米浩婷 楊安平? 黃梓軒 田康振 李躍兵 馬成2) 劉自軍 沈祥 楊志勇2)?

1) (江蘇師范大學(xué)物理與電子工程學(xué)院,江蘇省先進(jìn)激光材料與器件重點實驗室,徐州 221116)

2) (杭州光學(xué)精密機(jī)械研究所,杭州 311421)

3) (寧波大學(xué)高等技術(shù)研究院,紅外材料及器件實驗室,寧波 315211)

本工作確定了一種新型的Ga2S3-Sb2S3-Ag2S 硫系玻璃體系的玻璃形成區(qū),研究了玻璃的熱穩(wěn)定性和光學(xué)性能、稀土離子摻雜玻璃的中紅外發(fā)光特性以及玻璃的成纖性能,評估了該玻璃在中紅外波段的應(yīng)用潛力.實驗結(jié)果表明,Ga2S3-Sb2S3-Ag2S 體系的玻璃形成區(qū)為～10%—30% Ga2S3,～60%—80% Sb2S3和～0—15%Ag2S（均為摩爾分?jǐn)?shù)）;該玻璃具有較寬的紅外透過范圍 (～0.8—13.5 μm)、較高的線性折射率 (～2.564—2.713@10 μm)和較大的三階非線性折射率 (～9.7×10—14—15.7×10—14 cm2/W @1.55 μm);使用1.32 μm 激光抽運,稀土離子Dy3+在該玻璃中表現(xiàn)出較強(qiáng)的2.91 μm 和4.41 μm 中紅外發(fā)射,發(fā)射量子效率分別達(dá)76.6%和70.8%;拉制的 20Ga2S3-75Sb2S3-5Ag2S: Dy3+(質(zhì)量分?jǐn)?shù)為0.05%)/20Ga2S3-70Sb2S3-10Ag2S (纖芯/包層)光纖在2—8 μm 具有良好的傳輸性能,最低損耗為～3.5 dB/m (@5.7 μm).這些優(yōu)異的性能使得該玻璃或光纖有望應(yīng)用于紅外熱成像、非線性光學(xué)、中紅外光纖激光器等領(lǐng)域.

1 引言

隨著紅外技術(shù)的快速發(fā)展和紅外光學(xué)元器件的廣泛應(yīng)用,市場對紅外光學(xué)材料的需求大幅攀升[1-+].硫系玻璃因具有紅外透光范圍寬、折射率高、聲子能量低、流變性能好、成本低等優(yōu)點,成為最受歡迎的紅外光學(xué)材料之一[5-+].硫系玻璃是基于硫族元素(S,Se,Te)形成的非晶態(tài)材料,包括硫化物玻璃、硒化物玻璃和碲化物玻璃,它們典型的透光范圍分別為0.8—10 μm,1—14 μm 和3—20 μm[8,9].與硒化物和碲化物玻璃相比,硫化物玻璃網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)的化學(xué)鍵相對較強(qiáng),因此其表現(xiàn)出較好的機(jī)械性能和較高的抗激光損傷性能,有利于玻璃的實際應(yīng)用[10,11].然而傳統(tǒng)硫化物玻璃(如鍺基或砷基硫化物玻璃)只能傳輸小于10 μm 波長的紅外光,這使其難以在一些要求材料傳輸更長波長紅外光的場景中應(yīng)用,例如,熱成像系統(tǒng)通常要求紅外材料傳輸波長至12 μm.2016 年,Yang 等[12]報道了一種具有較低聲子能量的新型硫化物玻璃(即Ga-Sb-S 玻璃),其在整個1—12 μm 波段表現(xiàn)出良好的透光性,使得硫化物玻璃應(yīng)用于熱成像系統(tǒng)成為可能.然而,Ga-Sb-S 體系的玻璃形成區(qū)非常小,很難對玻璃組成或物理性質(zhì)進(jìn)行有意義的調(diào)控;此外,該玻璃的抗析晶熱穩(wěn)定性較差,難以制備出大尺寸塊體玻璃和光纖.為了改善玻璃的成玻能力,擴(kuò)大性能調(diào)控范圍,并同時保持寬的透光范圍,研究人員嘗試向Ga-Sb-S 體系中引入化合物(AgI[13],CsI[14])或單質(zhì)(As[15],I2[16])對其進(jìn)行修飾,顯著拓寬了玻璃的形成區(qū)和改善了玻璃的抗析晶熱穩(wěn)定性.然而,As 元素具有較強(qiáng)毒性.I2單質(zhì)和含I 化合物極易潮解,使得制備的玻璃中通常含有大量OH 雜質(zhì),嚴(yán)重影響玻璃的紅外透光性.基于此,本研究嘗試向Ga-Sb-S 體系中引入一種無毒且不易潮解的化合物Ag2S,制備系列新型Ga2S3-Sb2S3-Ag2S 玻璃,確定玻璃的形成區(qū),系統(tǒng)研究了玻璃的熱穩(wěn)定性和光學(xué)性能,進(jìn)一步對玻璃進(jìn)行稀土摻雜,制備了具有芯包結(jié)構(gòu)的光纖,評估了該玻璃和光纖在中紅外波段的應(yīng)用潛力.

2 實 驗

2.1 材料制備

Ga2S3-Sb2S3-Ag2S 玻璃的制備采用真空熔融-淬冷法[17].首先,將總質(zhì)量為10 g 的高純Ga(6N),Sb(6N),S(6N)和Ag2S(5N)在手套箱中按照化學(xué)計量比進(jìn)行稱量,放入低羥基石英管中;然后,對石英管抽真空使管內(nèi)壓強(qiáng)小于10—2Pa,并使用氫氧焰將石英管封接;之后,將已封接的石英管放入搖擺爐中加熱至900 ℃,爐體以3 r/min 的速率搖擺12 h 使石英管內(nèi)的原料充分反應(yīng)和均勻化;最后,取出裝有玻璃熔體的石英管放入水中淬冷,并將管內(nèi)形成的玻璃在其玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(Tg)附近退火3 h,即獲得所需玻璃.Dy3+摻雜Ga2S3-Sb2S3-Ag2S 玻璃采用上述相同方法制備,其中Dy3+離子由Dy2S3原料(3N)提供,玻璃的熔制溫度為950 ℃.

纖芯/包層結(jié)構(gòu)的光纖采用棒管法制備,其中纖芯玻璃為質(zhì)量分?jǐn)?shù)0.05% Dy3+摻雜20Ga2S3-75Sb2S3-5Ag2S,包層玻璃為20Ga2S3-70Sb2S3-10Ag2S.纖芯玻璃棒通過熱拉法獲得,即將直徑為10 mm的玻璃棒在295 ℃拉制成直徑為3 mm 的細(xì)棒.包層玻璃管采用機(jī)械鉆孔法制備,首先沿直徑15 mm 的玻璃棒軸線鉆出直徑3 mm 的孔,然后用Al2O3研磨劑對孔內(nèi)玻璃表面進(jìn)行拋光.最后,將直徑3 mm 的纖芯玻璃棒插入拋光后的內(nèi)外徑分別為3 mm 和15 mm 的包層玻璃管中形成光纖預(yù)制棒,并將其在290 ℃拉制成直徑300 μm 的光纖.

2.2 性能表征

樣品的非晶特性利用X 射線衍射儀(XRD,D2Phaser,Germany)測試.玻璃的特征溫度采用差示掃描量熱儀(DSC,TA Q2000,USA)測量,升溫速率為10 ℃/min.玻璃的密度(d)采用阿基米德排水法測量.雙面拋光玻璃片在0.5—3 μm和3—20 μm 波段的透射光譜分別使用紫外-可見-近紅外分光光度計(Lambda 950,Perkin Elmer,USA)和傅里葉變換紅外光譜儀(FTIR,Bruker Tensor 27,Germany)測量.玻璃的線性折射率(n0)和1.55 μm 波長的三階非線性折射率(n2)分別采用紅外橢偏儀(IR-VASE,J.A.Woollam.,USA)[18]和Z 掃描技[19]測量.Dy3+摻雜玻璃和光纖在2—5 μm 波段的發(fā)光特性使用中紅外熒光光譜儀(FS980,Edinburgh,UK)測量,激發(fā)波長為1.32 μm,測試方法與文獻(xiàn)[20]相同.光纖的傳輸損耗采用截斷法測得,測試設(shè)備基于上述FTIR 搭建,使用金鏡將紅外光耦合進(jìn)光纖中,然后用液氮制冷HgCdTe 探測器采集信號.

3 結(jié)果

圖1 所示為Ga2S3-Sb2S3-Ag2S 三元體系的玻璃形成區(qū),其范圍為～10%—30% Ga2S3,～60%—80% Sb2S3和～0—15% Ag2S (均為摩爾分?jǐn)?shù)).表1所示為所制備玻璃的Tg和初始析晶溫度(Tx).從表1 可以看出,玻璃的Tg為216—246 ℃;當(dāng)Ga2S3或Sb2S3的含量保持不變(A 系列或B 系列)時,Tg隨Ag2S 含量的增大而減小;當(dāng)Ag2S 含量保持不變(C 系列)時,Tg隨Ga2S3含量的增大或Sb2S3含量的減小而增大;組成為20Ga2S3-75Sb2S3-5Ag2S的玻璃顯示最大的ΔT(=Tx－Tg,130 ℃),表明該玻璃具有最優(yōu)的抗析晶熱穩(wěn)定性,是制備大尺寸塊體玻璃和拉制高光學(xué)質(zhì)量光纖的首選組成.

表1 xGa2S3-ySb2S3-zAg2S 玻璃的特征溫度Table 1.Characteristic temperatures of xGa2S3-ySb2S3-zAg2S glasses.

圖1 Ga2S3-Sb2S3-Ag2S 體系的玻璃形成區(qū)Fig.1.Glass forming region of Ga2S3-Sb2S3-Ag2S system.

表2 所示為Ga2S3-Sb2S3-Ag2S 玻璃的密度d、摩爾體積V(V=M/d,M是摩爾質(zhì)量)、短波吸收邊λS、長波截止邊λL和10 μm 波長的線性折射率n0,其中λS和λL值被定義為吸收系數(shù)等于10 cm—1時所對應(yīng)的波長[21].圖2 所示為一些具有代表性玻璃的透射光譜.玻璃的d為～4.09—4.39 g/cm3,V為～15.03—15.60 cm3/mol,λS為～729—785 nm,λL為～13.36—13.97 μm,n0(@10 μm)為～2.564—2.713.在A 系列玻璃中,d和λS隨Ag2S 濃度的增大而增大,而V,λL和n0則呈現(xiàn)相反的變化趨勢;在B 系列玻璃中,d,λS,λL和n0隨Ag2S 濃度的增大而增大,而V隨Ag2S 濃度的增大略微減小;在C 系列玻璃中,d,V,λS,λL和n0均隨Ga2S3濃度的增大而減小.

表2 xGa2S3-ySb2S3-zAg2S 玻璃的物理參數(shù)Table 2.The physical parameters of xGa2S3-ySb2S3-zAg2S glasses.

圖2 厚度為2 mm xGa2S3-ySb2S3-zAg2S 玻璃的透射光譜Fig.2.Transmission spectra of xGa2S3-ySb2S3-zAg2S glasses with the thickness of 2 mm.

表3 所示為部分Ga2S3-Sb2S3-Ag2S 玻璃在1.55 μm 波長的三階非線性折射率n2和線性折射率n0.這些玻璃的n2為～9.7×10—14—15.7×10—14cm2/W,比商用As2S3玻璃的n2(2.9×10—14cm2/W)高2—4 倍[22];具有較高n0值的玻璃顯示出較高的n2,這與經(jīng)驗米勒定律一致[23].

表3 xGa2S3-ySb2S3-zAg2S 玻璃在1.55 μm 波長的n0 和 n2Table 3.n0 and n2 of xGa2S3-ySb2S3-zAg2S glasses at 1.55 μm.

圖3(a)所示為不同質(zhì)量分?jǐn)?shù)Dy3+摻雜20Ga2S3-75Sb2S3-5Ag2S 玻璃的吸收譜.在譜圖中可以觀察到中心波長位于0.92 μm,1.11 μm,1.30 μm,1.72 μm 和2.84 μm 的明顯吸收帶,它們分別對應(yīng)Dy3+離子從基態(tài)6H15/2到6F7/2,6H7/2(6F9/2),6H9/2(6F11/2),H11/2和6H13/2激發(fā)態(tài)的電子躍遷吸收.圖3(b)所示為使用1.32 μm 激光抽運時不同濃度Dy3+摻雜20Ga2S3-75Sb2S3-5Ag2S 玻璃的發(fā)射光譜.可以觀察到兩個較強(qiáng)的發(fā)射帶,其峰值波長分別位于～2.91 μm 和～4.41 μm,它們分別歸因于Dy3+的6H13/2→6H15/2和6H11/2→6H13/2能級躍遷.值得注意的是,隨著Dy3+摻雜濃度增大,2.91 μm 發(fā)射帶的峰值波長發(fā)生略微紅移,這與Dy3+的重吸收有關(guān)[24].

圖4 顯示了纖芯和包層直徑分別為60 μm 和300 μm 的20Ga2S3-75Sb2S3-5Ag2S: 0.05% Dy3+/20Ga2S3-70Sb2S3-10Ag2S 光纖的傳輸損耗譜,纖芯玻璃和包層玻璃在2—10 μm 波段的折射率分別為2.7185—2.6392 和2.6993—2.6225,光纖的數(shù)值孔徑為0.32—0.30.從圖4 可以看出,光纖在2—8 μm 波段具有良好的傳輸性能,其在5.7 μm 波長損耗最低,約為3.5 dB/m.值得指出的是,光纖在3.0 μm 和4.1 μm 波長附近具有極高的損耗,它們分別源于O-H/Dy3+和S-H/CO2吸收,其中O-H,S-H 和CO2為外來有害雜質(zhì),它們在光纖中的含量可以通過提純技術(shù)[25-+]大幅減少.圖5 所示為上述Dy3+離子摻雜光纖的中紅外發(fā)射光譜,測試所用光纖長度約為5 cm,采用1.32 μm 激光對纖芯進(jìn)行抽運.可以觀察到光纖在2.93 μm 和4.45 μm波長附近具有顯著的熒光發(fā)射,與圖3(b)中塊體玻璃的發(fā)射光譜相比,光纖中的熒光表現(xiàn)出微小的紅移,這與光纖中Dy3+的基態(tài)吸收和雜質(zhì)吸收有關(guān).當(dāng)兩個發(fā)射帶的熒光在光纖中傳輸時,其短波部分會分別被Dy3+的6H15/2→6H13/2躍遷和CO2雜質(zhì)所吸收,最終導(dǎo)致熒光峰發(fā)生紅移.

圖3 (a) Dy3+摻雜20Ga2S3-75Sb2S3-5Ag2S 玻璃的吸收光譜,插圖是玻璃在940 nm 紅外相機(jī)下的照片;(b) 1.32 μm 激光抽運時,Dy3+摻雜20Ga2S3-75Sb2S3-5Ag2S 玻璃的2—5 μm 發(fā)射光譜Fig.3.(a) Absorption spectra of Dy3+-doped 20Ga2S3-75Sb2S3-5Ag2S glasses,the inset shows photos of the glasses under a 940 nm infrared camera;(b) 2—5 μm emission spectra of Dy3+-doped 20Ga2S3-75Sb2S3-5Ag2S glasses under 1.32 μm laser excitation.

圖4 20Ga2S3-75Sb2S3-5Ag2S:0.05%Dy3+/20Ga2S3-70Sb2 S3-10Ag2S 光纖的傳輸損耗譜,插圖是光纖在940 nm 紅外相機(jī)下的照片F(xiàn)ig.4.Attenuation of 20Ga2S3-75Sb2S3-5Ag2S:0.05%Dy3+/20Ga2S3-70Sb2S3-10Ag2S fiber,the inset is a photo of the fiber under a 940 nm infrared camera.

圖5 20Ga2S3-75Sb2S3-5Ag2S:0.05%Dy3+/20Ga2S3-70Sb2 S3-10Ag2S 光纖在1.32 μm 激發(fā)時的中紅外發(fā)射光譜Fig.5.MIR emission spectrum of 20Ga2S3-75Sb2S3-5Ag2S:0.05%Dy3+/20Ga2S3-70Sb2S3-10Ag2S fiber when excited at 1.32 μm.

4 討論

玻璃的Tg與其網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)的交聯(lián)程度和平均鍵能有關(guān)[28],具有較大網(wǎng)絡(luò)交聯(lián)程度和較高平均鍵能的玻璃通常具有較高的Tg.由于Ag-S(216.7 kJ/mol)的鍵能低于Ga-S(513.8 kJ/mol)和Sb-S(378.7 kJ/mol)[29,30],加入Ag2S 后,玻璃的平均鍵能降低.此外,由于Ag+離子在玻璃網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)中起電荷補償?shù)淖饔?不參與玻璃網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)的形成[31,32],Ag2S 的引入會降低玻璃網(wǎng)絡(luò)的交聯(lián)程度.因此,在A 系列和B 系列玻璃中,Tg隨著Ag2S 含量的增加而降低;而在C 系列玻璃中,玻璃的平均鍵能隨Ga2S3含量的增大(或Sb2S3含量的減小)而增大,并且[GaS4]四面體結(jié)構(gòu)單元的增多和[SbS3]三角錐結(jié)構(gòu)單元的減少使得玻璃的交聯(lián)程度增大,從而使該系列玻璃中Tg隨Ga2S3含量增大而增大.

玻璃的λS可通過如下經(jīng)驗公式[33,34]進(jìn)行定性分析:

式中,h是普朗克常數(shù),c是真空中的光速,χ是陰離子的平均電子親和能,ω是玻璃的平均鍵能,φ是組成原子的平均極化能.根據(jù)文獻(xiàn)[29,30,35]可知,極化率遵循Ga(0.196 ?3) ＜ Sb(1.111 ?3) ＜ Ag(1.631 ?3) ＜ S(9.72 ?3),而鍵能遵循Ag-S (216.7 kJ/mol)＜Sb-S(378.7 kJ/mol) ＜ Ga-S (513.8 kJ/mol)

的順序.考慮到χ無變化,在C 系列玻璃中,由于Sb 的極化率高于Ga,Sb-S 的鍵能小于Ga-S,使得χ+ω－φ值隨Ga2S3含量的增大(或Sb2S3的減少)而增大,從而導(dǎo)致玻璃的λS減小.對于A 和B 系列玻璃,玻璃的平均鍵能ω和平均極化能φ均隨Ag2S 含量的增加而降低, 而λS隨Ag2S 含量的增大而增大,這說明玻璃的平均鍵能對λS起主要作用,使得χ+ω－φ值隨Ag2S 含量的增大而減小.

玻璃的λL與其有效聲子能量有關(guān)[36].由于Ag+不參與玻璃網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)的形成,玻璃的有效聲子能量主要取決于[GaS4]四面體和[SbS3]三角錐結(jié)構(gòu)單元的相對數(shù)量.在A 和C 系列玻璃中,Sb2S3含量的降低會引起[SbS3] 三角錐結(jié)構(gòu)單元數(shù)量減少,使得玻璃的有效聲子能量增大,從而導(dǎo)致λL減小.而對于B 系列玻璃,當(dāng)Ga2S3含量降低時,玻璃中[GaS4] 四面體數(shù)量減少,使得玻璃的有效聲子能量降低,從而引起玻璃的λL增大.

玻璃的線性折射率n0與其密度d密切相關(guān)[37].通常情況下,玻璃的d越大,其相應(yīng)的n0也越大.在B 系列玻璃中,玻璃的d隨Ag2S 含量的增大而增大,其n0也隨著Ag2S 含量的增大而增大;在C 系列玻璃中,玻璃的d隨Ga2S3含量的增大而減小,其n0也隨著Ag2S 含量的增大而減小;在A 系列玻璃中,玻璃的d隨Ag2S 含量的增大而增大,而玻璃的n0與d的變化趨勢相反.根據(jù)文獻(xiàn)[18],玻璃的線性折射率n0除了與密度d相關(guān)外,還與組成元素的極化率p有關(guān),其值可根據(jù)以下方程進(jìn)行估算:

其中Ri＝pi/K(K為常數(shù)),是組成元素的摩爾折射度,xi是元素的摩爾百分?jǐn)?shù).在A 系列玻璃中,隨著Ag2S 含量的增大,玻璃的平均極化率顯著減小,而玻璃的V變化不顯著,最終導(dǎo)致玻璃的n0降低.

Ga2S3-Sb2S3-Ag2S 硫化物玻璃在整個1—12 μm波段表現(xiàn)出良好的透光性,并且一些玻璃組成具有優(yōu)異的抗析晶熱穩(wěn)定性,利于大尺寸玻璃的制備和復(fù)雜結(jié)構(gòu)光學(xué)元件的成型,這些特性使得該體系硫化玻璃在紅外熱成像系統(tǒng)中具有較好的應(yīng)用潛力.

Ga2S3-Sb2S3-Ag2S 玻璃還具有較高的三階非線性折射率n2,基于該玻璃可拉制出高非線性的紅外光纖,且該光纖的紅外透光范圍比傳統(tǒng)硫化物玻璃光纖寬1 μm 以上[19,38],這些性能使得Ga2S3-Sb2S3-Ag2S 玻璃光纖在紅外非線性光學(xué)領(lǐng)域極具應(yīng)用前景,如將其作為非線性介質(zhì)用于產(chǎn)生紅外拉曼激光或?qū)拵Ъt外超連續(xù)譜激光等.

Ga2S3-Sb2S3-Ag2S 玻璃具有較低的有效聲子能量,Ga 的存在利于稀土離子的溶解和均勻分散[39],因此,基于該玻璃的稀土(如Dy3+)摻雜光纖有望成為高效的中紅外激光增益材料.為了評估其作為激光增益介質(zhì)的應(yīng)用潛力,對上述0.05% Dy3+摻雜20Ga2S3-75Sb2S3-5Ag2S 玻璃進(jìn)行了光譜分析.根據(jù)J-O 理論[40,41],計算出3 個強(qiáng)度參數(shù)Ω2,Ω4,Ω6分別為7.38×10—20cm2,2.24×10—20cm2和0.75×10—20cm2.根據(jù)文獻(xiàn)[24,42]中的公式,計算了Dy3+離子的輻射參數(shù),如表4 所示,其中Dy3+在2.91 μm 和4.41μm 波長的發(fā)射量子效率(η)分別為76.6 %和70.8 %,對應(yīng)的受激發(fā)射截面(σem)分 別為1.27×10—20cm2和1.43×10—20cm2.與其它Dy3+摻雜的Ga-Sb-S 基玻璃相比[15,43,44],其η和σem均相近;與Dy3+摻雜的Ga-La-S,Ge-Ga-S 等硫化物玻璃[44,45]相比,其η和σem均有顯著提高.這些優(yōu)異的性能使得稀土摻雜Ga2S3-Sb2S3-Ag2S 玻璃光纖在中紅外光纖激光器領(lǐng)域極具應(yīng)用潛力.

表4 Dy3+ 在20 Ga2S3-75 Sb2S3-5 Ag2S 玻璃中的輻射參數(shù),λ,β,τrad,τmea 分別是發(fā)射波長、熒光分支比、能級輻射壽命和實測熒光壽命Table 4.Radiative parameters of Dy3+ in 20 Ga2S3-75 Sb2S3-5 Ag2S glass,λ,β,τrad,τmea are emission wavelength,fluorescence branch ratio,radiative lifetime,and measured lifetime,respectively.

5 結(jié)論

Ga2S3-Sb2S3-Ag2S 體系具有較好的玻璃形成能力,其成玻組成范圍為～10%—30% Ga2S3,～60%—80% Sb2S3和～0—15%Ag2S.這些組成的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg為～216℃—246℃,抗析晶熱穩(wěn)定性參數(shù)ΔT最高可達(dá)130 ℃,利于高光學(xué)質(zhì)量玻璃的制備和成型.該玻璃在整個1—12 μm 波段具有較好的透光性能,可作為紅外透鏡材料用于熱成像系統(tǒng).該玻璃的n2為～9.7×10—14—15.7×10—14cm2/W(@1.55 μm),比商業(yè)化As2S3玻璃高～2—4 倍,使其在紅外非線性光學(xué)領(lǐng)域極具應(yīng)用前景.稀土離子Dy3+摻雜的玻璃表現(xiàn)出較強(qiáng)的2.91 μm和4.41 μm 發(fā)射,發(fā)射量子效率分別達(dá)76.6%和70.8%,發(fā)射截面分別達(dá)1.27 × 10—20cm2和1.43×10—20cm2,且可拉制成在2—8 μm波段具有良好傳輸性能的光纖,在中紅外光纖激光器領(lǐng)域具有較好的應(yīng)用潛力.