張幸 劉玉林 李剛 燕少安 肖永光 唐明華

《物理學(xué)報(bào)》2024 年第73 卷第6 期第066103 頁《基于 55 nm DICE 結(jié)構(gòu)的單粒子翻轉(zhuǎn)效應(yīng)模擬研究》一文中,因作者的疏忽導(dǎo)致圖文標(biāo)注錯(cuò)誤,特此更正,并誠摯地向讀者致歉.圖7(b)圖例內(nèi)容更正如下:

圖7 不同LET 值入射時(shí)DA 節(jié)點(diǎn)電位變化圖 (a) 轟擊DN3 晶體管時(shí)DA 節(jié)點(diǎn)的電位變化圖;(b) 轟擊DP4 晶體管時(shí)DA 節(jié)點(diǎn)的電位變化圖Fig.7.Voltage variation diagram of DA node when particle incidents by different LET value: (a) Voltage variation diagram of DA node when bombarding DN3 transistor;(b) voltage variation diagram of DA node when bombarding DP4 transistor.

1) LET 值為10 MeV·cm2/mg 時(shí),DA 節(jié)點(diǎn)瞬態(tài)脈沖寬度為0.22 ns;

2) LET 值為15 MeV·cm2/mg 時(shí),DA 節(jié)點(diǎn)瞬態(tài)脈沖寬度為0.30 ns;

3) LET 值為20 MeV·cm2/mg 時(shí),DA 節(jié)點(diǎn)瞬態(tài)脈沖寬度為0.38 ns.

更正后的圖7 如下所示.