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一種星載功放調(diào)制電源設(shè)計

2023-09-19 13:34
電子設(shè)計工程 2023年18期
關(guān)鍵詞:浪涌共模濾波

李 可

(1.中國電子科技集團(tuán)公司第三十八研究所,安徽合肥 230088;2.安徽省天線與微波工程實驗室,安徽 合肥 230088)

隨著航天業(yè)務(wù)的高速發(fā)展,功放作為衛(wèi)星載荷發(fā)射鏈路的核心部件,已廣泛應(yīng)用于雷達(dá)、通信、遙感等衛(wèi)星應(yīng)用領(lǐng)域[1-2]。功放電源將衛(wèi)星平臺一次母線所提供的直流電壓變換成功放工作所需的電壓,其穩(wěn)定性、可靠性直接影響功放設(shè)備乃至發(fā)射鏈路工作的可靠性和性能指標(biāo)的實現(xiàn)。同時,由于工作于衛(wèi)星平臺,必須考慮星載環(huán)境的特殊性,既保證功放電源自身可靠工作,同時不會對其他星載設(shè)備造成干擾或者危害。

該文給出了某星載功放調(diào)制電源的詳細(xì)設(shè)計,在滿足性能指標(biāo)要求的同時,保證了較高的可靠性和抗干擾能力。

1 設(shè)計要求

輸入直流電壓Vin=(30±2) V,輸出電壓VO=10 V,最大輸出電流IO=3 A,滿載效率η≥80%,輸出紋波VPP≤50 mV,二次電源輸出脈寬可調(diào),分別為3.5 s、10 s,也可為連續(xù)模式。

2 方案設(shè)計

功放調(diào)制電源由浪涌抑制電路、EMI 濾波電路、遙控電路、輸出調(diào)制電路等組成[3],其組成框圖如圖1所示。

圖1 功放調(diào)制電源組成框圖

其中,浪涌抑制電路用于防止功放調(diào)制電源啟動時,輸入浪涌電流過大對平臺一次母線造成危害;EMI 濾波電路一方面用于衰減由輸入母線傳入到電源的EMI 信號,保證電源不受干擾正常工作;另一方面,抑制電源本身產(chǎn)生的EMI 信號,防止它進(jìn)入輸入母線中,污染電磁環(huán)境,危害母線上的其他設(shè)備;遙控電路實現(xiàn)功放調(diào)制電源根據(jù)平臺離散脈沖指令工作;輸出調(diào)制電路實現(xiàn)功放電源按照輸入的調(diào)制脈沖信號時序、脈寬而輸出至功放[3-6]。

3 電路詳細(xì)設(shè)計

3.1 浪涌抑制電路

輸入浪涌電流抑制電路原理圖如圖2 所示,使用功率PMOS 管實現(xiàn)。其工作原理:A、B 兩點連接遙控電路,當(dāng)接收到電源加電指令時,A、B 兩點斷開,輸入電壓通過電阻R4給電容C1充電,電容C1上的電壓從0 V 逐漸上升,同時MOS 管M1 柵極電壓隨阻容設(shè)定的時間常數(shù)按指數(shù)曲線上升,當(dāng)達(dá)到開啟電壓時,MOS 管M1 開啟并工作在線性區(qū),避免開機瞬間電源輸入電容充電的浪涌電流對一次母線上其他設(shè)備造成干擾。啟動完成以后,MOS 管M1工作于開關(guān)區(qū),通過的電流為功放電源的額定輸入電流[7-8]。

圖2 浪涌抑制電路原理圖

R4、C1組成浪涌電流延遲電路,可以通過式(1)選擇R4、C1的參數(shù),從而得到合適的浪涌電流。

其中,UGS(th)為MOS 管M1 柵極電壓;t為MOS 管M1 開啟時間。

實物測試波形如圖3所示,浪涌電流為1.1 A/4.2 ms,滿足峰值電流不大于3 A,斜率不大于105A/s 的航天規(guī)范要求。

3.2 遙控電路

功放調(diào)制電源開關(guān)機受衛(wèi)星平臺的2 路遙控離散指令控制,分別為電源加電、電源斷電。遙控指令信號為(28±1) V 的指令脈沖,脈沖持續(xù)時間為(80±10)ms。電源加電遙控電路如圖4 所示。

圖4 電源加電遙控電路圖

其中,K1 為磁保持繼電器,可以將接收到的脈沖指令變換為固定的觸點狀態(tài);R1、R2為限流電阻,通常阻值為K1 線包阻抗的十分之一,從而防止指令負(fù)載端短路故障對衛(wèi)星平臺的指令源端造成危害;V1、V2 為二極管,吸收K1 線包由于電感特性,在斷電時產(chǎn)生的反向電動勢[9]。電源斷電遙控工作原理與加電相同,由斷電指令控制磁保持繼電器K1 的復(fù)位線包。

3.3 EMI濾波電路

EMI 濾波電路由共模濾波電路和差模濾波電路組成,原理圖如圖5 所示。差模噪聲主要存在于1 MHz 以下的頻段,共模噪聲主要存在于1 MHz 以上的頻段。為了能夠更好地對兩種模式的噪聲進(jìn)行有效抑制,應(yīng)努力做到阻抗的最大不匹配。輸入濾波器采用一級共模和一級差模的組合設(shè)計,分別抑制共模干擾電流和差模干擾電流[10-11]。

當(dāng)DC/DC 變換器中的MOSFET 管和整流二極管不停開通和關(guān)斷時,會產(chǎn)生很寬的頻譜分量,通過傅里葉計算可以得知每一次諧波的幅值。隨著頻率的增加,諧波的幅值隨著諧波的級數(shù)在下降。因此干擾電流頻譜中的一次諧波分量為確定差模插入損耗的關(guān)鍵參數(shù),這里一次諧波的頻率即為DC/DC 的開關(guān)頻率500 kHz。隨著頻率的增加,干擾電流的諧波分量在降低,濾波器的干擾衰減量增加,因此濾波器可以輕易抑制干擾電流的其他次諧波。通過計算,濾波電路差模濾波部分采用了π型拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),截止頻率為7~500 kHz 時,會有102 dB 的衰減量。共模濾波設(shè)計只要保證共模截止頻率設(shè)計為比開關(guān)頻率低十倍就足夠。通過計算,共模濾波的截止頻率為16.2 kHz,遠(yuǎn)低于開關(guān)頻率的十分之一——50 kHz。因此,EMI 濾波電路設(shè)計滿足電磁兼容規(guī)范要求。

3.4 DC/DC電路

目前,成熟的DC/DC 模塊產(chǎn)品具有高集成、小體積、高可靠性等特點,而且宇航級產(chǎn)品還具有抗電離總劑量不小于40 krad(Si)的能力[12]。DC/DC 模塊輸出電壓受輸入電壓和負(fù)載變化的影響較小,同時,自身具有故障隔離和保護(hù)功能。因此,DC/DC 電路采用具有抗輻照指標(biāo)的DC/DC 模塊為核心器件,外圍增加軟啟動電路、輸入/輸出濾波等電路組成[13]。電路原理圖如圖6 所示。

圖6 DC/DC電路圖

3.5 輸出調(diào)制電路

由于功放可工作于連續(xù)波和脈沖兩種模式,因此,功放供電需根據(jù)工作模式可調(diào),從而降低功耗,提高單機的可靠性和壽命。

輸出調(diào)制電路如圖7 所示。調(diào)制脈沖輸入信號為TTL 高電平時,三極管V2 導(dǎo)通,MOS 管V3 柵極電壓建立,從而V3 導(dǎo)通,+10 V 電源輸出至功放,反之則V3 截止,功放無供電電壓,從而實現(xiàn)功放的脈沖調(diào)制供電。同時,該電路具有負(fù)壓保護(hù)功能,當(dāng)功放-5 V 柵壓供電出現(xiàn)故障時,三極管V1 導(dǎo)通,從而將調(diào)制脈沖輸入+5 V 嵌位至V1CE,MOS 管V3 無法導(dǎo)通,從而保護(hù)功放不會損壞[14-16]。

圖7 輸出調(diào)制電路圖

電阻R1、R2組成分壓電路,公共點電壓Uqy可由式(2)求得:

其中,Udd為功放調(diào)制電源電壓,為+10 V;Ugg為負(fù)壓電源電壓。

由于三極管V1 的基極導(dǎo)通電壓通常為0.7 V(硅管),式(2)可變形為式(3)。

根據(jù)式(3),通過選取合適電阻R1、R2,即可獲得預(yù)設(shè)的負(fù)壓保護(hù)電壓閾值Uggmax。

采用SABER 軟件進(jìn)行仿真分析,仿真模型如圖8 所示。

圖8 仿真模型

仿真參數(shù)設(shè)置如下:調(diào)制脈沖寬度為3.5 s,周期為10 s;-5 V 供電在12 s 時故障無輸出。

仿真波形如圖9 所示,從上到下B1-B3 波形分別對應(yīng)-5 V 供電電壓、調(diào)制脈沖輸入信號、功放供電電壓。

由仿真結(jié)果可見,-5 V 供電正常時,輸出功放供電電壓按調(diào)制脈沖輸入時序正常脈沖輸出;當(dāng)-5 V 供電異常時,無功放供電輸出,從而保護(hù)后級功放負(fù)載。

4 實測結(jié)果

根據(jù)以上電路設(shè)計,完成正樣功放調(diào)制電源研制,主要技術(shù)指標(biāo)實測值如下:輸出電流≤3 A;滿載效率≥82.5%;負(fù)載調(diào)整率≤1%;輸入調(diào)整率≤0.5%;紋波≤27 mV。

脈沖輸出測試波形如圖10 所示,脈沖寬度為3.5 s。圖中,從上到下三路波形分別對應(yīng)的為10 V功放供電、TTL 調(diào)制脈沖輸入、DAC 中頻輸出。

圖10 測試波形

5 結(jié)束語

該文介紹了一種星載功放調(diào)制電源,其具有多脈寬輸出、負(fù)壓保護(hù)功能,該電源設(shè)計中充分考慮航天產(chǎn)品的體積小、質(zhì)量輕、可靠性高等特點,目前已在軌運行,滿足指標(biāo)要求。

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