王 歡，田 野

（哈爾濱師范大學(xué) 物理與電子工程學(xué)院，哈爾濱 150025）

Ⅲ族氮化物，主要包括GaN、AlN、InN 及三元Al－GaN、GaInN、AlIn 和四元AlGaInN 合金材料。表1 為GaN 與其他幾種半導(dǎo)體材料基本性能的比較。由于GaN 和AlGaN 的熱導(dǎo)率較高，而且介電常數(shù)較低，適合制作小尺寸低功率中壓至高壓電力電子器件。且AlGaN/GaN 異質(zhì)結(jié)處形成的二維電子氣面密度高達(dá)1013cm-2以上，較其他半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)的二維電子氣（2DEG）面密度高近一個(gè)數(shù)量級(jí)，因此很適合制作微波高溫、高功率器件，即用于衛(wèi)星、空間站及空間太陽(yáng)能電站耐輻照全光譜太陽(yáng)能電池器件；此外，GaN 是寬禁帶直接帶隙半導(dǎo)體，又很適合于制作短波長(zhǎng)光器件；另外，利用GaN 禁帶寬，與AlN 和InN 形成三元或四元合金帶隙調(diào)控范圍超寬（0.7~6.2 eV）的特點(diǎn)，使得GaN適合研制可見光、紫外及近紅外波段光電器件（LED、LD 探測(cè)器）。赤崎勇等教授獲得了2014 年的諾貝爾物理學(xué)獎(jiǎng)，因?yàn)檠芯康腉aN 基藍(lán)光LED 開啟了人類新的照明市場(chǎng)。顯然，作為第三代半導(dǎo)體材料代表的GaN已經(jīng)成為當(dāng)前最具產(chǎn)業(yè)開發(fā)價(jià)值的寬禁帶半導(dǎo)體材料。而高質(zhì)量、大尺寸GaN 材料的制備也就自然而然地成為了研究GaN 材料的前提和關(guān)鍵。

表1 GaN 與其他幾種半導(dǎo)體材料基本性能的比較

由于GaN 的熔點(diǎn)和飽和蒸汽壓較高，大尺寸的塊體GaN 非常不容易通過(guò)傳統(tǒng)的制備技術(shù)來(lái)獲得。就生長(zhǎng)GaN 薄膜來(lái)說(shuō)，GaN 單晶是最理想的襯底材料，其可以在很大程度上降低位錯(cuò)密度，從而提高外延材料的晶體質(zhì)量，延長(zhǎng)GaN 基器件的工作壽命，提高發(fā)光效率。但是大尺寸GaN 單晶襯底制備困難、成品率低，還不能規(guī)?；a(chǎn)，由此造成了大尺寸GaN 單晶襯底材料價(jià)格昂貴且稀缺，因而利用同質(zhì)外延生長(zhǎng)GaN 薄膜更加難以實(shí)現(xiàn)。所以目前，GaN 的生長(zhǎng)主要采用異質(zhì)外延法，用于異質(zhì)外延的襯底有藍(lán)寶石襯底、碳化硅（SiC）襯底和Si 襯底。表2 為GaN 與常用襯底的各項(xiàng)參數(shù)。

表2 GaN 與常用襯底材料的參數(shù)

相較于藍(lán)寶石襯底和SiC 襯底，Si 襯底具有很多優(yōu)勢(shì)：①Si 襯底的尺寸大且價(jià)格低廉（8 英寸Si 襯底僅需要300 元）；②導(dǎo)熱導(dǎo)電性能好（可制備垂直結(jié)構(gòu)器件并緩解功率器件散熱問(wèn)題）；③器件工藝成熟（可利用成熟硅微電子器件工藝，成本降幅可達(dá)75%）。GaN電子器件和Si（100）互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）電路的集成允許將Si 電路的高度復(fù)雜性和靈活性與GaN 支持的大量新設(shè)備相結(jié)合，如發(fā)光二級(jí)管（LED）、晶體管（HEMT）、能量收集設(shè)備和濾波器等。目前，Si 基GaN 材料被廣泛研制于光電器件（激光器、探測(cè)器等）、射頻微波器件（射頻微波器件已開始在5G 無(wú)線通訊基站建設(shè)中應(yīng)用）、功率電子器件（功率電子器件已在快充、節(jié)能家電及光伏發(fā)電逆變器大范圍推廣，并向汽車電子滲透）。

然而，以Si 為襯底異質(zhì)外延GaN 是典型的大失配外延，需要面臨以下問(wèn)題：①表面界面能問(wèn)題。當(dāng)GaN生長(zhǎng)在Si 襯底上時(shí)，Si 襯底表面會(huì)先氮化形成不利于高密度GaN 成核生長(zhǎng)的非晶氮化硅層，而且Si 表面會(huì)先與Ga 接觸，Ga 回熔會(huì)腐蝕Si 襯底表面，高溫下Si表面分解會(huì)高度擴(kuò)散進(jìn)入GaN 外延層形成黑色硅斑。②GaN 和Si 之間晶格常數(shù)（~17%）失配較大，通常會(huì)導(dǎo)致高密度的穿線位錯(cuò)（TDD，通常為109~1010cm-2）和微裂紋網(wǎng)絡(luò)的形成。③GaN 和Si 之間熱膨脹系數(shù)的巨大失配（~54%），會(huì)使得GaN 從較高的生長(zhǎng)溫度（高于100 ℃）降至室溫時(shí)，引入巨大的熱應(yīng)力，從而導(dǎo)致GaN外延層出現(xiàn)裂紋，一般當(dāng)GaN 外延層的厚度大于1μm時(shí)就會(huì)發(fā)生開裂，嚴(yán)重限制了GaN 外延層的厚度，而制作LED 器件所需要的GaN 薄膜厚度通常要高于2μm。以上這些問(wèn)題的出現(xiàn)嚴(yán)重限制了Si 基GaN 光學(xué)器件、射頻微波器件和功率電子器件的發(fā)展。因此，如何改善Si 襯底上GaN 外延材料的質(zhì)量，是Si 基GaN 器件研究的重點(diǎn)領(lǐng)域。

通過(guò)大量的文獻(xiàn)調(diào)研，本文從3 個(gè)方面綜述了Si 襯底GaN 大失配應(yīng)力的調(diào)控方法：①緩沖層技術(shù)；②圖形化襯底技術(shù)；③柔性襯底技術(shù)。最后，針對(duì)現(xiàn)有方法的優(yōu)缺點(diǎn)，展望了Si 襯底GaN 大失配應(yīng)力調(diào)控的主要優(yōu)化方向。

1 緩沖層技術(shù)

緩沖層（buffer）技術(shù)，是目前解決異質(zhì)外延體系中應(yīng)力和缺陷問(wèn)題應(yīng)用最廣的一類中間層技術(shù)。具有一定厚度的單層或多層結(jié)構(gòu)的緩沖層，主要是通過(guò)阻止或抑制外延層中失配應(yīng)變弛豫的方式來(lái)減少乃至消除材料體系中的位錯(cuò)和缺陷產(chǎn)生?，F(xiàn)有的緩沖層可歸納為3 種：晶格匹配緩沖層、組分漸變緩沖層和應(yīng)變超晶格緩沖層。

1.1 晶格匹配緩沖層

與襯底晶格常數(shù)較接近的緩沖層稱為襯底匹配型晶格匹配緩沖層。這一類緩沖層通常適用于失配較小的異質(zhì)外延體系，由于與襯底的晶格常數(shù)更為匹配，可以使襯底表面更加光滑平整，以提高后續(xù)的外延層質(zhì)量。與外延層晶格常數(shù)較接近的緩沖層稱為外延層匹配型晶格匹配緩沖層。這一類緩沖層通常適用于失配較大的異質(zhì)外延體系，比如以Si 為襯底異質(zhì)外延GaN，雖然與外延層的晶格常數(shù)更為匹配，可以為外延層提供更合適的晶格生長(zhǎng)模板，但與襯底之間的失配度并不小于外延層與襯底之間的失配度，所以內(nèi)部依舊有存在缺陷和位錯(cuò)的可能。但也正是因?yàn)檫@些位錯(cuò)和缺陷的存在，弛豫掉了一部分失配應(yīng)變，進(jìn)而提高了外延層的晶體質(zhì)量。

2000 年，Krost 通過(guò)引入薄的低溫AlN 夾層，在Si襯底獲得了厚度為1.3 μm 的無(wú)裂紋GaN。2002 年，R.Armitage 利用分子束外延法（MBE 法）在Si 襯底生長(zhǎng)200 nm 厚的HfN（與Si 晶格失配僅為0.02%）緩沖層，隨后在Si（111）面和Si（001）面外延獲得了厚度分別為1.2 μm 和1.0 μm 的無(wú)裂紋GaN，且外延薄膜表面幾乎無(wú)應(yīng)力。2011 年，利用多次插入低溫AlN 夾層方法，獲得了總厚度為14.3 μm 的無(wú)裂紋GaN 外延層。除此之外，ZnO、3C-SiC 也被用作Si 襯底GaN 異質(zhì)外延時(shí)的緩沖層。

目前，在Si 襯底上生長(zhǎng)GaN 應(yīng)用最廣的是AlN緩沖層，其優(yōu)勢(shì)在于：①AlN 可以阻擋Ga 和Si 的直接接觸，降低了Ga 和Si 反應(yīng)的可能性；②當(dāng)AlN 作為緩沖層時(shí)，Si 襯底上GaN 的張應(yīng)力會(huì)轉(zhuǎn)變?yōu)閴簯?yīng)力，可以大大減少GaN 外延層的裂紋；③AlN 在Si 襯底表面有較好的浸潤(rùn)性，很薄的AlN 即可在襯底表面形成連續(xù)性很好的展布，說(shuō)明AlN/Si 的界面比AlN/真空的表面能小，非常適合作Si 襯底外延生長(zhǎng)的緩沖層。因此關(guān)于AlN 作為緩沖層的研究比較深入，具體包括生長(zhǎng)AlN 緩沖層的溫度、預(yù)鋪Al 的時(shí)間、厚度、TMAl 流量、Ⅴ/Ⅲ比對(duì)GaN 外延層的影響。

1.2 組分漸變緩沖層

組分漸變緩沖層是一種多層結(jié)構(gòu)，每一單層的晶格常數(shù)可以從與襯底匹配逐漸過(guò)渡到與外延層相匹配，即襯底與外延層的晶格失配借以分布到各單層，達(dá)到降低或消除失配的目的。

2016 年，徐小青等借助AlN 緩沖層和多層AlxGa1-xN組分漸變緩沖層，在4 英寸Si 襯底上利用MOCVD（金屬有機(jī)氣相沉積）生長(zhǎng)了1.25 μm 厚的GaN。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明：通過(guò)優(yōu)化4 英寸Si 襯底GaN 制備生長(zhǎng)溫度和材料生長(zhǎng)工藝，并降低AlGaN/GaN 異質(zhì)結(jié)構(gòu)中的O 和C雜質(zhì)，將金屬接觸結(jié)構(gòu)由正方形轉(zhuǎn)變?yōu)槭中?，HEMT器件的2DEG 遷移率實(shí)現(xiàn)了高度均勻性（標(biāo)準(zhǔn)偏差降至0.72%），并提升到了2 161.4 cm2/V/s，超越了生產(chǎn)成本高昂的SiC 襯底GaN HEMT 器件的性能，展現(xiàn)了微波射頻技術(shù)的應(yīng)用潛質(zhì)。

同年，楊學(xué)林等利用MOCVD 在4 英寸p 型Si（111）襯底上外延生長(zhǎng)出的AlxGa1-xN/GaN 異質(zhì)結(jié)構(gòu)，在室溫下2DGE 提高至2 260 cm2/V/s。X 射線衍射（XRD）結(jié)果顯示，其表面光滑且?guī)в星逦脑优_(tái)階，電流-電壓（I-V）測(cè)試結(jié)果顯示，其上的肖特基二極管顯示出2×10-5A/cm2的超低反向泄漏電流密度和-30 V 的門偏壓，在室溫下的最大電子遷移率可達(dá)2 260 cm2/V/s。這表明AlN/AlxGa1-xN可以提高晶體的外延質(zhì)量，而高質(zhì)量的無(wú)裂紋表面可以顯著改善AlGaN/GaN 異質(zhì)結(jié)構(gòu)的電學(xué)性能。

2019 年，孫錢等借助于精心設(shè)計(jì)的Al 成分階梯梯度AlN/AlGaN 緩沖層，首次在Si 上獲得了10 μm 厚的無(wú)裂紋連續(xù)GaN，其TDD 為5.8×107cm-2。外延得到的10 μm 厚GaN 層具有鏡面和無(wú)裂紋表面，TDD 約為5.8×107cm-2，與陰極熒光光譜測(cè)試（CL）結(jié)果一致，此外，生長(zhǎng)的GaN 外延層具有原子光滑的表面和清晰的臺(tái)階流動(dòng)形態(tài)，在5 μm×5 μm 的面積上顯示出0.21 nm的均方根（RMS）粗糙度。這為在Si 襯底上構(gòu)建高性能的GaN 器件，如探測(cè)器、功率器件甚至激光二極管奠定了基礎(chǔ)。

2020 年，Li Yue 等在4 英寸硅襯底上的制造了準(zhǔn)垂直GaN 肖特基勢(shì)壘二極管（SBD），I-V 特性曲線顯示，所制備的SBD 在3 V 下具有1.6 kA/cm2的高通態(tài)電流密度，在-3 V 下具有10-7A/cm2的低反向電流密度，其通斷電流比高達(dá)1010，接近于GaN 襯底上SBD的通斷電流比。表明硅基GaN 上的垂直功率器件有望在低成本領(lǐng)域得到進(jìn)一步應(yīng)用。

1.3 應(yīng)變超晶格緩沖層

在組分漸變緩沖層基礎(chǔ)上發(fā)展而來(lái)的應(yīng)變超晶格緩沖層技術(shù)，是在襯底上先生長(zhǎng)一組單層很薄的應(yīng)變超晶格層，應(yīng)變超晶格會(huì)引入一個(gè)應(yīng)力場(chǎng)，應(yīng)力場(chǎng)與穿透位錯(cuò)相互作用后，能使位錯(cuò)線被彎曲或拆斷而不能進(jìn)入外延層中，其作用猶如一個(gè)位錯(cuò)過(guò)濾器，可以提高外延層的質(zhì)量。

2001 年，E．Feltin 通過(guò)插入AlN/GaN 超晶格，在Si上生長(zhǎng)了0.9~2.5 μm 厚的無(wú)裂紋GaN 層。2009 年，Susai Lawrence Selvaraj 利用7 μm 厚AlN/GaN 超晶格，在Si 上制備了2 μm 厚的無(wú)裂紋GaN 層。2015 年，Jie Su等通過(guò)在AlN/AlGaN 與GaN 之間插入50~100 個(gè)周期的AlN/GaN 超晶格，實(shí)現(xiàn)了在Si 上生長(zhǎng)2 μm 厚的無(wú)裂紋GaN 層。

緩沖層技術(shù)被用來(lái)解決Si 襯底GaN 大失配異質(zhì)外延體系的核心在于：①先在Si 襯底表面預(yù)沉積一層Al 可以解決Si 襯底被氮化以及被Ga 回熔腐蝕的現(xiàn)象，即Al 與NH3先反應(yīng)形成的AlN 充當(dāng)了GaN 在Si 襯底上生長(zhǎng)過(guò)程中阻擋層的作用；②AlxGa1-xN 組分漸變緩沖層作為GaN 在Si 襯底上生長(zhǎng)的應(yīng)力調(diào)控層，通過(guò)引入壓應(yīng)力去補(bǔ)償GaN 生長(zhǎng)過(guò)程中的張應(yīng)力；③超晶格緩沖層作為GaN 在Si 襯底上生長(zhǎng)的缺陷抑制層，可以阻擋位錯(cuò)向上延伸。通過(guò)在Si 襯底上設(shè)計(jì)合理的緩沖層結(jié)構(gòu)，不僅可以改善GaN 外延層的質(zhì)量，還可以提高GaN 基器件的性能。

2 圖形化襯底

圖形化襯底技術(shù)，是指利用特殊手段（多為刻蝕手段）將襯底材料進(jìn)行分割，使得一塊襯底材料被分割成具有周期性的小面積圖形結(jié)構(gòu)。襯底的圖形化一般有2 種方式，一種是通過(guò)引入SiNx 或SiO2等介質(zhì)膜，再利用光刻技術(shù)獲得介質(zhì)膜分割線，將襯底分割成周期性的小面積圖形結(jié)構(gòu)。另一種是利用物理或化學(xué)刻蝕的方法直接將襯底腐蝕出溝槽分割線，進(jìn)而在襯底上形成周期性的小面積圖形結(jié)構(gòu)。如圖1 所示。南昌大學(xué)江風(fēng)益教授提出，于介質(zhì)膜分割線，比較理想的尺寸為寬度5~8 μm，高度0.1~0.3 μm，溝槽分割線的理想尺寸為寬度10 μm 左右，深度15~20 μm。襯底材料被圖形化處理后，外延GaN 薄膜會(huì)有選擇性的先在襯底的部分區(qū)域進(jìn)行生長(zhǎng)，進(jìn)而形成各個(gè)獨(dú)立的GaN 生長(zhǎng)板塊，那么GaN 生長(zhǎng)過(guò)程中的部分熱應(yīng)力就會(huì)在沒(méi)有GaN 生長(zhǎng)的區(qū)域進(jìn)行釋放，GaN 薄膜的裂紋也隨著減少。另一方面，在圖形化Si 襯底上進(jìn)行GaN 外延，避免了因GaN 硬度大難以刻蝕的問(wèn)題，可實(shí)現(xiàn)GaN 在MEMS（微機(jī)電系統(tǒng)）中的應(yīng)用。

圖1 圖形Si 襯底示意圖

2018 年，T. Hossian 等對(duì)圖形化Si 襯底上厚GaN的裂紋進(jìn)行了統(tǒng)計(jì)并對(duì)應(yīng)力進(jìn)行分析。研究發(fā)現(xiàn)：隨著Si 襯底尺寸的增加，GaN 外延層內(nèi)裂紋增加，應(yīng)力也隨之上升；圖形間間隔高度的增加反而降低了GaN 層內(nèi)的裂紋百分比，從而降低了其中應(yīng)力；而圖形間間隔的寬度對(duì)GaN 層內(nèi)的裂紋沒(méi)有顯著影響。拉曼光譜（Raman）測(cè)試結(jié)果顯示：對(duì)于12 μm 厚的GaN 薄膜，在結(jié)構(gòu)中沒(méi)有集中應(yīng)力的缺陷的情況下，產(chǎn)生裂紋的臨界應(yīng)力約為1.8 GPa。

在圖形化襯底思想的指導(dǎo)下，研究者們引入了選擇性區(qū)域生長(zhǎng)技術(shù)（SAG）和橫向過(guò)外延生長(zhǎng)技術(shù)（ELO）。

2017 年，Tanaka 等利用SAG 法在Si 上生長(zhǎng)了19 μm厚、無(wú)裂紋且純的GaN 層。在暴露的底層Si 表面上形成多面六角形盤，能夠在Si 上生長(zhǎng)超過(guò)18 μm 厚的GaN，并將TDD 密度降低到107cm-2。為了突出厚且無(wú)裂紋的低TDD 硅上GaN 的潛力，以19 μm 厚的GaN為漂移層制作了金屬絕緣體半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MISFT），結(jié)果表明可以在Si 上制造MISFT，并為在硅CMOS 平臺(tái)上集成垂直GaN 功率和光電器件鋪平道路。

圖形化硅襯底生長(zhǎng)GaN 薄膜的應(yīng)力控制主要源于2 個(gè)方面：一是通過(guò)圖形化生長(zhǎng)減小GaN 膜的應(yīng)變，單元圖形尺寸越小，則張應(yīng)力降低的幅度越大；二是通過(guò)應(yīng)力補(bǔ)償技術(shù)來(lái)進(jìn)一步減小GaN 膜的張應(yīng)力。圖形化襯底技術(shù)對(duì)于GaN 基器件十分重要。

3 柔性襯底

柔性襯底技術(shù)也稱作可協(xié)變中間層技術(shù)，是20 世紀(jì)90 年代初在緩沖層技術(shù)的基礎(chǔ)上發(fā)展而來(lái)的一類新中間層技術(shù)。其指導(dǎo)思想完全不同于傳統(tǒng)的緩沖層，是通過(guò)一薄層材料的彈性形變來(lái)吸收或釋放體系中的失配應(yīng)變，從而減少乃至消除界面處或外延層內(nèi)部位錯(cuò)和缺陷產(chǎn)生。

由圖2 可知，氧化物鍵合的SOI 襯底是由“頂層薄Si—SiO2絕緣埋氧層—底層Si”組成的三明治結(jié)構(gòu)Si襯底材料。SOI 襯底的制備工藝相對(duì)簡(jiǎn)單，是將具有高能量的大量氧離子利用工藝成熟的注氧技術(shù)注入到Si基體中，通過(guò)控制注入氧離子的劑量可以達(dá)到調(diào)控鍵和強(qiáng)度的目的。1997 年，J.Cao 提出“滑移理論”，闡釋了SOI 襯底能提高GaN 外延層質(zhì)量的原因。在大失配外延體系中，外延薄膜最初以三維（3D）島狀的模式生長(zhǎng)，然后小島之間合并，逐漸形成連續(xù)的二維薄膜，在合并處極易形成會(huì)穿透整個(gè)外延層的穿透位錯(cuò)。SOI襯底由于頂層薄Si 的存在，外延層與襯底間的作用力較小，使得外延小島可以在頂層Si 表面自由滑動(dòng)，可以在某種程度上減少小島在合并過(guò)程中所形成的位錯(cuò)，提高外延GaN 的晶體質(zhì)量。

圖2 柔性襯底示意圖

2019 年Roy Dagher 等將SOI 襯底圖案化為納米柱，并在其上得到了無(wú)裂紋、完全松弛的GaN，位錯(cuò)密度為4×108cm-2。以納米級(jí)柱狀圖案為襯底增強(qiáng)了襯底與外延層間的柔順性，可以更好地釋放位錯(cuò)，為降低GaN 的應(yīng)變、TDD 及實(shí)現(xiàn)GaN 器件的轉(zhuǎn)移提供了新的思路。

2020 年，浙江大學(xué)宋鈺姿制備了一種降低GaN 外延層熱應(yīng)力的新結(jié)構(gòu)——SOI 表面懸浮超薄Si 膜。通過(guò)有限元方法模擬了新型結(jié)構(gòu)上GaN 層在冷卻過(guò)程中的熱應(yīng)力分布，模擬結(jié)果顯示這種新型襯底上GaN有效區(qū)域的熱應(yīng)力可降低44%，進(jìn)而降低了GaN 中的位錯(cuò)和裂紋密度，還證實(shí)了埋氧層的缺失是導(dǎo)致GaN層熱應(yīng)力降低的主要因素。

現(xiàn)有的柔性襯底已經(jīng)在一些典型的失配外延體系中發(fā)揮重要作用，尤其是基于SOI 的器件具有集成度高、可靠性好和功能完善等優(yōu)點(diǎn)，因此SOI 襯底在MEMS中得到廣泛的應(yīng)用；另一方面，以“滑移理論”為支撐的SOI 襯底可提高GaN 外延層的質(zhì)量，給予研究者新的靈感——實(shí)現(xiàn)柔性層與支撐襯底的弱鍵合或解耦合，可以更大程度上弛豫外延層的應(yīng)力，降低外延層的位錯(cuò)密度。

4 結(jié)束語(yǔ)

迄今為止，GaN 基器件已經(jīng)取得了巨大的進(jìn)步，但是GaN/Si 異質(zhì)結(jié)構(gòu)的材料質(zhì)量和電學(xué)性質(zhì)與已經(jīng)比較成熟的藍(lán)寶石、SiC 襯底上異質(zhì)結(jié)構(gòu)相比，依然存在明顯差距，特別是Si 襯底上GaN 外延片上可見的殘余應(yīng)力、局域陷阱態(tài)及其帶來(lái)的材料、器件可靠性問(wèn)題還相當(dāng)嚴(yán)重，應(yīng)力和缺陷控制問(wèn)題尚沒(méi)有根本解決。如何研究制備出更高質(zhì)量的Si 襯底上GaN 基異質(zhì)結(jié)構(gòu)，依然是當(dāng)前該領(lǐng)域高度關(guān)注的核心問(wèn)題之一。Si 襯底上GaN 材料大失配外延制備技術(shù)仍處于發(fā)展中。在解決Si 襯底GaN 異質(zhì)外延大失配體系中存在的問(wèn)題時(shí)，緩沖層技術(shù)操作復(fù)雜，工藝繁瑣，未消除的殘余應(yīng)力在下一步外延中還會(huì)引入新的位錯(cuò)；圖形化襯底技術(shù)的制備過(guò)程存在著步驟復(fù)雜、對(duì)設(shè)備要求高、價(jià)格高昂和大面積圖案化制備的成功率低等問(wèn)題；柔性襯底技術(shù)在實(shí)現(xiàn)柔性層與支撐襯底的弱鍵合或解耦合過(guò)程中還存在一些不足和技術(shù)局限性，并且高品質(zhì)的SOI 襯底價(jià)格并不便宜，要達(dá)到廣泛應(yīng)用和推廣，還需不斷地發(fā)展，并解決現(xiàn)存的技術(shù)問(wèn)題。

未來(lái)在解決Si 襯底GaN 異質(zhì)外延大失配應(yīng)力的相關(guān)問(wèn)題，一方面將借鑒以藍(lán)寶石、SiC 等為襯底異質(zhì)外延GaN 的成熟工藝，另一方面，襯底與外延層之間的弱鍵合將成為解決大失配體系中應(yīng)力問(wèn)題的重要手段。隨著Si 基GaN 無(wú)裂紋厚度的增加以及位錯(cuò)密度的降低，Si 基GaN 會(huì)突破以藍(lán)寶石為襯底外延GaN 在尺寸和成本上的限制，Si 基GaN 晶圓在LED 市場(chǎng)的份額會(huì)逐年增加，Si 基GaN 晶圓質(zhì)量會(huì)更加符合嚴(yán)格的CMOS 工藝標(biāo)準(zhǔn)；Si 襯底GaN 材料研制的HEMT 微波射頻器件的性能可以達(dá)到甚至超過(guò)SiC 上GaN HEMT微波射頻器件性能；實(shí)現(xiàn)Si 襯底GaN 功率電子器件對(duì)傳統(tǒng)中低壓硅基功率電子器件的替代。