趙煒 李巖 張磊 彭博 王志強(qiáng)
(1 中國(guó)空間技術(shù)研究院,北京 100010)
(2 戰(zhàn)略支援部隊(duì)航天系統(tǒng)部裝備部項(xiàng)目管理中心,北京 101318)
(3 北京跟蹤與通訊技術(shù)研究所,北京 100094)
文摘 對(duì)牌號(hào)為Au80Sn20的金錫焊帶材料在208~423 K 的電阻率及熱導(dǎo)率與溫度的函數(shù)關(guān)系進(jìn)行了研究,并對(duì)其在多芯片組件(MCM)中的傳熱效果進(jìn)行了評(píng)估。分別對(duì)材料在208~423 K 中5 個(gè)溫度點(diǎn)的電阻率及4 個(gè)溫度點(diǎn)的熱導(dǎo)率進(jìn)行了測(cè)試,基于理論模型建立電阻率/熱導(dǎo)率隨溫度變化的函數(shù)關(guān)系,最終采用模擬熱擴(kuò)散數(shù)值方法評(píng)估材料在高溫下的傳熱能力。結(jié)果表明,采用修正函數(shù)模型后,金錫焊帶材料在208~423 K下熱導(dǎo)率與電阻率的關(guān)系符合測(cè)試結(jié)果,隨芯片表面溫度的邊界條件從208 K 升高至423 K,采用變溫?zé)釋?dǎo)率模型得到的熱流密度模擬計(jì)算結(jié)果相比理想化恒定熱導(dǎo)率模型的差異性逐漸升高至5.5%。綜上,金錫焊帶材料熱導(dǎo)率與電阻率的關(guān)系符合Wiedemann-Franz 法則修正后的Smith-Palmer 方程,在該材料傳熱設(shè)計(jì)時(shí)應(yīng)考慮其熱導(dǎo)率溫度效應(yīng)。
由80%Au及20%Sn共晶形成的金錫合金釬焊材料已用于半導(dǎo)體及其他行業(yè)多年,其具有釬焊溫度適中,高強(qiáng)度、焊接時(shí)無(wú)需助焊劑、低黏滯性等焊接工藝優(yōu)勢(shì),此外還具有較高的熱導(dǎo)率、電導(dǎo)率,良好的抗蠕變性及耐腐蝕性等優(yōu)異的物理性質(zhì),基于以上優(yōu)勢(shì),金錫合金已廣泛應(yīng)用于氣密封裝、光電子封裝領(lǐng)域并逐漸成為用于光電器件封裝最好的一種材料[1]。
此外,金錫焊料也應(yīng)用于高功率激光二極管的管芯焊接[2]。激光二級(jí)管的發(fā)光性能隨溫度的升高而急劇降低,金錫焊料的熱導(dǎo)率高于鉛錫焊料且明顯高于其他無(wú)鉛焊料,可將激光二極管的發(fā)熱量有效散入基體。
基于金錫焊料較高的熱導(dǎo)率,除上述應(yīng)用外,其具有一種新型使用途徑,即將金錫焊帶作為芯片模塊中芯片的散熱通道,在航天器中的一種典型應(yīng)用場(chǎng)景是用于多芯片組件(MCM)模塊內(nèi)部,銅的焊接性較差,若將散熱銅帶直接焊接到高功率芯片金屬載體表面,其焊接難度高,易出現(xiàn)焊不透的情況,此外焊接過(guò)程易產(chǎn)生較大的焊接變形,造成焊點(diǎn)附近產(chǎn)生裂紋,焊接不牢固?;诮疱a焊帶較高的熱導(dǎo)率與優(yōu)異的焊接性可使其作為通道使高功率芯片的熱量通過(guò)金屬載體傳遞到散熱銅管上,以達(dá)到有效散熱的目的,使用實(shí)物如圖1所示。
圖1 金錫焊帶材料在MCM組件中散熱的使用情況Fig.1 Application of gold tin solder strip material for heat dissipation in MCM components
目前,尚無(wú)對(duì)上述新型應(yīng)用背景下金錫焊帶實(shí)際散熱能力進(jìn)行定量研究,當(dāng)芯片溫度升高后,焊帶溫度升高,其熱導(dǎo)率在高溫下發(fā)生變化,在以往的研究中,僅存在該材料在20 ℃時(shí)的熱導(dǎo)率數(shù)據(jù),沒(méi)有高溫?zé)釋?dǎo)率的相關(guān)數(shù)據(jù)。
此外,焊帶材料高溫下熱導(dǎo)率與溫度的函數(shù)關(guān)系尚無(wú)理論描述,而作為合金材料,其電阻率與溫度存在較為明確的函數(shù)關(guān)系,可通過(guò)建立其電阻率與溫度的函數(shù)關(guān)系,并通過(guò)熱導(dǎo)率與電阻率的相關(guān)理論,進(jìn)一步建立金錫焊帶熱導(dǎo)率隨溫度的變化關(guān)系,在以往的研究中,金錫焊帶材料的電阻率也僅存在室溫下的數(shù)據(jù),其高溫下電阻率數(shù)據(jù)需要進(jìn)行測(cè)試。
金錫焊帶材料電阻率/熱導(dǎo)率隨溫度的變化關(guān)系需要進(jìn)行研究,熱導(dǎo)率的變化對(duì)材料在MCM 組件中的散熱設(shè)計(jì)造成的潛在影響同樣需要進(jìn)行評(píng)估。
本文對(duì)金錫焊帶材料在高溫下的電阻率及熱導(dǎo)率進(jìn)行測(cè)試,并基于金錫焊帶材料電阻率與溫度良好的特征關(guān)系,結(jié)合Wiedemann-Franz 法則建立不同溫度下熱導(dǎo)率與電導(dǎo)率的對(duì)應(yīng)關(guān)系,得到其熱導(dǎo)率隨溫度變化關(guān)系的表達(dá)式。最終采用數(shù)值模型評(píng)估在上述使用背景中不同溫度工況對(duì)金錫焊帶材料散熱能力的影響。
采用牌號(hào)為Au80Sn20的金錫焊帶材料,對(duì)于同樣的材料牌號(hào),不同廠家在成分及生產(chǎn)過(guò)程控制存在一定程度的差異,為了更充分地研究該材料電阻率及熱導(dǎo)率溫度特性,選用了兩個(gè)廠家(廠家A與廠家B)的材料同時(shí)開(kāi)展研究,電阻率測(cè)試試樣規(guī)格為0.03 mm×1 mm×300 mm,測(cè)試溫度點(diǎn)208、253、298、398及423 K。熱導(dǎo)率采用密度與比熱容及熱擴(kuò)散系數(shù)的乘積得到,由于密度隨溫度的變化相對(duì)較低,本次采用金錫焊帶的室溫密度14.52 g/cm3,比熱容測(cè)試的試樣規(guī)格為0.03 mm×1 mm×200 mm,測(cè)試溫度點(diǎn)298、348、398、423 K,熱擴(kuò)散系數(shù)測(cè)試的試樣規(guī)格為Φ9.8 mm×δ2.2 mm,測(cè)試溫度點(diǎn)298、348、398、423 K。
分別采用FLUKE 8508A高精度萬(wàn)用表、NETZCSH DSC 214 Polyma 差式掃描量熱儀及NETZCSH LFA 467 Hyber Flash 閃射法導(dǎo)熱儀參考GB/T 351—1995、ASTM E 1269—2011及GB/T 22588—2008進(jìn)行不同溫度下電阻率、比熱容及熱擴(kuò)散系數(shù)測(cè)試。
通常對(duì)于金屬單質(zhì)元素,其導(dǎo)電主要靠金屬中的自由電子運(yùn)動(dòng)完成,當(dāng)溫度升高后,其中自由電子的動(dòng)能增加,產(chǎn)生散射的概率升高,且溫度是材料原子動(dòng)能的微觀體現(xiàn),所以單質(zhì)金屬的電阻率與溫度的關(guān)系呈現(xiàn)良好的正線(xiàn)性關(guān)系。
對(duì)于合金而言,其在凝固的固液轉(zhuǎn)變過(guò)程中通常會(huì)形成固溶體相[3]。固溶體的溶劑晶格中溶入溶質(zhì)原子后,溶劑的晶格發(fā)生扭曲畸變,對(duì)晶格的周期勢(shì)場(chǎng)發(fā)生了改變,對(duì)自由電子的束縛作用升高,此外合金凝固過(guò)程中通常形成多相,晶界的數(shù)量及不規(guī)則度有較大提升,自由電子運(yùn)動(dòng)過(guò)程中受到晶界的阻礙與散射作用同樣提升,導(dǎo)致合金的電阻率通常高于其單質(zhì)組分的電阻率,且其電阻率隨溫度的變化關(guān)系隨具體晶格結(jié)構(gòu)及晶界的形式呈現(xiàn)出不同的表現(xiàn)形式。
Au80Sn20合金屬于AuSn 二元共晶體,共晶點(diǎn)為553 K[4]。在此溫度下,共晶反應(yīng)為液相L→ξ+δ,其結(jié)構(gòu)由具有ξ(Au5Sn)鎂型六角密排結(jié)構(gòu)的ξ(Au5Sn)相和δ(AuSn)金屬間化合物組成[5],δ 相是一種金屬間化合物,其熔點(diǎn)為692 K,具有NiAs型六角結(jié)構(gòu)[6]。
綜上可知Au80Sn20合金在凝固過(guò)程中形成具有ξ相與δ相金屬間化合物的共晶體,其導(dǎo)電特性在室溫及隨溫度變化的規(guī)律需要通過(guò)試驗(yàn)驗(yàn)證。
不同溫度下電阻率測(cè)試結(jié)果如表1、表2所示。
表1 廠家A金錫焊帶電阻率測(cè)試結(jié)果Tab.1 Resistivity test results of gold tin solder strip by manufactor A μΩ·m
表2 廠家B金錫焊帶電阻率測(cè)試結(jié)果Tab.2 Resistivity test results of gold tin solder strip by manufactor B μΩ·m
若材料電阻率隨溫度變化呈現(xiàn)線(xiàn)性的函數(shù)關(guān)系。采用以下公式進(jìn)行描述:
式中,α表示電阻溫度系數(shù),ρ0表示材料20 ℃時(shí)的電阻率,T為絕對(duì)溫度,采用最小二乘法對(duì)電阻率與溫度關(guān)系進(jìn)行擬合,分別得到兩廠家擬合結(jié)果的擬合系數(shù)及曲線(xiàn)圖,如圖2、表3和表4所示。
圖2 電阻溫度系數(shù)擬合曲線(xiàn)Fig.2 Fitting curves of resistance temperature coefficient
表4 廠家B金錫焊帶電阻溫度系數(shù)擬合結(jié)果Tab.4 Fitting results of resistance temperature coefficient of gold tin solder strip by manufactor B
由圖表可見(jiàn)廠家A 及廠家B 焊帶材料不同試樣的電阻率與溫度均呈現(xiàn)良好的線(xiàn)性關(guān)系,所有試樣測(cè)試值與線(xiàn)性擬合值的相關(guān)系數(shù)均>0.99,將廠家A及廠家B測(cè)試組的結(jié)果分別進(jìn)行平均,得到廠家A及廠家B的電阻及溫度關(guān)系函數(shù)如下所示:將廠家A與廠家B的測(cè)試結(jié)果進(jìn)行綜合,得到金錫焊帶電阻率與溫度的變化關(guān)系如下所示:
擬合相關(guān)系數(shù)為0.998,進(jìn)一步說(shuō)明金錫焊帶電阻率與溫度存在良好的線(xiàn)性關(guān)系。
假定金屬的聲子熱導(dǎo)率(λph)可以忽略,熱導(dǎo)率可通過(guò)著名的Wiedemann-Franz 法則同電導(dǎo)率建立如下聯(lián)系:
式中,L為洛倫茲系數(shù),σ為電導(dǎo)率,T為絕對(duì)溫度。自由電子模型表明所有金屬的L都應(yīng)該為常數(shù),即為Summerfeld 洛倫茲常數(shù)[7]L0(2.44×10-8V2/K2),但事實(shí)上洛倫茲系數(shù)是一種理想化金屬的參數(shù),實(shí)際數(shù)值會(huì)隨著材料類(lèi)型的不同而改變,具體可以參考文獻(xiàn)[8-10]中報(bào)道的Cu、Al 和Ag 在300 K 時(shí)的洛倫茲系數(shù)數(shù)據(jù)。
因此考慮到L的這種差異性,Smith 和Palmer 建立了一個(gè)更能準(zhǔn)確聯(lián)系合金熱導(dǎo)率和電導(dǎo)率之間關(guān)系的表達(dá)式,如下所示[11],
式中,參數(shù)A表征合金之間洛倫茲系數(shù)的差異,AL0表示修正后的洛倫茲系數(shù),B表示聲子熱導(dǎo)率且一般為常數(shù)。Smith 和Palmer 研究得出銅基合金的參數(shù)A=0.967,B=7.53 W/(m·K)[12]。后續(xù)研究者發(fā)現(xiàn)Smith-Palmer 方程還適用于鈦基[A=0.997,B=2.7 W/(m·K)]和鋁基合金[A=0.909,B=10.5 W/(m·K)][12-13]。
金錫共晶從單一液相向雙相固相轉(zhuǎn)變時(shí),焊料中的這兩種相是以金屬間化合物形式存在,共晶固溶體將凝固為σ 相AuSn 和ξ 相Au5Sn,而鉛錫焊料、金硅焊料固相的共晶體則由金屬單質(zhì)元素組成[14],因此,金錫共晶合金焊料的導(dǎo)熱性質(zhì)與金、錫原子性質(zhì)有較大區(qū)別。
綜上,金錫共晶合金焊料在不同溫度下的電導(dǎo)率和熱導(dǎo)率是否可滿(mǎn)足Wiedemann-Franz 法則或經(jīng)過(guò)修正的Smith-Palmer 方程的規(guī)律性需要進(jìn)一步研究,通過(guò)對(duì)不同溫度下金錫焊料熱導(dǎo)率進(jìn)行測(cè)試,研究其同相應(yīng)的電導(dǎo)率的變化關(guān)系。
熱導(dǎo)率的測(cè)試數(shù)據(jù)采用如下公式進(jìn)行計(jì)算:
式中,λ為熱導(dǎo)率,α為熱擴(kuò)散系數(shù),cp為比熱容,ρ為密度。得到廠家A 及廠家B 金錫焊帶材料在不同溫度下的熱導(dǎo)率如表5所示。
表5 廠家A及廠家B金錫焊帶在不同溫度下熱導(dǎo)率測(cè)試結(jié)果Tab.5 Test results of thermal conductivity of gold solder strip at different temperatures by manufactor A and manufactor B
經(jīng)過(guò)初步計(jì)算,若直接采用Wiedemann-Franz 法則通過(guò)廠家A及廠家B金錫焊帶材料的電導(dǎo)率(電阻率的倒數(shù))對(duì)其熱導(dǎo)率進(jìn)行計(jì)算,得到結(jié)果分別為36.4 W/(m·K)及35.5 W/(m·K),結(jié)果與熱導(dǎo)率的實(shí)測(cè)值34.9 W/(m·K)及38.4 W/(m·K)十分接近但存在少量差異,初步說(shuō)明金錫焊帶熱導(dǎo)率與電導(dǎo)率的關(guān)系總體上符合Wiedemann-Franz 法則,進(jìn)一步采用修正的Smith-Palmer 方程對(duì)不同溫度下的熱導(dǎo)率進(jìn)行擬合,得到廠家A及廠家B金錫焊帶材料的擬合系數(shù)及相關(guān)性結(jié)果如表6所示。
表6 廠家A、廠家B金錫焊帶在不同溫度下熱導(dǎo)率擬合系數(shù)及相關(guān)性Tab.6 Fitting coefficient and correlation of thermal conductivity of gold tin solder strips at different temperatures by manufactor A and B
由表6 可知,廠家A 及廠家B 焊帶的熱導(dǎo)率與電導(dǎo)率間的關(guān)系很好地符合Smith-Palmer 方程所描述的規(guī)律,但兩個(gè)廠家材料的擬合系數(shù)存在一定程度的差異。根據(jù)兩個(gè)廠家焊帶的其他理化性能數(shù)據(jù)可知,其在生產(chǎn)工藝及雜質(zhì)含量控制等方面存在差異,導(dǎo)致其性能指標(biāo)及變化規(guī)律存在一定程度的偏差。將廠家A 及廠家B 在不同溫度點(diǎn)的電導(dǎo)率測(cè)試結(jié)果進(jìn)行平均,并對(duì)平均后的電導(dǎo)率與熱導(dǎo)率采用Smith-Palmer 方程進(jìn)行擬合,得到擬合系數(shù)a、b分別為0.85及6.16 W/(m·K),相關(guān)系數(shù)為0.999,進(jìn)一步說(shuō)明,Smith-Palmer方程可以較好地描述金錫焊帶材料熱導(dǎo)率與電導(dǎo)率間的關(guān)系,擬合數(shù)據(jù)如圖3所示。
圖3 廠家A及廠家B金錫焊帶熱導(dǎo)率隨電阻率變化關(guān)系及擬合結(jié)果Fig.3 Relationship between thermal conductivity and resistivity of gold tin solder strips and fitting results by manufactor A and B
擬合函數(shù)如下所示:
用Lc表示修正后的洛倫茲系數(shù),則修正后的洛倫茲系數(shù)Lc為2.07×10-8V2/K2,聲子熱導(dǎo)率為6.16 W/(m·K)??梢钥闯?,金錫焊帶熱導(dǎo)率與電導(dǎo)率的關(guān)系隨溫度變化的規(guī)律偏離Wiedemann-Franz 法則的原因主要有以下兩點(diǎn):(1)聲子導(dǎo)熱承擔(dān)導(dǎo)熱能力所占比例相比電子導(dǎo)熱仍在同一量級(jí),不能被忽略[15];(2)當(dāng)電子導(dǎo)熱只受彈性散射影響時(shí),對(duì)應(yīng)的洛倫茲系數(shù)為L(zhǎng)0[16],而金錫材料的電子導(dǎo)熱部分受到熱梯度而非電場(chǎng)引起的非彈性電子-聲子散射從而被影響[17],導(dǎo)致洛倫茲系數(shù)產(chǎn)生了一定程度的偏離。
將電導(dǎo)率σ與溫度的關(guān)系的表達(dá)式帶入熱導(dǎo)率隨電導(dǎo)率變化關(guān)系式,并將洛倫茲常數(shù)2.44×10-8V2/K2帶入,得到金錫焊帶材料熱導(dǎo)率隨溫度變化關(guān)系的一元函數(shù)如下所示:
將式(9)進(jìn)一步簡(jiǎn)化,得到焊帶材料熱導(dǎo)率隨溫度變化關(guān)系的簡(jiǎn)化形式如下:
結(jié)合以上分析內(nèi)容可知,在298~423 K 的范圍內(nèi),焊帶材料的熱導(dǎo)率呈現(xiàn)隨溫度增加遞增的關(guān)系,具體關(guān)系如式(10)所示。結(jié)合焊帶材料作為芯片散熱模塊的應(yīng)用場(chǎng)景,若將其熱導(dǎo)率視為常數(shù),其散熱能力將會(huì)與實(shí)際情況產(chǎn)生一定程度的偏差,對(duì)于其熱導(dǎo)率隨溫度變化對(duì)其在不同溫度條件下散熱能力的影響需要進(jìn)一步研究。
當(dāng)材料進(jìn)入穩(wěn)態(tài)傳熱階段時(shí),其一維傳熱方程的數(shù)學(xué)表達(dá)式為:
當(dāng)將λ隨T的關(guān)系式帶入上述微分方程后,得到λ隨x的變化關(guān)系為超越函數(shù),難以進(jìn)一步對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行分析處理,本次采用離散化的數(shù)值方法對(duì)其尋求近似解,將求解區(qū)域的空間離散為N個(gè)節(jié)點(diǎn),其中第n個(gè)節(jié)點(diǎn)離散后的一維穩(wěn)態(tài)熱傳導(dǎo)差分方程如下式所示:
進(jìn)一步將時(shí)間離散化為I個(gè)時(shí)間,可得到第n個(gè)節(jié)點(diǎn)在第i時(shí)刻離散后的一維非穩(wěn)態(tài)熱傳導(dǎo)差分方程如下式所示:
在本次應(yīng)用場(chǎng)景下,芯片工作時(shí)表面溫度升高,由于芯片體積小熱擴(kuò)散能力強(qiáng),當(dāng)芯片工作并處于高溫時(shí),其與焊帶材料接觸端的邊界近似認(rèn)為是恒溫邊界模型;焊帶另一端連接銅管,由于銅的熱導(dǎo)率高,可以將熱量快速導(dǎo)出,可認(rèn)為焊帶與銅管接觸端的邊界條件同樣為恒溫邊界,溫度為室溫。分別將邊界溫度設(shè)置為(298 K,423 K)、(298 K,398 K)、(298 K,348 K),所有節(jié)點(diǎn)的初始溫度設(shè)置為298 K,采用模擬熱擴(kuò)散的方式對(duì)焊帶材料的穩(wěn)態(tài)溫度場(chǎng)進(jìn)行求解,采用0.01 K 的誤差作為收斂條件,將溫度場(chǎng)的初始條件及邊界條件代入上式進(jìn)行迭代計(jì)算,得到不同溫度邊界條件下,變熱導(dǎo)率與恒定熱導(dǎo)率在假設(shè)條件下焊帶材料穩(wěn)態(tài)溫度分布的對(duì)比如圖4所示。
圖4 不同邊界溫度下考慮熱導(dǎo)率溫度效應(yīng)與不考慮熱導(dǎo)率溫度效應(yīng)溫度分布比對(duì)Fig.4 Comparison of temperature distribution with and without thermal effect of thermal conductivity under different boundary temperatures
圖4中,左側(cè)為變熱導(dǎo)率模型時(shí)焊帶材料的溫度分布,右側(cè)為恒定熱導(dǎo)率模型時(shí)焊帶材料的溫度分布,由圖4可見(jiàn),采用恒定熱導(dǎo)率的假設(shè)時(shí),材料內(nèi)部的溫度呈現(xiàn)均勻的梯度分布,當(dāng)采用變導(dǎo)熱模型時(shí),材料近高溫側(cè)的溫度梯度降低,而近低溫側(cè)的溫度梯度升高,上述趨勢(shì)隨邊界溫差的增加更加明顯。
不考慮材料形狀因素對(duì)熱流密度造成的差異,以(298 K,348 K)邊界條件下恒定熱流作為參比值,得到在不同溫度邊界條件下采用兩種模型的參比化熱流密度比對(duì)如表7所示。
表7 不同模型及邊界條件下穩(wěn)態(tài)熱流密度比對(duì)Tab.7 Comparison of steady-state heat flux under different models and boundary conditions
由表7 可知,采用變熱導(dǎo)率模型后,在穩(wěn)態(tài)導(dǎo)熱時(shí)材料在不同溫度邊界下傳輸?shù)臒崃髅芏认啾群愣釋?dǎo)率模型均有所上升,且呈現(xiàn)隨邊界溫度差值的增加而增加的趨勢(shì),在本次設(shè)置的最大溫差(298~423 K)條件下,采用變熱導(dǎo)率模型計(jì)算得到的熱流密度增量達(dá)到5.5%。可知隨著高溫區(qū)溫度邊界條件的上升,采用恒定熱導(dǎo)率模型所計(jì)算得到的熱流密度會(huì)越發(fā)偏離真實(shí)水平,在長(zhǎng)期使用過(guò)程中,金錫焊帶材料產(chǎn)生的累計(jì)熱耗散能力將會(huì)產(chǎn)生較為明顯的差異,導(dǎo)致進(jìn)行熱設(shè)計(jì)時(shí)材料用量與使用邊界條件等的設(shè)置產(chǎn)生偏差。
(1)金錫焊帶電阻率與溫度呈現(xiàn)良好的線(xiàn)性關(guān)系,分布公式為:
(2)金錫焊帶熱導(dǎo)率與其電阻率的關(guān)系符合Smith-Palmer方程,將金錫焊帶電阻率與溫度的函數(shù)關(guān)系帶入,得到其熱導(dǎo)率隨溫度變化關(guān)系的函數(shù)為:
(3)金錫焊帶在MCM 組件散熱的服役背景下,當(dāng)芯片表面溫度達(dá)到423 K 時(shí),采用變熱導(dǎo)率的模型計(jì)算得到的熱流密度相比恒定熱導(dǎo)率的假設(shè)高5.5%,且芯片表面溫度越高而模型差異越明顯,當(dāng)芯片服役溫度較高時(shí),其傳熱模型有進(jìn)行細(xì)化的必要性。