chǎn)物運動規(guī)律

由圖5 可見，放電通道等離子體與金屬蒸氣、熔融材料發(fā)出的弧光整體呈擴散喇叭形，并且靠近電極絲端等離子體通道直徑較小，而靠近工件端的等離子體通道直徑較大。此外，由圖5 可知，金屬蒸氣與電蝕產(chǎn)物的拋出方向主要沿著電極絲指向工件的方向，即電子運動的方向。放電過程中，材料蝕除主要體現(xiàn)在電子對工件的蝕除作用，以此可解釋上述現(xiàn)象。

放電通道等離子體中電子質(zhì)量遠小于正離子質(zhì)量，短時間內(nèi)的電子運動速度要遠高于正離子運動速度，因此脈沖放電過程中材料蝕除主要為電子對工件的蝕除。而電子因為電場的畸變和電子碰撞導致電子群逐漸發(fā)散，形成的放電通道等離子體在電極絲一端通道直徑較小，而在末端即工件端放電通道直徑較大，因此形成的放電通道等離子體呈擴散喇叭形。隨著電極絲的移動，放電通道等離子體作用區(qū)域不斷發(fā)生變化，而放電通道等離子體整體形貌并未發(fā)生較大改變。

在材料去除過程中，電子高速撞向工件。微觀上看，工件蝕除部分的受力方向為電子高速運動的方向，因此可觀測到電蝕產(chǎn)物的拋出方向主要為電極絲指向工件的方向，并且隨著電子的碰撞和擴散進一步形成了擴散喇叭形的電蝕產(chǎn)物噴射形狀。而電蝕產(chǎn)物向電極絲一側(cè)的拋出量較少，由此可認為電極絲蝕除量較小。前述現(xiàn)象也為往復走絲電火花線切割加工的“低絲損”性能提供了直觀證據(jù)支持。

此外，本文還分別觀測了開路與短路情況下的極間現(xiàn)象，發(fā)現(xiàn)整個脈沖持續(xù)過程中無明顯弧光出現(xiàn)，這表明在兩種極端狀態(tài)下并無放電通道等離子體和高溫熔融金屬的形成。

4 結(jié)論

本文利用高速攝像技術(shù)對往復走絲電火花線切割加工單脈沖放電過程中的放電通道等離子體發(fā)展過程和電蝕產(chǎn)物拋出過程進行觀測研究，得出以下結(jié)論：

（1）在電極絲與工件存在較大相對移動速度的情況下，放電通道等離子體會在工件表面持續(xù)滑移。受放電通道等離子體的滑移作用影響，放電通道等離子體被拉長且整體呈擴散喇叭形。放電通道等離子體的直徑發(fā)展到一定程度后，其變化較小，隨著等離子體的滑移，起始位置的光強逐漸減弱。

（2）脈沖放電持續(xù)期間有大量金屬蒸氣和少量熔融金屬從熔池中被拋出，而在脈沖放電結(jié)束前后的短時間內(nèi)，有大量電蝕產(chǎn)物從熔池中噴爆而出。隨著時間的推移，噴爆而出的電蝕產(chǎn)物逐漸減少、弧光逐漸減弱。

（3）放電過程中金屬蒸氣、熔融金屬形成的加工屑等電蝕產(chǎn)物的拋出方向主要為電子運動的方向。放電通道等離子體與噴射出的電蝕產(chǎn)物呈擴散喇叭形，電子對材料的蝕除作用可解釋該現(xiàn)象。