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矩形水平通道內(nèi)液體Poiseuille-Rayleigh-Bénard對流的數(shù)值模擬

2023-08-31 06:47趙佳悅侯紅梁啟煜郭永紅
當代化工研究 2023年17期
關鍵詞:溫度梯度側壁對流

*趙佳悅 侯紅 梁啟煜 郭永紅

(山西能源學院 能源與動力工程系 山西 030600)

將封閉矩形通道內(nèi)的水平液層從底部加熱,表面冷卻,再與層流強制對流疊加,這樣的流動叫做Poiseuille-Rayleigh-Bénard(P-R-B)對流。Poiseuille-Rayleigh-Bénard對流廣泛存在于自然界和工業(yè)領域中,例如化學氣相沉積,電子設備冷卻,海水淡化裝置和板式換熱器等。對Poiseuille-Rayleigh-Bénard對流的研究,有利于對換熱器和材料制備過程進行合理設計和改良[1]。

流體在通道流動的過程中,由于浮升力的作用,會出現(xiàn)二次流。在一定范圍的Re數(shù)下,液體的浮力引起縱向流卷(即流卷的軸線平行于流動方向)的發(fā)展。一些文獻中通過理論計算,數(shù)值模擬或實驗分析的方法研究了水平通道中的Poiseuille-Rayleigh-Bénard對流。Rahli[2]指出,Poiseuille-Rayleigh-Benard對流中,流動由兩個對流源疊加而成:水平壓力梯度引起的通道內(nèi)主流和垂直溫度梯度引起的二次流。文獻[3-5]研究了底部加熱,上面冷卻的通道二次流的發(fā)生機制。縱向流卷在流動入口區(qū)域的側壁附近觸發(fā),然后逐漸向中心移動,側壁處的擾動是對流不穩(wěn)定性形成的重要因素。Zhang[6]對底部和側壁加熱通道的流動和傳熱特性進行了實驗研究,通道寬深比為6,其底部和側壁被加熱且通道頂部被冷卻。實驗結果表明,通道底部的熱流密度一定時,液膜內(nèi)部首先出現(xiàn)兩個較大的流卷,并且占據(jù)整個橫截面,之后增加到四個。Gau等[7]觀察了兩平行板之間空氣的Poiseuille-Rayleigh-Bénard對流,運用流動可視化方法得出了Gr/Re2=20,Re=500條件下空氣內(nèi)部的流動狀態(tài)。

研究發(fā)現(xiàn),Poiseuille-Rayleigh-Bénard流動的流型和熱傳遞取決于Ra數(shù)、Re數(shù)等參數(shù)[8]。Benderradji[9]對寬深比為10,底部均勻熱流加熱的水平通道內(nèi)流體流動和傳熱特性進行了數(shù)值計算,得出當Ra/Re2>18時縱向流卷產(chǎn)生的機理發(fā)生改變,而且有流卷產(chǎn)生時,整體的傳熱系數(shù)明顯大于僅有強制流動的通道。Ostrach和Kamotani等[10]對等溫板之間充分發(fā)展的氣流進行了實驗,指出渦卷在Re=38,Ra>8000時變得不規(guī)則。Nicolas[11]通過實驗方法做出了無限大寬深比和有限寬深比通道內(nèi)Poiseuille層流流動中Ra-Re平面的穩(wěn)定性圖,確定了流動的臨界Re數(shù)和Ra數(shù)。Ostrach和Kamotani發(fā)現(xiàn)在大寬深比的通道中,縱向流卷的波長大約等于液體高度的兩倍,即使對于大Ra數(shù)的情況也是如此。

本文采用數(shù)值模擬的方法研究底部定溫加熱、表面定溫冷卻的矩形水平通道內(nèi)液體的Poiseuille-Rayleigh-Bénard對流,分析不同Re數(shù)和Ra數(shù)對流型和換熱的影響,為工程實踐提供一定的理論依據(jù)。

1.物理數(shù)學模型

本課題采用的物理模型為矩形水平通道,如圖1所示。其幾何尺寸長為L=50cm,寬為W=10cm,深為d=1cm。上表面為冷卻表面,溫度為Tc,下表面為加熱面,溫度為Th,左右側壁為絕熱豎壁,流體以速度v流過通道,入口溫度為T=Tc,環(huán)境溫度T0=Tc。為簡化起見,假定:(1)液體為不可壓縮牛頓流體,密度滿足Boussinesq近似;(2)所有固體壁面均為無滑移邊界條件;(3)流動速度低,為層流。

圖1 物理模型

2.結果分析與討論

(1)縱向流卷形成的機理。圖2為當Re=10,Ra=5000時,不同的X-Z截面上的縱向流卷圖。這種縱向流卷形成的機制,被稱為經(jīng)典機制。從圖中可以看到,縱向流卷起初形成于兩側壁處(Y=5),并逐漸沿著流體流動方向往通道的中心區(qū)域擴展(Y=8,Y=15)。從Y=22之后,縱向流卷完全發(fā)展。這是因為在側壁絕熱情況下,由于速度邊界層的存在,流體流動的速度沿通道中心向兩側壁逐漸減小。因此強制對流在側壁附近較弱,在通道中心附近較強,可以認為流體在側壁附近是自然對流,所以絕熱側壁附近的熱量不容易散失,導致熱量在側壁面附近聚集,溫度升高。因此,在通道內(nèi)部形成了X方向溫度梯度,由于流體密度隨溫度升高而降低,該處的溫度梯度使流體產(chǎn)生了密度梯度。在側壁附近的流體密度低于通道中心區(qū)域流體的密度,在浮升力和重力的作用下,側壁附近流體向上方流動,而稍遠離側壁的流體向底部流動。同時,由于此處Z方向上亦存在溫度梯度,因此,在通道兩側壁處的流體便會產(chǎn)生流卷。再加上流體內(nèi)部,黏性力的作用,兩側壁處的流卷逐漸在其后方激發(fā)出新的流卷,直至流卷布滿整個通道的X-Z截面。縱向流卷形成時在通道內(nèi)成對出現(xiàn),且相鄰的兩個流卷旋轉方向相反。流卷直徑約等于通道高度。在充分發(fā)展區(qū),在X-Z截面上共有12個縱向流卷。

圖2 Re=10, Ra=5000時不同X-Z截面上縱向流卷的溫度場和速度場

(2)Re數(shù)對Poiseuille-Rayleigh-Bénard對流的影響。圖3為Ra=5000時,Z=0.5截面上的無量綱溫度場在不同Re數(shù)下的變化??梢钥闯觯S著Re數(shù)的增加,充分發(fā)展區(qū)的縱向流卷出現(xiàn)位置逐漸向后移。這是因為在通道特征尺寸保持不變且流體黏度值基本穩(wěn)定的情況下,Re數(shù)的增加意味著流體流速增加,從而在入口段相同Y坐標位置處的絕熱側壁附近的對流增強,熱量不容易在側壁聚集,因此縱向流卷在充分發(fā)展區(qū)的出現(xiàn)位置不斷向后移動,但縱向流卷的個數(shù)不隨Re數(shù)的改變而改變。

圖3 Ra=5000時不同Re數(shù)下Z=0.5截面的溫度云圖

(3)Ra數(shù)對Poiseuille-Rayleigh-Bénard對流的影響。在流體力學中,Ra數(shù)是用來表征浮力驅動流體的無量綱數(shù)。當Ra數(shù)低于某個臨界值時,流體內(nèi)部的傳熱主要以導熱的形式;當Ra數(shù)超過該臨界值時,流體內(nèi)部的傳熱主要是以對流形式。對于水平通道內(nèi)液體的Poiseuille-Rayleigh-Bénard對流來說,研究Ra數(shù)對流體流動的影響是至關重要的。正如前文所提到的,水平矩形通道內(nèi)的縱向流卷與流體內(nèi)部溫度梯度引起的浮升力有關。當封閉矩形通道內(nèi)流體的Ra數(shù)小于使流卷出現(xiàn)的臨界Ra數(shù)時,由該溫度梯度產(chǎn)生的浮升力不足以克服流體內(nèi)部的黏性力,從而無法觸發(fā)縱向流卷,此時通道內(nèi)為單純的Poiseuille流動。在一定Re數(shù)下,當Ra數(shù)超過這個臨界值,浮升力的影響逐漸增加,并能夠克服流體黏性力的影響,使流體內(nèi)部的熱對流變得不穩(wěn)定而激發(fā)出橫向流卷。若Ra數(shù)繼續(xù)增加,直到大于某值(即Ra*),同時使Re數(shù)大于Re*,這時通道內(nèi)流動由橫向流卷轉變?yōu)榭v向流卷。

圖4為在Re=10時,不同Ra數(shù)下Z=0.5截面處的溫度云圖。可以看到,隨著Ra數(shù)的增加,初始縱向流卷在側壁附近形成的位置逐漸靠近入口區(qū)。在Ra=5000的時候,初始縱向流卷大致在Y=2.2處出現(xiàn);當Ra數(shù)增加到12760時,初始縱向流卷大致在Y=1.7處出現(xiàn);當Ra=22700的時候,初始縱向流卷大致在Y=0.8處出現(xiàn)。這主要是因為隨著Ra數(shù)的增加,流體內(nèi)部對流換熱逐漸增強,從而使得側壁附近能夠激發(fā)出縱向流卷的溫度梯度出現(xiàn)的位置逐漸靠前。從圖中還可以看到,在Ra=5000的時候,充分發(fā)展區(qū)出現(xiàn)位置大致在Y=23處;而當Ra數(shù)增加到12760時,充分發(fā)展區(qū)的出現(xiàn)位置向前移到了Y=11處;當Ra=22700時,充分發(fā)展區(qū)的出現(xiàn)位置大致在Y=6.8處。這也就是說,隨著Ra數(shù)的增加,矩形通道內(nèi)流體的充分發(fā)展區(qū)出現(xiàn)位置距流卷開始形成位置的長度也逐漸變短。這是因為隨著Ra數(shù)的增加,浮升力對流體的影響逐漸增強,從而使得縱向流卷向中心區(qū)域擴展的速度增加。當Ra=5000時,充分發(fā)展區(qū)通道截面上的縱向流卷數(shù)量為12個;當Ra=12760時,該區(qū)域的縱向流卷數(shù)量增加到14個;當Ra=22700時,縱向流卷數(shù)量為16個。而且可以看出,截面處的流體溫度隨著Ra數(shù)的增加升高得更快。這說明Ra數(shù)的增加對提高流體對流換熱效果有著積極的作用。

圖4 Re=10時不同Ra數(shù)下Z=0.5截面的溫度云圖

3.結論

本文通過三維流體力學基本方程組的數(shù)值模擬,借助FLUENT軟件研究了底部定溫加熱,上表面定溫冷卻的矩形通道內(nèi)液膜的Poiseuille-Rayleigh-Bénard對流,分析了縱向流卷的演變過程和Re數(shù)和Ra數(shù)對流動的影響。主要結論如下:(1)在所取的參數(shù)范圍內(nèi),由于封閉通道上下表面存在溫差,通道中出現(xiàn)縱向流卷形式的二次流。縱向流卷由側壁效應引起。流卷首先發(fā)生在側壁附近,然后逐漸向中間移動。(2)Re數(shù)的增加對縱向流卷的個數(shù)沒有影響,但會延長充分發(fā)展段出現(xiàn)的位置。(3)Ra數(shù)的增加會使縱向流卷的個數(shù)增加,使入口段長度減小。

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