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多路起爆電路設(shè)計及特性分析

2023-07-06 12:42:24劉擇生趙旭瑞秦棟澤
計算機測量與控制 2023年6期
關(guān)鍵詞:火工品同步性控制電路

王 一,劉擇生,趙旭瑞,秦棟澤

(1.中北大學(xué) 機電工程學(xué)院,太原 030051;2.中國人民解放軍63850部隊,吉林 白城 137001;3.晉西工業(yè)集團,太原 030051)

0 引言

在自修復(fù)雷場中,跳躍式智能封鎖雷不僅能夠探測和定位周圍其他子雷并交互信息,而且可以通過跳躍機構(gòu)完成自主移動。當(dāng)雷場因作戰(zhàn)爆炸或敵方排雷而破壞隊形時,跳躍式智能封鎖雷可以通過跳躍機構(gòu)完成自主移動,自行愈合雷場[1-2]。

智能封鎖雷的跳躍機構(gòu)由均勻周向布置的八路火工品燃爆點構(gòu)成,其起爆電路可根據(jù)主機命令控制火工品單路起爆、單路連續(xù)起爆或多路同步起爆,從而完成指定方位角的單次或多次連續(xù)跳躍。起爆電路是跳躍機構(gòu)的核心,要求其不僅具有高安全性[3],而且具有起爆火工品的快速性和同步性,安全性是指不誤起爆火工品,防止誤跳躍;快速性是指能快速響應(yīng)主機命令,銜接跳躍動作;同步性要求多路火工品相互之間的起爆時間差盡量小,減小跳躍方位角的偏差。

目前主要采用爆炸邏輯網(wǎng)絡(luò)作為多點起爆系統(tǒng),如基于“拐角”效應(yīng)的炸藥裝藥爆炸邏輯網(wǎng)絡(luò)和導(dǎo)爆索制成的多點起爆網(wǎng)絡(luò),只能以特定方式起爆,靈活性低,受導(dǎo)爆索傳爆速度和傳爆距離誤差的影響,難以保障多點起爆的快速性和同步性[4-6]。文獻[7]設(shè)計了一種以等邊三角形排列的平面多點起爆傳爆網(wǎng)絡(luò),經(jīng)實驗測試,多點起爆同步性極差小于0.6μs。文獻[8]設(shè)計了一種剛性和柔性相結(jié)合的多點同步起爆網(wǎng)絡(luò),測試結(jié)果表明,多點同步起爆時間標(biāo)準(zhǔn)偏差為0.59μs。本文提出了一種基于STM32的火工品多路起爆電路,采用雙端控制、低通濾波等設(shè)計方法保障起爆電路的安全性和抗干擾性,通過計算分析部分元器件參數(shù),減小了起爆的硬件延遲時間和火工品的發(fā)火時間,提高了能量利用率,提高了起爆快速性和同步性,最后制板進行實驗,完成對起爆電路的性能評估。該電路可為自修復(fù)雷場中智能封鎖雷跳躍的應(yīng)用需求提供設(shè)計參考。

1 多路起爆電路的設(shè)計原理

火工品是由火藥或炸藥制成的、一次性使用的小型爆炸元件和裝置的總稱,點火元件是火工品的重要構(gòu)成部件,其作用就是點火。點火元件受外部能量的激勵,發(fā)出火焰沖能或其他形式的能量并傳遞給起爆藥,從而引爆火工品。其中,橋絲式電引火元件的能量轉(zhuǎn)換方式是將電能轉(zhuǎn)換為熱能,金屬橋絲具有電阻性質(zhì),在瞬時大電流的作用下溫度驟然升高,熱能通過熱傳導(dǎo)傳遞給起爆藥,當(dāng)能量達到起爆點時起爆[9-10]。橋絲式電引火元件的激發(fā)需要瞬時輸入較大的電流能量,可采用儲能電容放電或直流電源供電的起爆方式,因儲能電容放電是以脈沖形式輸出能量,比直流電源的脈沖功率大,所以采用儲能電容放電的方式可以減小起爆時間[11]。

點火控制電路是控制儲能電容放電的關(guān)鍵。若采用模擬電路的控制方式,電路設(shè)計復(fù)雜且控制不夠靈活,本文采用STM32 單片機作為點火控制電路的主芯片,通過UART 與主機進行通信,可根據(jù)主機發(fā)送的命令靈活控制多路點火控制電路[12]。

點火控制器件多采用繼電器和場效應(yīng)管,繼電器易損壞可靠性低,NMOS管無法實現(xiàn)儲能電容與火工品的電氣隔離,安全性低[13]。本文采用晶閘管控制執(zhí)行電路,能將儲能電容與火工品安全隔離開來,控制靈敏。

圖1為多路起爆電路系統(tǒng)框圖,主要由升壓電路、降壓電路、執(zhí)行電路、點火控制電路和STM32單片機組成。升壓電路將外部電壓升高后供執(zhí)行電路的儲能電容充電;降壓電路將外部電壓降低到5V 和3.3V 供后級電路使用;執(zhí)行電路的儲能電容充電至滿電荷,在點火控制電路的驅(qū)動下放電;STM32通過UART 接收主機發(fā)送的命令,控制相應(yīng)的點火控制電路輸出起爆信號。

圖1 多路起爆電路系統(tǒng)框圖

2 多路起爆電路的設(shè)計實現(xiàn)

2.1 電源電路

由于本文設(shè)計的多路起爆電路是用12V 電池供電的,若直接供儲能電容充電,其電壓水平不足以可靠起爆火工品,而且隨著使用時間變長,電池會出現(xiàn)輸出電壓降低、負載能力不足的問題,DC-DC升壓電路的輸入電壓范圍寬,可以有效克服這一問題,將電池的輸出電壓升高并鉗位在某一恒定電壓。

選擇LM2577-ADJ升壓型DC-DC轉(zhuǎn)換器作為升壓電路的主芯片,該芯片外圍元器件少、輸入電壓范圍為3.5~40V,并且可根據(jù)需求調(diào)整輸出電壓,最高可達60V,在電路設(shè)計上更具靈活性[14-15]。升壓電路原理圖如圖2所示。

圖2 升壓電路原理圖

LM2577-ADJ轉(zhuǎn)換器內(nèi)部的52kHz固定頻率振蕩器控制NPN 開關(guān)晶體管的導(dǎo)通狀態(tài),當(dāng)晶體管導(dǎo)通時將能量儲存在外接電感L1中,當(dāng)晶體管截止時外接電感L1將能量輸送到輸出電容C3,所以調(diào)整晶體管的導(dǎo)通占比,即占空比,就能調(diào)整需要的輸出電壓??梢酝ㄟ^調(diào)節(jié)反饋網(wǎng)絡(luò)R2和R3的比值來調(diào)整占空比,輸出電壓UOUT為:

基準(zhǔn)電壓Uref=1.23V,本文R2/R3=11,故UOUT=14.76V。

點火控制電路需要5V 的基準(zhǔn)電壓,STM32芯片的工作電壓為3.3V,因此12V 的外部電源需要經(jīng)過降壓變換后才能供后級電路使用,本文使用兩個線性穩(wěn)壓器級聯(lián)構(gòu)成降壓電路,轉(zhuǎn)換效率高,其原理如圖3所示。首先使用傳統(tǒng)線性穩(wěn)壓器7805將12V 轉(zhuǎn)換為5V,7805三端穩(wěn)壓器的輸入輸出壓差要求大于2V,輸出電壓誤差小、性能穩(wěn)定[16]。然后使用低壓差線性穩(wěn)壓器(LDO)AMS1117 將5V轉(zhuǎn)換為3.3V,LDO 具有成本低、噪音低等特點[17]。級聯(lián)設(shè)置的降壓電路的外接元件只需要幾個旁路電容,結(jié)構(gòu)簡單,占用PCB板面積小。

圖3 降壓電路原理圖

2.2 執(zhí)行電路

一路執(zhí)行電路原理如圖4所示。二極管D4、電阻R4和儲能電容C12構(gòu)成充電回路,升壓電路的輸出端經(jīng)充電回路為儲能電容C12充電。當(dāng)晶閘管VT1門級G 的起爆信號拉高時,晶閘管VT1導(dǎo)通,由于導(dǎo)通后的晶閘管內(nèi)阻幾乎為零,所以儲能電容C12通過與晶閘管VT1、火工品構(gòu)成的放電回路迅速放電,從而起爆火工品。二極管D4單向?qū)?,防止儲能電容通過電阻R4放電。電阻R5>>R4,保證儲能電容充電至滿電荷時的電壓接近UOUT,并且R5與儲能電容C12構(gòu)成緩慢放電回路,在未能起爆火工品時將C12的電能緩緩釋放,保證了跳躍機構(gòu)失效時的安全性。

圖4 執(zhí)行電路原理圖

儲能電容是執(zhí)行電路的核心,若其容值太小,儲存的能量不足以起爆火工品;若其容值太大,充放電速度緩慢,所以合理選擇儲能電容,有利于提高能量利用率,減小火工品的發(fā)火時間。本文使用的火工品的電阻約為5Ω,以1A 恒定電流點火時的起爆能量約為6mJ,起爆時間約為1.2ms。

儲能電容充電至滿電荷時的電壓近似于充電電壓,儲存的能量WC為:

C為儲能電容的電容量,UOUT等于升壓電路的輸出電壓,為14.76V。

在放電回路中,電阻R4>>火工品電阻,儲能電容的放電過程可認為是一階電路的零輸入響應(yīng)過程,忽略導(dǎo)線電阻等因素的影響,由基爾霍夫電壓定律可得:

式中,Rs為火工品的阻值,UVT為晶閘管正向?qū)〞r的壓降,約為1.7V,此式是一階微分方程,放電起始時刻儲能電容兩端電壓為UOUT,解得儲能電容放電時電壓隨時間變化的表達式:

忽略晶閘管導(dǎo)通時的內(nèi)阻,根據(jù)歐姆定律,放電電流隨時間變化的表達式為:

將放電電流大于1A 的時間定義為起爆電流持續(xù)時間ts,由式(5)解得:

火工品在這段時間內(nèi)獲得的能量Ws為:

由火工品的起爆能量可解得儲能電容最小容值C=51.3μF,考慮到火工品溫升階段的熱量散失和電容器的偏壓特性[18],取C=100μF。起爆火工品的能量利用率η:

代入數(shù)據(jù),得η=73.44%,具有較高的能量利用率。

電容確定后,其充電速度由充電電阻R4決定,充電時儲能電容電壓隨時間變化的表達式為:

經(jīng)測量,單片機上電復(fù)位期間,其GPIO 會輸出一個脈寬為2.58ms的脈沖,有可能誤導(dǎo)通晶閘管使儲能電容放電。控制儲能電容的充電速度,即使誤放電,其儲存的能量也不應(yīng)起爆火工品,即:

解得R4最小值R4,min=13.27Ω,因電容的動態(tài)電氣特性,充電電流太大會影響電容的容值和等效串聯(lián)電阻、電感,造成電容的不完全充電,所以取R4=1kΩ。

2.3 點火控制電路

點火控制電路利用STM32單片機控制三極管的通斷實現(xiàn)對執(zhí)行電路中晶閘管的驅(qū)動,一路點火控制電路原理如圖5所示。STM32選用ST 公司的STM32F103C8T6,它是一款基于ARM Cortex-M 內(nèi)核STM32系列的32位的微控制器,程序存儲器容量是64kB[19]。它有48個引腳,除必要引腳外,使能了2個與主機通訊的UART 引腳和16個輸出起爆驅(qū)動信號的GPIO 引腳。STM32接收到主機發(fā)送的命令后,內(nèi)部處理信息,控制相應(yīng)序號的點火控制電路起爆火工品,如起爆火工品1,GPIO1和GPIO2輸出起爆驅(qū)動信號1和起爆驅(qū)動信號2,起爆驅(qū)動信號1高電平有效,起爆驅(qū)動信號2低電平有效,此時三極管Q1截止Q2導(dǎo)通,輸出起爆信號導(dǎo)通晶閘管。

圖5 點火控制電路原理圖

三極管Q1、Q2作為開關(guān)元件應(yīng)工作在截止區(qū)和飽和區(qū),為了提高三極管的開通速度以迅速起爆火工品,可以增大基極電流防止三極管深度飽和,但同時也要考慮到STM32的GPIO 輸出電流有限,所以要合理選擇R21、R22的阻值。例如R22,三極管Q1的集電極電流Ic為:

要使其工作于飽和區(qū),基極電流最小為25μA,R22阻值最大為:

因GPIO 輸出電流一般不超過5mA,R22阻值最小為:

綜上取R22的阻值為680Ω。

3 安全性、抗干擾性分析

火工品是一類敏感的小型爆炸元件,對起爆電路的安全性和抗干擾能力要求極高,因此在電路設(shè)計中,必須考慮安全性和抗干擾能力。

如前文所述,STM32單片機上電復(fù)位時GPIO 會輸出一個脈沖,有可能誤點火,通過控制儲能電容的充電速度,即使誤放電,其儲存的能量也不應(yīng)起爆火工品,增強電路的安全性。

在點火控制電路中,使用兩只三極管對起爆信號進行雙端控制,當(dāng)且僅當(dāng)起爆驅(qū)動信號1、2分別為高電平和低電平時輸出起爆信號。因STM32上電復(fù)位時GPIO 的狀態(tài)一致,所以雙端控制設(shè)計可避免上電復(fù)位時的脈沖誤點火。除此之外,硬件受電磁干擾或程序跑飛時可能導(dǎo)致GPIO 輸出固定電平或脈沖,雙端控制設(shè)計可抑制共模干擾,增強電路的安全性。

對起爆信號的輸出進行濾波處理,能夠有效濾除線路上的尖峰干擾。在圖5 的點火控制電路中,R24和C12組成RC低通濾波網(wǎng)絡(luò),增強了起爆信號的抗干擾能力,防止尖峰干擾誤起爆火工品。

軟件安全性與抗干擾能力同樣不可忽視。在UART 通信中使用奇偶校驗增強通信安全性,防止傳輸數(shù)據(jù)突變誤起爆火工品。

4 實驗驗證與特性分析

4.1 電路仿真實驗

在制作PCB板進行實驗前,為驗證GPIO 能否可靠控制儲能電容放電起爆火工品,使用Multisim 軟件搭建執(zhí)行電路(圖4)和點火控制電路(圖5),電路設(shè)置供電電源為升壓電路的輸出電壓,即14.76V;用兩只開關(guān)S1、S2分別模擬STM32單片機的GPIO1和GPIO2,開關(guān)閉合表示GPIO 輸出高電平,開關(guān)斷開表示GPIO 輸出低電平,S1默認斷開,S2默認閉合;用一個5Ω 電阻模擬火工品,剩余元器件的型號、容差、封裝均與實際元件相同,可以得到最接近實際情況的仿真結(jié)果。使用四通道示波器的A 通道測量火工品電阻兩端的電壓,B通道和C通道分別測量起爆驅(qū)動信號1和起爆驅(qū)動信號2的波形,其仿真波形圖如圖6所示。

圖6 仿真波形圖

由圖6可知,電路初始狀態(tài)為:起爆驅(qū)動信號1為低電平且起爆驅(qū)動信號2為高電平,此時儲能電容處于充電狀態(tài),不對火工品放電。當(dāng)起爆驅(qū)動信號1為高電平且起爆驅(qū)動信號2為低電平時,儲能電容迅速對火工品放電,放電尖峰電壓約為12.481V,略低于直流電源電壓。仿真結(jié)果表明,GPIO 輸出的起爆驅(qū)動信號能夠可靠控制儲能電容對火工品放電。

4.2 起爆功能實驗

將八路火工品起爆電路集成到一塊PCB上,使用Altium Designer軟件進行布局走線,控制器件與控制信號走線盡量短而等長,經(jīng)制板、元器件焊接得到的多路起爆電路PCB板如圖7所示,使用5Ω 電阻代替火工品進行實驗。

圖7 多路起爆電路PCB板

串口通信波特率為921 600bps,每一組起爆驅(qū)動信號由一個8bit的字符命令控制,每一幀數(shù)據(jù)包括1bit起始位、8bit數(shù)據(jù)位、1bit奇校驗位和1bit停止位。

圖8為一組起爆驅(qū)動信號與相應(yīng)起爆信號的波形圖,示波器1、2通道分別測量起爆驅(qū)動信號1和2,3通道是相應(yīng)的起爆信號,當(dāng)且僅當(dāng)起爆驅(qū)動信號1為高電平且起爆驅(qū)動信號2為低電平時輸出起爆信號。

圖8 起爆驅(qū)動信號和起爆信號波形圖

圖9是一組起爆驅(qū)動信號和相應(yīng)火工品兩端電壓波形圖,1、2通道同上,3通道測量火工品兩端電壓。當(dāng)起爆驅(qū)動信號有效,即輸出起爆信號時,儲能電容對火工品放電。因儲能電容不完全放電、熱量損耗等因素,火工品的尖峰電壓Up=12.25V,略低于儲能電容的充電電壓。由圖中光標(biāo)可知,起爆電流持續(xù)時間ts=500μs,火工品電壓波形也是按指數(shù)衰減的零輸入響應(yīng)過程,計算得這段時間內(nèi)火工品獲得的能量Ws為:

圖9 起爆驅(qū)動信號和火工品兩端電壓波形圖

大于其發(fā)火能量,火工品能可靠起爆。

4.3 快速性分析

起爆快速性是指STM32單片機能夠根據(jù)主機命令控制相應(yīng)GPIO 輸出起爆驅(qū)動信號,迅速起爆火工品。從STM32輸出起爆驅(qū)動信號到火工品起爆的時延主要包括硬件延遲時間td和火工品發(fā)火時間tfire。

硬件延遲時間td主要受控制器件開通速度、線路阻抗等因素影響,本文通過合理選擇三極管基極限流電阻、縮短PCB走線的方法減小硬件延遲時間。調(diào)整圖9的時基標(biāo)度得到1μs/Div的波形圖10,由光標(biāo)位置可知硬件延遲時間td約為1.578μs。

圖10 1μs/Div的實驗波形圖

在放電回路中,儲能電容充電電壓和回路電阻一定,火工品發(fā)火時間tfire主要受儲能電容容值影響,本文在保證可靠起爆的基礎(chǔ)上選擇儲能電容C=100μF,提高了能量利用率,減小了火工品發(fā)火時間tfire,解下列積分上限方程式:

W是火工品的發(fā)火能量,Up是火工品兩端的尖峰電壓,Rs是火工品內(nèi)阻,解得tfire=401.943μs。

綜上所述,起爆快速性的影響因素如表1 所示,從STM32輸出起爆驅(qū)動信號到火工品起爆的總時延t=403.521μs,具有起爆快速性。

表1 起爆快速性的影響因素

4.4 同步性分析

多路起爆電路PCB最多可起爆八路火工品,依次編號1~8。起爆同步性要求多路火工品同時起爆時,其相互之間的起爆時間差盡量小。起爆同步性主要受起爆驅(qū)動信號輸出時間差ΔtT、硬件延遲時間差Δtd和火工品發(fā)火時間差Δtfire影響。

同廠同批次的橋絲式電火工品在相同起爆條件下,發(fā)火時間精度主要受制造工藝誤差影響,如橋絲直徑和長度誤差、藥頭質(zhì)量誤差等。文獻[9]選取若干發(fā)同廠同批次的LTNR 系剛性16μm 橋徑點火頭進行測試,其發(fā)火時間標(biāo)準(zhǔn)差為24.4μs。文獻[20]使用20發(fā)橋絲電阻一致、藥頭質(zhì)量在12~15mg的點火頭進行試驗,其發(fā)火時間標(biāo)準(zhǔn)差為31.0μs。因此,合理的制造工藝誤差對橋絲式電火工品的性能沒有明顯影響,滿足同步性要求。在實際應(yīng)用中,選用電阻誤差小、藥頭質(zhì)量誤差小的火工品可提高發(fā)火時間精度。本實驗使用5Ω 電阻代替火工品,模擬在制造工藝上沒有誤差,因此實驗中忽略火工品發(fā)火時間差Δtfire。

起爆驅(qū)動信號的輸出由主機發(fā)送命令控制。為減小UART 串行通信傳輸命令對起爆驅(qū)動信號輸出同步性的影響,采用固定延時、并行輸出的方法。因STM32單片機可對同一組的多個端口同時進行賦值操作,所以使能同一組端口,即GPIOB的PB0~PB15,作為輸出起爆驅(qū)動信號的GPIO。當(dāng)STM32通過UART 接收到命令時,開啟固定延時,確保延時內(nèi)接收到全部命令,然后根據(jù)命令判斷各GPIO 的輸出狀態(tài),并行輸出起爆驅(qū)動信號,因此,起爆驅(qū)動信號輸出時間差ΔtT=0。

硬件延遲時間差Δtd主要由控制器件開通速度不同、線路阻抗不同等因素造成,因此,使用同批次相同參數(shù)元件、PCB等長走線等措施可以減小硬件延遲時間差Δtd。以火工品1為參照,兩兩進行實驗,圖11中通道1、2分別為火工品1、2同時起爆時的波形圖,由光標(biāo)位置可知,兩火工品起爆的硬件延遲時間差Δtd=-110μs。同理可得各火工品與火工品1的硬件延遲時間差,如表2所示。分析可知,同時起爆包含火工品2和6的多路火工品時的硬件延遲時間差Δtd最大,為0.394μs。

表2 各火工品與火工品1的硬件延遲時間差

圖11 火工品1和2同時起爆波形圖

綜上所述,起爆同步性的影響因素如表3所示,不計火工品發(fā)火時間差Δtfire時,起爆多路火工品的最大時間差為0.246μs,具有起爆同步性。

表3 起爆同步性的影響因素

5 結(jié)束語

本文針對智能封鎖雷的跳躍機構(gòu),提出了一種基于STM32的多路起爆電路。在電路設(shè)計上采用雙端控制、低通濾波等方法提高電路的安全性和抗干擾能力?;趨?shù)計算選擇關(guān)鍵元器件,使用固定延時、并行起爆的起爆方式,以減小火工品的發(fā)火時間和起爆硬件延遲時間。特性分析表明:從STM32輸出起爆驅(qū)動信號到火工品起爆的時延為403.521μs,具有起爆快速性;不計火工品發(fā)火時間差時,起爆多路火工品的最大時間差為0.246μs,具有起爆同步性。該電路簡單可靠、PCB 體積小,能與主機通訊、功能靈活,可為自修復(fù)雷場中智能封鎖雷跳躍的應(yīng)用需求提供技術(shù)支持。

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