7 月14 日,中金嶺南韶關(guān)冶煉廠稀貴金屬綠色回收與提取實驗室半導(dǎo)體襯底材料中試團(tuán)隊利用自有技術(shù)成功生產(chǎn)出第一根砷化鎵單晶棒,單晶棒外觀質(zhì)量優(yōu)良,初步判定為零缺陷長單晶體。此次實驗第一次投料就成功產(chǎn)出成晶率高、質(zhì)量優(yōu)良的單晶棒,說明該廠在砷化鎵單晶裝備、晶體生長工藝控制等方面擁有的技術(shù)成熟可靠,已達(dá)到國內(nèi)同行業(yè)領(lǐng)先水平。

砷化鎵是一種半導(dǎo)體材料,它具有高電子遷移率、寬禁帶寬度、高熱導(dǎo)率等特點(diǎn),是高頻電子器件制造中的重要應(yīng)用基底材料之一,在光電子器件、微波電子器件、高亮度的發(fā)光二極管和激光器以及高頻率的晶體振蕩器等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。

此次自主成功制備出砷化鎵單晶,標(biāo)志著韶關(guān)冶煉廠在工藝和裝備上已趨于成熟,將為86 萬片高純半導(dǎo)體襯底材料項目建成投產(chǎn)奠定堅實基礎(chǔ),使其成為全新的、重要的效益增長點(diǎn),持續(xù)夯實高質(zhì)量發(fā)展基礎(chǔ)。